2017年 2月上 抗 PID 高性能太阳能电池技术综述 刘 东 ( 国家知识产权局专利局专利审查协作江苏中心, 江苏 苏州 215000 ) 【 摘 要 】 本文主要针对太阳能电池的抗PID 性能这一技术主题, 利 用 S 系 统 中 的 CNABS 、 CNTXT 、 VEN 、 JPABS 等
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油 气 、 地 矿 、 电 力 设 备 管 理 与 技 术 China Science 当氮化硅膜的折射率 达大于2.2时,不同PECVD工艺的太阳电池都具有良好的 抗PID性能 [1] 。但是,当折射率不同时,太阳电池的转换效率 差别很大。自从组件使用抗PID的EVA后,组件的抗PID性 能得到了
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