单晶硅片制作工艺流程

单晶硅电磁片生产工艺流程 1、硅片切割，材料准备 工业制作硅电池所用的单晶硅材料，一般采用坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割成方形硅片（或多晶方形硅片） ，硅片的边长一般为 1015cm，厚度约200350um，电阻率约 1Ω .cm的 p 型（掺硼） 。 2、去除损伤层 硅片在切割过程会产生大量的表面缺陷， 这就会产生两个问题，首先表面的质量较差，另外这些表面缺陷会在电池制造过程中导致碎片增多。因此要将切割损伤层去除，一般采用碱或酸腐蚀，腐蚀的厚度约 10um。3、制绒 制绒，就是把相对光滑的原材料硅片的表面通过酸或碱腐蚀，使其凸凹不平，变得粗糙，形成漫反射，减少直射到硅片表面的太阳能的损失。对于单晶硅来说一般采用 NaOH 加醇的方法腐蚀，利用单晶硅的各向异性腐蚀，在表面形成无数的金字塔结构，碱液的温度约 80 度，浓度约 12，腐蚀时间约 15分钟。对于多晶来说，一般采用酸法腐蚀。4、扩散制结 扩散的目的在于形成 PN 结。普遍采用磷做 n 型掺杂。由于固态扩散需要很高的温度，因此在扩散前硅片表面的洁净非常重要，要求硅片在制绒后要进行清洗，即用酸来中和硅片表面的碱残留和金属杂质。5、边缘刻蚀、清洗 扩散过程中，在硅片的周边表面也形成了扩散层。周边扩散层使电池的上下电极形成短路环，必须将它除去。周边上存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降， 以至成为废品。目前，工业化生产用等离子干法腐蚀，在辉光放电条件下通过氟和氧交替对硅作用，去除含有扩散层的周边。扩散后清洗的目的是去除扩散过程中形成的磷硅玻璃。6、沉积减反射层 沉积减反射层的目的在于减少表面反射，增加折射率。广泛使用 PECVD 淀积 SiN ,由于 PECVD 淀积 SiN 时 ,不光是生长 SiN作为减反射膜 ,同时生成了大量的原子氢 ,这些氢原子能对多晶硅片具有表面钝化和体钝化的双重作用 ,可用于大批量生产。7、丝网印刷上下电极 电极的制备是太阳电池制备过程中一个至关重要的步骤， 它不仅决定了发射区的结构，而且也决定了电池的串联电阻和电池表面被金属覆盖的面积。 ，最早采用真空蒸镀或化学电镀技术，而现在普遍采用丝网印刷法，即通过特殊的印刷机和模版将银浆铝浆（银铝浆）印刷在太阳电池的正背面，以形成正负电极引线。 8、共烧形成金属接触 晶体硅太阳电池要通过三次印刷金属浆料， 传统工艺要用二次烧结才能形成良好的带有金属电极欧姆接触，共烧工艺只需一次烧结，同时形成上下电极的欧姆接触。在太阳电池丝网印刷电极制作中，通常采用链式烧结炉进行快速烧结。 9、电池片测试 完成的电池片经过测试分档进行归类。