硅片质量特性

硅片质量特性1.1 厚度 T 在给定点处垂直于表面方向穿过晶片的距离称为晶片的厚度。 标称厚度指硅片中心点的厚度。 1.2 总厚度变化（ TTV ） 在厚度扫描或一系列点的厚度测量中，最大厚度与最小厚度之间的绝对差值为该晶片的总厚度变化，即 TTV 值。 TTVTmax-Tmin 1.3 弯曲度（ BOW ） 弯曲度是硅片中线面凹凸形变的量度。它是硅片的一种体性质，与可能存在的任何厚度变化无关。 中线面也称中心面，即硅片正、反面间等距离点组成的面。 1.4 翘曲度（ Warp） 翘曲度是硅片中线面与一基准平面偏离的量度，即硅片中线面与一基准平面之间的最大距离与最小距离的差值。它是硅片的一种体性质，与可能存在的任何厚度变化无关。 翘曲度较弯曲度更能全面反映硅片的形变状态。 1.5 直径 横越圆片表面，通过晶片中心点且不包含任何参考面或圆周基准区的直线距离称为直径 1.6 公差 公差指加工中所允许的最大极限尺寸与最小极限尺寸之差值。也可以说是上偏差与下偏差之和。 公称尺寸与最大极限尺寸之差称为上偏差；公称尺寸与最小极限尺寸之差称为下偏差。 1.7 沾污 沾污指硅片表面上，只凭目测可见到的众多名目外来异物的统称。 大多数情况下，沾污可通过吹气，洗涤剂清洗或化学作用去除掉。 （硅片加工中常见的有粉末、微粒、溶剂残留物、镊子及夹具痕迹、蜡、油污等各种类型的沾污） 。 1.8 色斑 色斑是一种化学性的沾污，除非进一步的研磨或抛光，一般不能去除。 1.9 崩边 崩边指硅片表面或边缘非穿通性的缺损。 1.10 缺口 一种完全贯穿硅片厚度区域的边缘缺损称为缺口。 1.11 裂纹 延伸到硅片表面的解理或裂痕，它可能贯穿，也可能不贯穿硅片厚度区域。 1.12 划道 硅片表面机械损伤造成的痕迹，一般为长而窄的浅构槽。 1.13 刀痕 线痕 硅片表面一系列半径为刀具半径的曲线状凹陷或隆起称为刀痕。 线切割过程中由于钢线运动形成的凹凸痕迹称为线痕 . 1.14 小坑（蚀坑） ，凹坑 小坑，硅片表面上一种具有确定形状的凹陷。坑的斜面、坑和片子表面的界线是清晰的。 凹坑，硅片表面具有渐变斜面呈凹球状的凹陷。也叫弧坑。 1.15 波纹 在大面积漫射光照射下肉眼可见的晶片表面不平坦外貌。 1.16 型号 型号指半导体晶体的导电类型。主要为电子导电的称为 N 型，主要以空穴导电的称为 P 型。 1.17 电阻率 电阻率是一个表征物质导电性能的物理量， 也可以说是物质对电流阻碍作用的量度。 规定以长 1cm，截面积为 1cm2 的物体在一定温度时的电阻值作为该物质在这个温度时的电阻率，单位为 Ω cm。 通常以硅片中心点的电阻率作为该硅片的标称电阻率。 1.18 径向电阻率变化 硅片各点电阻率变化的量度称为径向电阻率变化，也称电阻率不均匀性。 1.19 电阻率条纹 电阻率条纹也叫杂质条纹，是拉晶期间，由于旋转的固、液面上存在不均匀性而引起的局部电阻率变化，这种变化呈同心圆状或螺旋状条纹，反映了杂质浓度的周期性变化。 电阻率条纹在放大 150 倍时观察呈现连续性。1.20 晶向 晶体中任意两结点间连线所指的方向称为晶向。 结点原子、分子或原子团等所处的位置。 在立方晶系中，晶向总是垂直于相应的晶面的。 1.21 晶向偏离度 偏离某一指定晶向的度数称为晶向偏离度。 1.22 位错 位错是晶体结构中具有一定特殊性质的线缺陷。 在位错线附近， 原子发生严重错排。立方晶系中几个晶面和晶向的关系 1.23 氧化层错 由原生晶体的体层错或加工中的表面损伤，在高温氧化时诱导产生的表面层错称为氧化层错。 1.24 漩涡 漩涡是一种结构缺陷，经择优腐蚀后呈肉眼可见的螺旋状或同心圆状的特征。放大150 倍时呈现不连续性。 1.25 寿命 寿命指少数载流子产生与复合之间的平均时间间隔。更确切些说，是晶体中全部过剩载流子的 1-1/e（即 63.2）已经复合的时间。 1.26 平整度 平整度是硅片的一种表面性质，它被定义为硅片表面对一个虚构的近似平等的基准平面的最大偏离。 平整度可以用两个参数来表示，即总指示读数（ TIR ）和焦平面偏差（ FPD） 。 TIR为硅片表面最高点与最低点之差，即峰谷差值； FPD 则是片表面最高点或最低点偏离基准平面的最大值。思考题 1、硅片的厚度（ T） 、总厚度变化（ TTV ）和厚度公差有什么联系与不同 2、在硅单晶中，晶向总是垂直于相应的晶面吗 3、 P 型硅单晶主要是靠空穴导电吗它的少数载流子是什么