逆变器的工作原理(20180723173814)

逆变器的工作原理1.直流电可以通过震荡电路变为交流电2.得到的交流电再通过线圈升压（这时得到的是方形波的交流电）3.对得到的交流电进行整流得到正弦波AC-DC 就比较简单了 我们知道二极管有单向导电性可以用二极管的这一特性连成一个电桥让一端始终是流入的 另一端始终是流出的这就得到了电压正弦变化的直流电 如果需要平滑的直流电还需要进行整流 简单的方法就是连接一个电容Inverter 是一种 DC to AC 的变压器，它其实与 Adapter 是一种电压逆变的过程。 Adapter 是将市电电网的交流电压转变为稳定的 12V 直流输出，而 Inverter 是将 Adapter 输出的 12V 直流电压转变为高频的高压交流电；两个部分同样都采用了目前用得比较多的脉宽调制（ PWM ）技术。其核心部分都是一个 PWM 集成控制器， Adapter 用的是 UC3842 ， I nverter 则采用 TL5001 芯片。 TL5001 的工作电压范围 3.6～ 40V，其内部设有一个误差放大器，一个调节器、振荡器、有死区控制的 PWM 发生器、低压保护回路及短路保护回路等。以下将对 Inverter 的工作原理进行简要介绍输入接口部分输入部分有 3个信号， 12V 直流输入 VIN 、工作使能电压 ENB 及 Panel 电流控制信号 DIM 。 VIN 由Adapter 提供， ENB 电压由主板上的 MCU 提供， 其值为 0或 3V， 当 ENB0 时， Inverter 不工作， 而 ENB3V时， Inverter 处于正常工作状态；而 DIM 电压由主板提供，其变化范围在 0～ 5V 之间，将不同的 DIM 值反馈给 PWM 控制器反馈端， Inverter 向负载提供的电流也将不同， DIM 值越小， Inverter 输出的电流就越大。电压启动回路ENB 为高电平时，输出高压去点亮 Panel 的背光灯灯管。PWM 控制器有以下几个功能组成内部参考电压、误差放大器、振荡器和 PWM 、过压保护、欠压保护、短路保护、输出晶体管。直流变换由 MOS 开关管和储能电感组成电压变换电路， 输入的脉冲经过推挽放大器放大后驱动 MOS 管做开关动作，使得直流电压对电感进行充放电，这样电感的另一端就能得到交流电压。LC 振荡及输出回路保证灯管启动需要的 1600V 电压，并在灯管启动以后将电压降至 800V 。输出电压反馈当负载工作时，反馈采样电压，起到稳定 Inventer 电压输出的作用。其实你可以想象一下了 .都有那些电子元件需要正负极 , 电阻 ,电感一般不需要 .二极管一般坏的可能就是被击穿只要电压正常一般是没有问题的 ,三极管的话是不会导通的 .稳压管如果正负接反的话就会损坏了 ,但一般有的电路加了保护就是利用二极管的单向导通来保护 . 在就是电容了 ,电容里有正负之分的就是电解电容了 ,如果正负接反严重的话其外壳发生爆裂 . 主要元件二极管 .开关管振荡变压器 .取样 .调宽管 .还有振荡回路电阻电容等参开关电路原理 . 逆变器的主功率元件的选择至关重要，目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管（ BJT） ，功率场效应管（ MOSFET ） ，绝缘栅晶体管（ IGBT ）和可关断晶闸管（ GTO ）等，在小容量低压系统中使用较多的器件为 MOSFET ，因为 MOSFET 具有较低的通态压降和较高的开关频率，在高压大容量系统中一般均采用 IGBT 模块，这是因为 MOSFET 随着电压的升高其通态电阻也随之增大，而 IGBT 在中容量系统中占有较大的优势，而在特大容量（ 100KV A 以上）系统中，一般均采用 GTO 作为功率元件大件场效应管或 IGBT 、变压器、电容、二极管、比较器以及 3525 之类的主控。交直交逆变还有整流滤波。 功率大小和精度， 关系着电路的复杂程度。 可以看一下手机充电器，这就是一个小开关电源IGBT （绝缘栅双极晶体管）作为新型电力半导体场控自关断器件，集功率 MOSFET 的高速性能与双极性器件的低电阻于一体， 具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压， 承受电流大等特性，在各种电力变换中获得极广泛的应用。 与此同时，各大半导体生产厂商不断开发 IGBT 的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术，主要采用 1um 以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。