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硅片加工技术(20180720150853)

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硅片加工技术(20180720150853)

硅片加工技术链接 www.china-nengyuan.com/baike/1690.html硅片加工技术内容简介硅片加工技术在介绍半导体硅的物理、化学和半导体性质的基础上,全面、系统地介绍了满足集成电路芯片工艺特征尺寸线宽 0.13 ~ 0.10um工艺用优质大直径硅单晶、抛光片以及用于制备硅太阳能电池的硅晶片的制备技术、工艺、设备和相关国内外标准。硅片加工技术可供致力于从事半导体材料硅晶片加工技术工作领域的科技人员、工程技术人员、工人阅读参考,也可供企业管理人员或在校学生和热爱半导体材料硅的各界人士参考。编辑推荐硅片加工技术是由化学工业出版社出版的。目 录第一篇 基础知识第 1章 概述第 2章 硅的物理、化学及其半导体性质2.1 硅的基本物理、化学性质2.2 半导体硅的物理、化学性质2.2.1 半导体硅的晶体结构2.2.2 半导体硅的电学性质2.2.3 半导体硅的光学性质2.2.4 半导体硅的热学性质2.2.5 半导体硅的力学性能2.2.6 半导体硅的化学性质2.2.7 半导体材料的 p-n 结特性第二篇 集成电路用硅晶片的制备第 3章 硅晶片的制备3.1 对集成电路( IC)用硅单晶、抛光片的技术要求3.2 半导体材料的纯度3.3 控制硅片质量的主要特征参数及有关专用技术术语解释3.3.1 表征硅片加工前的内在质量的特性参数3.3.2 表征硅片加工后的几何尺寸精度的特性参数页面 1 / 4硅片加工技术链接 www.china-nengyuan.com/baike/1690.html3.3.3 硅片质量控制中几个有关专用技术术语3.4 硅晶片加工的工艺流程3.5 硅单晶棒(锭)的制备3.5.1 直拉单晶硅的生长3.5.2 区熔硅单晶的生长3.6 硅晶棒(锭)的截断3.7 硅单晶棒外圆的滚磨(圆)磨削3.8 硅单晶片定位面加工3.9 硅单晶棒表面的腐蚀3.10 硅切片3.11 硅片倒角3.12 硅片的双面研磨或硅片的表面磨削3.13 硅片的化学腐蚀3.14 硅片的表面处理3.14.1 硅片表面的热处理3.14.2 硅片背表面的增强吸除处理3.15 硅片的边缘抛光3.16 硅片的表面抛光3.16.1 硅片的表面抛光加工工艺3.16.2 硅片的碱性胶体二氧化硅化学机械抛光原理3.16.3 硅片的多段加压单面抛光工艺3.16.4 抛光液3.16.5 抛光布3.16.6 硅片表面的粗抛光3.16.7 硅片表面的细抛光警3.16.8 硅片表面的最终抛光3.17 硅片的激光刻码3.18 硅片的化学清洗3.18.1 硅片的化学清洗工艺原理3.18.2 美国 RCA清洗技术3.18.3 新的清洗技术3.18.4 使用不同清洗系统对抛光片进行清洗3.18.5 抛光片清洗系统中硅片的脱水、干燥技术3.19 硅抛光片的洁净包装3.20 硅片包装盒及硅片的运、载花篮、容器清洗系统3.20.1 硅片包装盒及硅片的运、载花篮、容器清洗系统3.20.2 硅片运、载系统其他相关的工装用具第 4章 其他的硅晶片4.1 硅外延片4.1.1 外延的种类4.1.2 外延的制备方法4.1.3 化学汽相外延原理4.1.4 硅外延系统4.2 硅锗材料4.3 硅退火片4.4 绝缘层上的硅第 5章 硅单晶、抛光片的测试5.1 硅片主要机械加工参数的测量5.2 硅单晶棒或晶片的晶向测量5.3 导电类型(导电型号)的测量5.4 电阻率及载流子浓度的测量5.5 少子寿命测量5.6 氧、碳浓度测量页面 2 / 4硅片加工技术链接 www.china-nengyuan.com/baike/1690.html5.7 