简介：- 1 - 一 . 引言太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源。也是清洁能源，不产生任何的环境污染。当电力、煤炭、石油等不可再生能源频频告急，能源问题日益成为制约国际社会经济发展的瓶颈时，越来越多的国家开始实行“阳光计划”，开发太阳能资源，寻求经济发展的新动力。欧洲一些高水平的核研究机构也开始转向可再生能源。在国际光伏市场巨大潜力的推动下，各国的太阳能电池制造业争相投入巨资，扩大生产，以争一席之地。全球太阳能电池产业 1994-2004 年 10 年里增长了 17 倍，太阳能电池生产主要分布在日本、欧洲和美国。 2006 年全球太阳能电池安装规模已达1744MW ，较 2005 年成长

简介：南昌大学毕 业 论 文题 目 硅片清洗工艺的发展 _ 专 业 光伏材料加工与应用技术班 级 自 考 _____________ 准考证号 0569111xxxxx 学生姓名 陈勇清 ____ 院 系 江西太阳能科技职业学院 xxxxxx 系指导教师 张 xx __________ 日 期 2012 年 4 月 23 日 __1 摘 要在集成电路和光伏硅太阳能电池生产中，几乎每道工序都有硅片清洗的问题，硅片清洗的好坏对器件的性能有着直接的影响，处理不当会使制造出来的器件性能低劣、稳定性和可靠性差，因此弄清楚硅片清洗方法对从事半导体生产的人来说有着重要的意义。 本文主要论述了硅片

简介： 1995-2005 Tsinghua Tongfang Optical Disc Co., Ltd. All rights reserved. 1995-2005 Tsinghua Tongfang Optical Disc Co., Ltd. All rights reserved. 1995-2005 Tsinghua Tongfang Optical Disc Co., Ltd. All rights reserved. 1995-2005 Tsinghua Tongfang Optical Disc Co., Ltd. All rights reserved

简介：硅抛光片存储中表面起 “ 雾 ” 的研究万向硅峰电子股份有限公司，浙江 开化 324300 摘要 存储中硅片起 “ 雾 ” 是硅片存储面临的最大挑战， “ 雾 ” 缺陷是可见或可印刷的晶体结构，从污染生长而来，已是困扰半导体业界长达 10 年以上的大问题。半导体制造商们至今还未能提出良好的解决方案。所以研究硅片的 “ 雾 ” 缺陷，并克服 “ 雾 ” 缺陷显得尤为迫切。从实际生产出发，根据实验数据分析和理论推导，建立了一个起 “ 雾 ” 原因基本模型，对引起 “ 雾 ” 缺陷影响因素进行了独立细致的分析，并在这个模型的基础上提出了相对应的有效的解决方案。关键词 时间雾；携带层； AM

简介：硅晶态硅又分为单晶硅和多晶硅， 它们均具有金刚石晶格， 晶体硬而脆， 具有金属光泽，能导电，但导电率不及金属，且随温度升高而增加，具有半导体性质。晶态硅的熔点 1410C, 沸点 2355C, 密无定形硅是一种黑灰色的粉末。用硅来做 MEMS 产品，主要应用 100或（ 110）的晶圆，在各向异性腐蚀法实现腐蚀的过程中， 采用湿法腐蚀和干法腐蚀， 其中干法刻蚀与晶体的晶向没有直接的关系， 仅靠轰击硅片表面的高能粒子的方向来实现控制， 而湿法腐蚀则主要依靠不同晶面的腐蚀速率之间的差异来实现的。例如，在诸如悬臂梁、桥、凹坑结构的实现中，采取 100 面的晶圆加工，沿 晶向做掩膜，然后在碱性溶

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简介：Xinyu College 毕业设计（论文）题 目 硅片（多晶硅）切割工艺及流程所 属 系 太阳能科学与工程系专 业 光伏材料加工与应用技术硅片（多晶硅）切割工艺及流程I 硅片（多晶硅）切割工艺及流程摘要随着能源短缺和环境污染等问题的日益加剧， 利用可再生、 无污染的能源已成为现代社会的一个趋势， 太阳能的开发与利用越来越被人们所重视。 未来太阳的大规模应用主要是用来发电，目前实用太阳能发电方式主要为“ 光 电转换” 。其基本原理是利用光生伏打效应将太阳辐射能直接转换为电能，它的基本装置是太阳能电池。太阳能电池是由太阳能电池硅片组件组成 的一个系统。硅片的质量直接影响了太阳电池的光电转换

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简介：光子晶体工艺流程一、主体说明本次研究的主要任务是利用硅片制作出多孔硅光子晶体， 研究主要内容是多孔硅的特点和制备方法，实验装置主要采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅。本次光子晶体的主体制备方案是先用低压化学气相淀积工艺在 Si 衬底上生成一层 Si 3N4 薄膜， 通过光刻工艺将六边形格子复印到 Si 3N4 层上， 然后以 Si 3N4薄膜作掩蔽层，用 25的 TMAOH（氢氧化四甲基铵）溶液腐蚀出促进电化学反应的起始核，最后在 5HF和酒精混合溶液中腐蚀正方形排列的 Si 孔。研究表明，这种 Si 基光子晶体的方向禁带的中心位置在 1250cm-1 , 带宽为 300 cm-1。二、流程

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简介：硅抛光片表面颗粒度控制作者 武永超 ， 杨洪星 ， 张伟才 ， 宋晶 ， 赵权 ， WU Yongchao， YANG Hongxing， ZHANGWeicai ， SONG Jing， ZHAO Quan作者单位 中国电子科技集团公司第四十六研究所 ,天津 ,300220刊名 电子工业专用设备英文刊名 EQUIPMENT FOR ELECTRONIC PRODUCTS MANUFACTURING年，卷 期 2010,3910参考文献 5条1. Pegah Karimi;Taehoon Kim;Juan Aceros;Jingoo Park,Ahmed A.Busn

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简介：硅晶片切割技术线锯的发展史第一台实用的光伏切片机台诞生于 1980 年代，它源于 Charles Hauser 博士前沿性的研究和工作。 Charles Hauser 博士是瑞士 HCT切片系统的创办人，也就是现在的应用材料公司 PWS精确硅片处理系统事业部的前身。这些机台使用切割线配以研磨浆来完成切割动作。今天，主流的用于硅锭和硅片切割的机台的基本结构仍然源于 Charles Hauser 博士最初的机台，不过在处理载荷和切割速度上已经有了显著的提高。切割工艺现代线锯的核心是在研磨浆配合下用于完成切割动作的超细高强度切割线。最多可达 1000 条切割线相互平行的缠绕在导线轮上形成一个水平的