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氮化硅膜折射率对多晶硅太阳能电池抗PID性能影响-张红妹-英利能源.pdf

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氮化硅膜折射率对多晶硅太阳能电池抗PID性能影响-张红妹-英利能源.pdf （1页）

油气、地矿、电力设备管理与技术 China Science 当氮化硅膜的折射率达大于2.2时，不同PECVD工艺的太阳电池都具有良好的抗PID性能 [1] 。但是，当折射率不同时，太阳电池的转换效率差别很大。自从组件使用抗PID的EVA后，组件的抗PID性能得到了

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关于PID现象对光伏组件影响的研究

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关于PID现象对光伏组件影响的研究（6页）

http//www.paper.edu.cn - 1 - 中国科技论文在线关于 PID 现象对光伏组件影响的研究金鹏，朱亦鸣 *作者简介金鹏（ 1980-），男，工程师，主要研究方向集成电路方向 . E-mail wsjinpp163.com （上海交通大学微电子学院，上海 200240）5 摘

下载价格：3 金币 / 发布人：情深不寿ゞ / 发布时间：2018-08-27 / 307人气

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