2014 年第 6 期科 技 创 新 科技创新与应用多晶硅组件的电位诱发衰减的成因及防治陶 亮( 江苏国信泗阳太阳能发电有限公司, 江苏 泗阳 223700)1 PID 形成原因1.1 电池片内部的原因1.1.1 在多晶硅电池片在生产过程中, 由于晶界的存在和晶体的生长的速度很快, 晶粒...
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2014.12 Vol.38 No.12研 究 与 设 计收稿日期 2014-04-03作者简介 罗旌旺(1984 ), 男, 福建省人, 工程师, 硕士, 主要研究方向为晶体硅太阳电池 、 组件 。2292双层 SiN x 膜多晶硅太阳电池抗 PID 性能研究罗旌旺...
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油 气 、 地 矿 、 电 力 设 备 管 理 与 技 术 China Science 当氮化硅膜的折射率 达大于2.2时,不同PECVD工艺的太阳电池都具有良好的 抗PID性能 [1] 。但是,当折射率不同时,太阳电池的转换效率 差别很大。自从组件使用抗PID的EVA后,组件的抗PID性 能得到了
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