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硅片酸腐蚀与碱腐蚀工艺比较参数 酸腐蚀工艺 碱腐蚀工艺腐蚀特性 各向同性 各向异性腐蚀反应的热量 放热 吸热表面平坦度 ( STIR\TIR\TTV )需要依靠晶片的旋转、 特制的夹具、 通气体充分搅拌腐蚀液等特殊机构及工艺手段来改善其表面平坦度不需要特殊机构便可达到一...
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硅片在 HF/HNO3/H2O体系中的腐蚀速度作者 安静 , 孙铁囤 , 刘志刚 , 汪建强 , 苦史伟 , An Jing , Sun Tietun , Liu Zhigang ,Wang Jianqiang , Ku Shiwei作者单位 上海交通大学物理系太阳能研究所 ,上海 ,200240刊
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22 www.pv-tech.org不同蚀刻深度对多晶硅太阳能电池性能的影响摘要在多晶硅太阳能电池的生产工艺中, 绒面的制备一般采用酸蚀刻的方式进行,制绒效果的差异则以绒面反射率值的大小和蚀刻深度作为评价标准。本文通过调整制程参数而获取蚀刻深度分别为 2.82μ m、 3.83...
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多晶硅片酸腐蚀制绒面技术Erik Stensrud Marstein, Hans J 鴕 gen Solheim, Daniel Nilsen Wright and Arve Holt Section for Renewable Energy, Institute for Energy Techno
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收稿日期 2008- 07- 03.基金项目 国家 / 8630计划项目 2006A A05Z406.材料 、 结构及工艺HIT 太阳电池的单晶硅表面腐蚀工艺的研究曾祥斌 , 宋志成 , 宋佩珂 , 王慧娟 华中科技大学 电子科学 与技术系 , 武汉 430074摘 要 对用于 H IT 太
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1 江苏淮安标准操作文件 编 号硅片腐蚀 (碱洗) 作业指导书版 本受控状态批 准 审 核 编 制日 期 日 期 日 期1 目的 使已经有污染的硅片腐蚀、清洗干净能用于拉制太阳能级单晶的原材料;2 使用材料HF( 49) 、 NAOH( 99) 、 HCL( 37) 、片料、烘箱。3 常用工具...
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武汉理工大学硕士学位论文( 100)、( 110)硅片湿法各向异性腐蚀特性研究姓名李志伟申请学位级别硕士专业材料物理与化学指导教师周建20080401
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实验三 硅片的腐蚀一、实验目的1.掌握 Si 单晶片的位错侵蚀方法和位错密度的计算方法2.了解腐蚀 Si 单晶位错原理 ,正确使用金相显微镜 , 二、实验原理位错是晶体的线缺陷,它标志着晶体结构的完整程度,它对半导体材料的电学性能有很大影响,通常制造器件要求位错...
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硅片腐蚀硅片腐蚀一、目的 和原理利用氢氧 化钠对多晶硅腐蚀作用,去除硅 片在多线切割锯切片时产生的表 面损伤层,同时利用氢氧化钠对 硅腐蚀的各向异性,争取表面较低反射率 较低的表面织构。解释① 现有多晶硅片是由长方体晶锭在 多线切割锯切成一片片多晶硅方片...
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硅片腐蚀和抛光工艺链接 www.china-nengyuan.com/baike/2275.html硅片腐蚀和抛光工艺硅片腐蚀工艺的化学原理硅表面的化学腐蚀一般采用湿法腐蚀,硅表面腐蚀形成随机分布的微小原电池,腐蚀电流较大,一般超过 100A/cm2,但是出于对腐蚀液高纯度和减少可能金属离子污...
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在半导体材料硅的表面清洁处理, 硅片机械加工后表面损伤层的去除、 直接键合硅片的减薄、 硅中缺陷的化学腐蚀等方面要用到硅的化学腐蚀过程。 下面讨论硅片腐蚀工艺的化学原理和抛光工艺的化学原理。一、硅片腐蚀工艺的化学原理硅表面的化学腐蚀一般采用湿法腐蚀, ...
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