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  • 简介:Contents lists available at ScienceDirect Solar Energy Materials and Solar Cells journal homepage www.elsevier.com/locate/solmat High efficiency n-type silicon solar cells with passivating contacts based on PECVD silicon films doped by phosphorus diffusion Di Yan 1 , Sieu Pheng Phang 1 , Yimao Wan, Ch
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  • 简介:© 1994-2007 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved. http//www.cnki.net © 1994-2007 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved. http//www.cnki.net © 1994-2007 China Academic Journal Electronic Publishing House. All righ
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  • 简介:PECVD制备氮化硅薄膜的研究进展 毕业设计(论文) ( 2013 届) 题 目 PECVD制备氮化硅薄膜的研究进展 学 号 1003020147 姓 名 钟建斌 所 属 系 新能源科学与工程学院 专 业 材料加工及技术应用 班 级 10 材料( 1)班 指导教师 胡耐根 新余学院教务处制 PECVD制备氮化硅薄膜的研究进展 目录 摘要 . 1 Abstract 错误未定义书签。 第一章 氮化硅薄膜的性质与制备方法 3 1.1 氮化硅薄膜的性质 3 1.2 与常用减反射膜的比较 4 1.3 氮化硅薄膜的制备方法 . 6 第二章 工艺参数对 PECVD法制备氮化硅减反膜
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  • 简介: centrotherm CESAR Recipe Description PECVD SiNx Deposition Version 2.0 Reg97, CAN EFM CESAR Recipe Description PECVD SiNx 03.11.2009 © centrotherm 1 Version 1.0 Januar 2002 Author Dr. Jan Dirk Kähler Version 2.0 May 2009 Author Tamir Berman PV -Neu\Group_Process\04a - AP-Diffusion
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  • 简介:精曜科技 ARCHERS SYSTEMS www.ArchersSystems.com 精曜科技 S SYSTEMS 精曜科技高效异质结 HJT电 池 量 产关键设备 -PECVD与 RPD 精曜科技 / Archers Systems 副总 经理 陈 麒麟博士 Enabling Innovation, Customization and Differentiation 精曜科技 ARCHERS SYSTEMS www.ArchersSystems.com 精曜科技 Outline 高效率光伏技术 與市場 精曜 异质结太阳能电池 方案 2 精曜科技 ARCHERS SYSTEM
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  • 简介:管式 PECVD 流量对太阳电池氮化硅膜影响的工艺研究 来源深圳市大族光伏科技股份有限公司 作者 李军阳 时间 2011-09-19 氮化硅膜作为晶体硅太阳能电池减反射钝化膜是目前太阳能电池制备的主流,然而由于用 PECVD 来制备的氮化硅膜,是以 SixNyHz 方式来表达的,其中的 x,y,z 的数值直接影响了膜的光学性能和对晶体硅太阳电池表面和体内的钝化作用,因为其数值 对于膜的折射率、消光系数、致密性都有直接的影响,本文的目的就是研究工艺气体流量对膜性能的影响。 摘要本文针对目前国内在太阳能电池行业使用管式 PECVD 沉积氮化硅减反射膜时为了实现均匀性而随 意调整工艺
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  • 简介: PECVD 工艺异常问题汇总 序 号 工艺异常现 象 解决方案 注意事项 1 PE 片子折射率偏高或 偏低 1.检查硅烷和氨气流量计是否损坏。 2.并分别更换硅烷和氨气流量计进行 测试,判断硅烷或氨气输出流量是否 偏高或偏低。 3.更换新的流量计,OK。 如出现类似异常,在更换流量计后, 请不要进行整舟工艺, 若更换的流量 计本身有问题,便会造成整舟返工, 建议先做试验片,待稳定后再做整 舟。 2 片间均匀性较差, 炉口 与炉尾的膜厚差别大。 1.调整工艺的压力值 加大工艺压力, 则气体流动的速度慢,在炉口停留的 时间则长,即可以改变炉口片子的膜 厚。 2.调整辉光功率及脉冲比值则在不
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  • 简介:PECVD ----- 李文 2010-5 第1章 PECVD 原理 1.1 减反射膜光学原理 1.2 PECVD 沉积原理 1.2.1 等离子体概述 1.2.2 薄膜沉积理论 第2章 PECVD 设备 2.1 真空系统 2.1.1 真空 2.1.2 真空获取与检漏 2.2 设备结构 2.2.1 ROTH 单位面积上分子与固体表面碰撞几率变 小;气体分子密度低;剩余气体对沉积膜的掺杂减小。 (2)常用真空单位换算 2. 平均 自由程 (1) 平均自由程 一个 分子每连续与其他两个气体分子碰 撞所走过的路程, 叫做自由程。相当多自由程的平均值叫做平均自由程。 粘滞流 气体分子平均自由程远小
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  • 简介:用于太阳电池的等离子体技术 中科院电工研究所 王文静 用于太阳电池的等离子体技术 PECVD技术 –制备晶体硅太阳电池的减反射和钝化膜 –用于电池片边缘的刻蚀 –非晶硅薄膜制备技术 –非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的制备 磁控溅射技术 –制备晶体硅太阳电池的减反射和钝化膜 –薄膜电池导电薄膜的制备 –薄膜电池电极的制备 制备SiN薄膜的PECVD技术 SiN薄膜的功能 减反射 表面钝化 载流子通过表面的复合 在表面存在大量的悬挂 键,这些悬挂键会在表面 禁带中形成深能级,造成 载流子在表面的复合 电子表面复合速率为 如果硅表面直接暴露在大气中,其 表面复合速率将达到10 5 10
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  • 简介:PECVD 微波产生原理 缪国芳 李佳良 微波功率系统组成 微波功率系统简图 微波电源的功能 磁控头的构造 微波的传导 1微波功率系统组成( 1) 以上为主机通过 CAN通讯方式控制微波电源及 所有磁控头的图列。 2微波功率系统简图( 1) 以上为主机通过通过微波电源控制磁控头产生微波的简图。主要有 3点 1,微波电源 X2与磁控头 X1相连,磁控头灯丝电源供给,磁控头温度保护; 2, X3接头是磁控头检测到反射功率反馈给微波电源; 3, X4为磁控头给微波头磁控管阴极提供受控的负直流高压。 所有指令有主机发出控制,微波电源及磁控头的数据信息最终都反馈给主机。 (图 1) 2微波功率系统
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  • 简介:3 北 京 市 科 技 新 星 计 划 资 助 项 目 H020821480130 收 稿 日 期 2003211206 PECVD 沉 积 氮 化 硅 薄 膜 在 退 火 过 程 中 的 特 性 变 化 及 在 太 阳 电 池 中 的 应 用 3 叶 小 琴 1 许 颖 2 李 艳 1 顾 雅 华 1 周 宏 余 1 王 文 静 2 1北 京 师 范 大 学 低 能 核 物 理 研 究 所 ,100875 ,北 京 ;2北 京 市 太 阳 能 研 究 所 , 100083 ,北 京 ∥ 第 一 作 者 25 岁 ,女 ,硕 士 生 摘 要 采
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