硅片腐蚀和抛光工艺

硅片腐蚀和抛光工艺链接 www.china-nengyuan.com/baike/2275.html硅片腐蚀和抛光工艺硅片腐蚀工艺的化学原理硅表面的化学腐蚀一般采用湿法腐蚀，硅表面腐蚀形成随机分布的微小原电池，腐蚀电流较大，一般超过 100A/cm2，但是出于对腐蚀液高纯度和减少可能金属离子污染的要求，目前主要使用氢氟酸（ HF），硝酸（ HNO3）混合的酸性腐蚀液，以及氢氧化钾（ KOH）或氢氧化钠（ NaOH）等碱性腐蚀液。现在主要用的是 HNO3-HF腐蚀液和 NaOH腐蚀液。下面分别介绍这两种腐蚀液的腐蚀化学原理和基本规律。1.HNO3-HF腐蚀液及腐蚀原理通常情况下，硅的腐蚀液包括氧化剂（如 HNO3）和络合剂（如 HF）两部分。其配置为浓度为 70的 HNO3和浓度为 50的 HF以体积比 10～ 21 ，有关的化学反应如下3Si4HNO33SiO2↓ 2H2O4NO↑硅被氧化后形成一层致密的二氧化硅薄膜，不溶于水和硝酸，但能溶于氢氟酸，这样腐蚀过程连续不断地进行。有关的化学反应如下SiO26HFH2［ SiF6 ］ 2H2O2.NaOH腐蚀液 在氢氧化钠化学腐蚀时，采用 10％～ 30％的氢氧化钠水溶液，温度为 80～ 90℃，将硅片浸入腐蚀液中，腐蚀的化学方程式为Si ＋ H2O2NaOHNa2SiO32H2↑对于太阳电池所用的硅片化学腐蚀，从成本控制，环境保护和操作方便等因素出发，一般用氢氧化钠腐蚀液腐蚀深度要超过硅片机械损伤层的厚度，约为 20～ 30um。原文地址 http//www.china-nengyuan.com/baike/2275.html页面 1 / 1