高温退火消除硅片内部空洞实验 （6页）

1 高温退火消除硅片内部空洞实验 . ICedu 狂人 发表于 2007-5-01 0909 来源 SupeSite/X-Space 社区门户将两抛光完好的硅片， 在超净环境中进行键合时发现， 在 200800℃范围内，随着温度的升高，键合界面产生的空洞数量增多，空洞的尺寸变大。而在超过900℃

下载价格：3 金币 / 发布人： 索比杜金泽 / 发布时间：2018-08-21 / 337人气