硅的晶体缺陷测量5.8 电子显微镜和其他超微量的分析技术第三篇 太阳能电池产业用硅晶片的制备第 6章 太阳能电池用硅晶片基础知识6.1 太阳能光电转换原理光生伏特效应6.2 太阳能电池晶片的主要技术参数6.3 太阳能光伏产业用硅系晶体材料6.3.1 直拉单晶硅棒(锭)6.3.2 铸造多晶硅(锭)6.4 晶体硅太阳能电池晶片的结构第 7章 太阳能电池用硅晶片的制备技术7.1 太阳能电池产业用硅晶片的技术要求7.2 太阳能电池用硅晶片的加工工艺流程7.3 太阳电池用的硅晶片的加工过程7.4 太阳电池用的硅晶片的加工技术7.5 太阳电池组件装置的生产工艺过程7.6 太阳能电池的应用第四篇 半导体硅晶片加工厂的厂务系统要求第 8章 洁净室技术8.1 洁净室空气洁净度等级及标准8.2 洁净室在半导体工业中适用范围8.3 洁净室的设计8.4 洁净室的维护及管理第 9章 半导体工厂的动力供给系统9.1 电力供给系统9.2 超纯水系统9.2.1 半导体及 IC工业对超纯水的技术要求9.2.2 超纯水的制备9.3 高纯化学试剂及高纯气体9.3.1 半导体工业用的高纯化学试剂9.3.2 高纯气体9.4 三废(废水、废气、废物)处理系统及相关安全防务系统参考文献序 言当今社会已经进入电子信息时代,微处理芯片的发明彻底改变了世界,微电子、信息技术的水平已被视为一个国家现代化水平高低的重要标志。单晶硅( Si )材料是半导体工业的基础,在微电子信息( IC)产业和太阳能光伏( PV)产业中,从事半导体硅集成电路和半导体硅晶片加工领域的工程技术人员,都必须深入了解半导体硅材料的基本性质及其加工技术。随着大规模集成电路技术的不断发展,目前 IC技术已迈进了特征尺寸线宽小于 45nm的纳米电子时代,对硅单晶、抛光片加工的技术要求也愈来愈高,其尺寸也将由直径 150mm( 6in )、直径 200mm( 8in )向直径 300mm( 12in )发展。并且随着太阳能光伏产业的迅速发展,对太阳能电池用的硅晶片加工技术也有了新的要求。国内外虽有一些关于半导体硅单晶的制备、性能和质量控制的研究及相关技术文献报道,但对有关半导体硅单晶抛光片及用于制备太阳能电池硅晶片的加工技术、质量控制等相关技术的综合、系统报道甚少,使得许多从事半导体硅晶片加工领域的工程技术人员,苦于无一综合、有系统的专业书籍以供学习参考之用。为了满足广大科研、工程技术及企业管理人员的需要,编者已将自己多年来的一些工作体会,以及在国内外看到的页面 3 / 4硅片加工技术链接 www.china-nengyuan.com/baike/1690.html、学习得到的、所积累的有关半导体硅单晶抛光片加工技术方面的知识整理成硅单晶抛光片的加工技术一书。并结合太阳能电池用硅晶片的加工技术,对原硅单晶抛光片的加工技术一书中的内容进行了增删、重新整理,新编著了本书,以提供给致力于从事半导体硅晶片加工领域的工程技术人员、企业管理人员和在校学生参考,希望能起到抛砖引玉的作用。本书在内容上采取由浅人深的方式,在介绍半导体硅的物理、化学性质等有关基本知识的同时,结合对微电子信息产业中、满足芯片工艺特征尺寸线宽小于 O.13~ 0.10um IC 工艺用优质大直径硅单晶、抛光片的加工工艺、技术及所需的相关工艺设备等进行了全面系统的介绍。同时也对太阳能光伏产业中用于制备太阳能电池的硅晶片加工工艺、技术作了介绍。本书在编写期间,不少朋友和同事提供了宝贵的意见和资料。书中还介绍了许多国内外著名的半导体行业公司、厂商的产品和相关行业标准,在此一并致谢由于编者水平有限,书中不足之处欢迎广大读者批评指正。原文地址 http//www.china-nengyuan.com/baike/1690.html页面 4 / 4

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