NTC_PV600	2018-08-15
	目录序1 半导体硅简介2 半导体物理特性简介3 数控多线切割机浅谈4 太阳能电池产业现状5 我国硅片供应商龙虎榜6 切片的原理及过程7 太阳能硅片切割技术七大手法8 常见主辊的图形9 线网断线分析方法10 料浆工艺11 光复行业基础知识12 硅片切割常见问题12-1 硅片厚薄不均预防措施12-2 粘接面毛边12-3 小崩边产生原因12-4
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	n-p型高效异质结太阳能电池的模拟	2018-08-15
	武汉理工大学专业课程设计 3（半导体物理）课程设计说明书目录1 技术要求 1 2 基本原理 1 2.1 软件支持 1 2.2 n-p 型异质结原理及相关特性 . 1 2.3 异质结太阳电池原理 2 3 参数描述 2 3.1 物理模型 2 3.2 主要测量参数描述 3 4 调试过程及结论 4 4.1 太阳电池相关参数的设定 4 4.2 发射层厚度对电池性能的影响 6 4.3
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	半导体	2018-08-15
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	Si单晶太阳能电池生产实习报告	2018-08-15
	1 Si 单晶太阳能电池生产实习报告一、实践目的学习 Si 太阳能电池片的制造工艺原理，初步了解和掌握太阳能电池的整个生产制造流程的工艺技术。 学习每个工艺的目的和作用， 工艺原理、 具体工艺参数。 熟悉半导体工艺设备半导体制造工艺技术以及工艺过程测试与分析方法， 并学以致用、理论联系实际，巩固和理解所学的理论知识。另外，培养在实际生产过程中发现问题、分析问题、解决问题和独立工作的能力，增强综合
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	A太阳能电池概述	2018-08-15
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	028-洛阳麦斯克-张倩-工业生产中温度液温度对硅片颗粒度的影响	2018-08-15
	工业生产中清洗液温度对硅片颗粒度的影响张倩 熊诚雷 齐旭东 史舸 崔小换（洛阳麦斯克电子材料有限责任公司 洛阳 471009）摘要介绍了 RCA 清洗液组成、特点及原理 ;研究在不同温度下， RCA 清洗的SC-1 溶液对颗粒去除的影响，得出工业生产中较合适的清洗温度。关键字硅片； RCA 清洗；温度；Effect of cleaning solution temperature on wa
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	单晶硅电池片工艺(20180723115919)	2018-08-15
	单晶硅电池片工艺（初稿）工艺流程图硅片检验→硅片插入片盒→去除损伤层→制绒面→淋洗→中和→三级串连阶梯式清洗→烘干→扩散→周边刻蚀→硅片插入片盒→去除氧化层→三级串连阶梯式清洗→烘干→制备氮化硅→背面银铝浆→烘干→背面铝浆→烘干→正面银浆→烧结→测试分选→检验入库1． 单晶硅片质量检验标准1． 1 外观检验1． 1． 1 基片大小 1253 125mm± 0.5mm 1． 1． 2
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	半导体工艺整理.	2018-08-15
	半导体工艺1 三．热分解淀积氧化热分解氧化薄膜工艺是利用含硅的化合物经过热分解反应， 在硅片表面淀积一层二氧化硅薄膜的方法。 这种方法的优点是 基片本身不参与形成氧化膜的反应， 而仅仅作为淀积二氧化硅氧化膜的衬底。 衬底可以是硅也可以不是硅而是其它材料片。 如果是硅片， 获得二氧化硅膜也不消耗原来衬底硅， 而保持硅片厚度不变，这是与热氧化法最根本的区别。因为这种方法可以在较低的温度下应用，
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	单晶硅太阳能电池板详细参数	2018-08-15
	单晶硅太阳能电池板，铝合金边框，钢化玻璃面板 详细参数 单晶硅太阳能板 100W 尺寸 963x805x35MM 净重 11KGS 工作电压 33.5V 工作电流 2.99A 开路电压 41.5V 短路电流 3.57A 蓄电池 24v 二、产品特点 采用平均转换效率在 15以上的优质单晶硅太阳电池单片，具有优良的弱光响应性能，符合 IEC61215 和电气保护 II 级标准。
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	PLD方法在制备量子点太阳能电池中的应用进展	2018-08-15
	龙源期刊网 http//www.qikan.com.cn PLD 方法在制备量子点太阳能电池中的应用进展作者孙爽来源中国科技纵横 2015 年第 05 期【摘 要】 脉冲激光沉积技术（ PLD ）是一种可以在纳米线上直接沉积量子点的温和清洁且有效的方式。 PLD 制备的量子点在空气中稳定性高。与传统的胶体液相合成法，连续的有机层吸附反应（ SILAR ），化学浴沉积（ CBD ），原
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