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1 高温退火消除硅片内部空洞实验 . ICedu 狂人 发表于 2007-5-01 0909 来源 SupeSite/X-Space 社区门户将两抛光完好的硅片, 在超净环境中进行键合时发现, 在 200800℃范围内,随着温度的升高,键合界面产生的空洞数量增多,空洞的尺寸变大。而在超过900℃
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