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1第六章 光刻工艺( Photolithography原理和工艺第六章 光刻工艺引言(基本概念)光刻胶的化学性质与作用光学光刻光学光刻的限制及技术展望第一节 引言 --- 集成电路中的图形2集成电路发展趋势特征尺寸不断缩小 硅圆片直径不断增大提高电路性能 降低生产成本引言 ---...
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感谢所有的原文作者,这里我只是略作整理,希望能对新手有所帮助。光刻工艺光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。 主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上, 为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。 光刻的成本约为整个硅片制造工艺的 1/3,耗费时间...
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第 1 页1 绪论在微电子制造技术中,最为关键的是用于电路图形生产和复制的光刻技术,光刻技术的研究与开发,在每一代集成电路技术的更新中都扮演着技术先导的角色。目前国际微电子领域最引人关注的热点,就是即将到来的光刻技术变革,这一变革将对整个微电子制造技术...
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光刻工艺过程一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。1、硅片清洗烘干( Cleaning and Pre-Baking )方法湿法清洗+去离子水冲洗+脱水烘焙(热板 150~ 2500C,1~ 2分 钟 ,氮气保护)目的 ...
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光刻实验一.实验目的了解光刻在集成电路工艺中的作用,熟悉光刻工艺的步骤和操作。二.实验原理光刻是一种复印图象与化学腐蚀相结合的综合性技术, 它先采用照像复印的方法,将光刻掩模板上的图形精确地复制在涂有光致抗蚀剂的 SiO2 层或金属蒸发层上,在适当波长光...
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光刻工艺认识实验报告一、光刻工艺操作1.硅片清洗和表面处理这个步骤由助教老师完成。所用硅片尺寸 2 英寸,厚度为 400μ m,单面抛光。掺杂类型 p 型。2.涂胶匀胶机第一、二级转速和各转速的运转时间由助教提前设置好。分别为 第一级转速 500n/min, 时间为 3 秒; ...
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光刻工艺 4---- 掩膜板 /光罩xixi78 发表于 2008-5-06 1956 来源 半导体技术天地掩膜板 / 光罩( Photo Mask/Reticle )硅片上的电路元件图形都来自于版图,因此掩膜板的质量在光刻工艺中的扮演着非常重要的角色。1、掩膜板的分类光掩膜板( Photo M
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光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。 主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上, 为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。 光刻的成本约为整个硅片制造工艺的 1/3 ,耗费时间约占整个硅片工艺的 40~ 60。光刻机是生产线上最贵的机台, 5~ 15 百万...
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