多晶硅硅片生产流程

多晶硅硅片生产流程1 洗料为得到纯净的多晶硅原料， 须将多晶硅原料清洗， 去除杂质和油污。 将多晶硅料放入氢氟酸和硝酸中浸泡， 然后用高纯水多次清洗， 清洗干净后进入下一道工序。b、烘料将清洗干净的多晶硅原料放入烘箱中烘干。c、装袋烘干后的多晶硅原料按型号、电阻率分别包装。d 、配料根据生产需要将不同电阻率的多晶硅料加入母合金配制成符合要求的原料。（ 2）多晶铸锭阶段a、准备阶段经减压、放气后打开炉盖，清洁炉壁及石墨件，将清洗好的石英坩埚装入炉内。b、投料将配制好的多晶硅料 500 公斤装入石英坩埚中，合上炉盖。检查水和泵油情况，正常后进入下一工序。c、抽真空密封炉盖后启动真空泵，将炉体内抽成真空，然后充入氩气。d、化料将坩埚加热到 1420℃以上将多晶料融化。e、定向凝固多晶料全部融化后开始凝固多晶， 开始时多晶每分钟生长 0.8 mm～ 1.0 mm, 长晶速度由工作台下移速度及冷却水流量控制， 长晶速度近于常速， 硅锭长度受设备及坩埚高度限制，当硅锭达到工艺要求时，凝固结束。停机使多晶炉降，约四个小时后将多晶锭取出。f 、检验检验多晶锭的电阻率、 寿命及氧炭含量， 合格的进入下一道工序， 不合格的作标记切断，部分可以回收重新铸锭。（ 3）切片a. 多晶硅锭将铸锭生产工序检测的硅锭清洗干净b. 切方将硅锭固定在切方机上，要完全水平。固定好后切成方棒（ 6 英寸 125mm 125mm； 8 英寸 156mm 156mm）。c. 抛光将切好的方棒在抛光机上抛光。e. 清洗粘胶将切方抛光好的方棒用超声波清洗机清洗干净后，粘在工件板的玻璃板上。f. 切片将粘好硅棒的工件板按在切片机上（ 4 根），将硅片切成 180 微米厚的硅片。g. 脱胶将切割好的粘在玻璃板上的硅片用 70 度的热水将硅片与玻璃板分离h. 清洗将脱过胶的硅片插在硅片盒中在超声波清洗机中清洗。清洗时先在常清水中清洗，然后在放有清洗剂的 70 度热水中清洗，最后在常清水中清洗。i. 甩干将经过清洗的硅片连盒插在甩干机的甩干工位上甩干。j. 检片将甩干好的硅片检测硅片 TV 和 TTV 及表面洁净度，并将硅片按等级分类。k. 包装该工艺方案具有简单，易操作，产品成品率高等特点。