1994-2010 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved. http//www.cnki.net背接触硅太阳电池研究进展 3任丙彦 1 ,吴 鑫 1 ,2 ,勾宪芳 2 ,孙秀菊 1 ,2 ,
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背接触硅太阳电池研究进展 3任丙彦 1 ,吴 鑫 1 ,2 ,勾宪芳 2 ,孙秀菊 1 ,2 ,于建秀 1 ,褚世君 1 ,励旭东 21 河北工业大学材料科学与工程学院 ,天津 300130 ;2 北京市太阳能研究所 ,北京 100083 摘要 高效率 、 低成本是晶体硅太阳电池发展的主流方向 。背
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第 15卷第 1期 材 料 科 学 与 工 程 总第 5 7期 V o 1115N o 11 M aterials Science 在 M O S 电路中 , Si3N 4和 SiO 2组成复合栅绝缘层 \[ 2 \], 对于提高电路的击穿电压起了很大作用 , 是 M O S 电路中最重要的工艺之一
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管式 PECVD 流量对太阳电池氮化硅膜影响的工艺研究 来源深圳市大族光伏科技股份有限公司 作者 李军阳 时间 2011-09-19 氮化硅膜作为晶体硅太阳能电池减反射钝化膜是目前太阳能电池制备的主流,然而由于用 PECVD 来制备的氮化硅膜,是以 SixNyHz 方式来表达的,其中的...
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PECVD制备氮化硅薄膜的研究进展 毕业设计(论文) ( 2013 届) 题 目 PECVD制备氮化硅薄膜的研究进展 学 号 1003020147 姓 名 钟建斌 所 属 系 新能源科学与工程学院 专 业 材料加工及技术应用 班 级 10 材料( 1)班 指导教师 胡耐根 新余学院教务处制 PECV
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