硅片清洗过程

太阳能电池硅片清洗过程制绒 -扩散 -刻蚀 -清先 去 PSG-沉积减反射膜 -丝网印刷 -烧结 -分选 -组装以下为制绒工艺1、去损伤层目的用高温 NaOH 或 KOH 去除硅表面的切割损伤层，划痕、手印、杂质等要求浓度 20，温度 80C，时间 5min 达到硅片表面减薄 10-20μ m 注意事项 1、浓度保证为 20，要求有补液槽，补充每次清洗的消耗。2、 80C 温度要有加热管。3、 30S 时间准确控制。4、有自动盖，减少挥发。2、温水隔离目的稀释硅表面或洗篮上残留的碱液。要求水 50C，时间 5min 达到浓碱被稀释注意事项 1、要有鼓泡2、鼓泡要均匀3、换水 a、溢流 1-2 方 /小时，快排 7S， 30S 上水，补水管口径 1 寸，水压 2kg。3、 A 单晶制绒面目的通过高温低浓度的 NaOH/KOH 将硅表面腐蚀出均匀的金字塔型表面，减少硅片对光的反射。要求在浓度为 3左右时，在 80C 上下的温度，约 25min 增加一定量的乙醇，加快溶液反应，起到消除气泡的作用。达到硅片表面形成金字塔，大小均匀，单体尺寸 2-10μ m 之间，相邻金字塔之间没有空隙的完整绒面。工艺要求有鼓泡，有加热管，循环泵，使溶液均匀，温度均匀，浓度均匀。注意事项 a、浓度、温度和清洗时间有一定的比例。b、在制绒过程中不能有鼓泡。c、测温点靠近硅片中部。d、从制绒槽到水洗槽的时间控制在 20s 以内。 （否则在高温状态下残留的碱液会挥发留下硅表面。B 多晶制绒目的通过恒定温度，较高浓度的酸液制绒（ HNO3HF ）要求浓度 60左右温度 15-20C，时间 3-4min 达到硅片表面形成金字塔，大小均匀，单体尺寸 2-10μ m 之间，相邻金字塔之间没有空隙的完整绒面。注意事项 a、硅与酸反应是放热过程，需要降温，制冷。b、有循环泵和溢流，保证温度。工艺流程注酸放料排酸注水喷淋鼓泡提料排水注酸c、加自动盖和喷淋 HNO3HF 在高温下有很强的挥发性，有害酸气会会腐蚀设备和损害人体，加盖保护。d、喷淋在酸洗条件下，硅片容易干掉，排酸后要立刻喷淋，防止硅片干。e、不能让酸泄漏，洗槽材质先用 PVDF 。4、水洗目的洗掉留在硅片上的酸液或碱液要求纯水温度 50C，时间 5min（目的减少硅片速热速冷产生裂痕）达到硅片表面干净，稀释溶液。注意事项 a、增加鼓泡，鼓泡要均匀，减少槽内死角。b、增加速排，速进。工艺流程注水入料鼓泡排水注水鼓泡提料注水5、水漂洗目的二次清洗硅片或清洗篮残留溶液。要求常温、纯水、时间 5min 达到清洗干净注意事项 a、有鼓泡、溢流b、使水流至上一工位使用6、酸碱中和目的洗掉上一工位未能彻底清洗的溶液残留，酸碱中和要求较低浓度的酸 /碱，温度常温（加热一定温度更好）达到硅片表面 PH 值尽可能接近正常7、水洗目的洗掉上一工位残留的酸 /碱要求常温、时间 5min 8、 HF 清洗目的除去硅片上的重金属离子要求浓度 10左右，常温，时间 5min 达到硅片去除重金属离子，便于扩散9、水洗目的洗掉上一工位残留的酸 /碱要求常温、时间 5min 10、水漂洗目的二次清洗硅片或清洗篮残留溶液。要求常温、纯水、时间 5min 达到清洗干净注意事项 a、有鼓泡、溢流b、使水流至上一工位使用11、预脱水目的高洁净纯水（ 18ω超纯水）加热后的表面张力将硅片表面的水珠去除 ,再烘干 ,可减少水珠残留造成的水痕要求水温在 60-70C，提拉速度 1.5-2mm/s 达到硅片表面无白点和花点注意事项 a、提拉时水面静止b、水一定要干净，并且不能有气泡，热水在副槽加热。c、水温控制到没有蒸汽最好， 80C 时，水的表面张力最好，但 80C 水有蒸汽，硅片会再次被打湿。d、加热后工件表面预热晚脱水12、烘干目的 通过高洁净的空气或氮气加热后对硅片与清洗篮之间的夹角， 或脱水不到的地方进行干燥。要求 80C， 5min 达到硅片和篮子各处干燥制绒面有 4 个槽，是为了缩短工艺时间，循环作业方式。去 PSG 工艺1、 HF 清洗目的通过 HF 将扩散后在硅表面形成的一层磷硅玻璃腐蚀掉要求 10HF,5min 2、水洗目的洗掉 HF 要求常温、鼓泡3、水洗目的洗掉上一工位残留的酸 /碱要求常温、时间 5min 4、预脱水5、烘干