硅片清洗、刻蚀

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硅片清洗、刻蚀

标准 RCA清洗操作流程 Standard RCA cleaning operating procedure化学溶剂溶剂配比清洗温度时间1 H2SO4H2O2 SPM 41 120℃ 5 min2 D.I. H 2O 室温3 HFH 2O DHF 150 室温 1 min4 D.I. H 2O 室温5 NH4OHH2O2H2O SC1 115 70-80℃ 10 min6 D.I. H 2O 室温7 HFH 2O DHF 150 室温 1 min8 D.I. H 2O 室温9 HClH 2O2H2O SC2 116 70-80℃ 10 min10 D.I. H 2O 室温11 HFH 2O DHF 150 室温 30 sec12 氮气枪吹干Radio Corporation of America清除之污染有机污染物 SC-33号液洗清有机物及原生氧化层去除洗清P微尘 SC-11号液洗清洗清洗清金属离子 SC-22号液洗清洗清

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