常见太阳能电池板种类

单 晶硅太 阳 能 电 池是 当 前 开发 得最快的一 种 太 阳 能 电 池， 它 的 构 造和生 产 工 艺 已定型， 产 品已广泛用于空 间 和地面。 这种 太 阳 能 电 池以高 纯 的 单 晶硅棒 为 原料。为 了降低生 产 成本， 现 在地面 应 用的太 阳 能 电 池等采用太 阳 能 级 的 单 晶硅棒， 材料性能指 标 有所放 宽 。有的也可使用半 导 体器件加工的 头 尾料和 废 次 单 晶硅材料， 经过复 拉制成太 阳 能 电 池 专 用的 单 晶硅棒。将单 晶硅棒切成片，一般片厚 约 0.3 毫米。硅片 经过 抛磨、 清 洗等工序，制成待加工的原料硅片。 加工太 阳 能 电 池片， 首先要在硅片上 掺杂 和 扩 散， 一般 掺杂 物 为 微量的硼、磷、 锑 等。 扩 散是在石英管制成的高 温扩 散 炉 中 进 行。 这样 就硅片上形成 PN 结 。 然后采用 丝网 印刷法， 精配好的 银浆 印在硅片上做成 栅线 ，经过烧结 ， 同 时 制成背 电极 ， 并 在有 栅线 的面涂覆 减 反射源， 以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉。 因此， 单 晶硅太 阳 能 电 池的 单 体片就制成了。 单 体片 经过 抽 查检验 ，即可按所需要的 规 格 组 装成太 阳 能 电 池 组 件（太 阳 能 电 池板），用串 联 和 并联 的方法 构 成一定的 输 出 电压 和 电 流。 最后用框架和材料 进 行封装。 用户 根据系 统设计 ， 可 将 太 阳 能 电 池 组 件 组 成各 种 大小不同的太 阳 能 电 池方 阵 ， 亦称 太 阳 能 电 池 阵 列。目前 单 晶硅太 阳 能 电 池的光 电转换 效率 为 15 ％左右， 实验室成果也有 20 ％以上的。回答人的 补 充 2009-10-28 1049 近 5 年 来 ，中 国 光伏 电 池 产 量年增 长 速度 为 1-3 倍，光伏 电 池 产 量占全球 产 量的比例也由 2002 年 1.07 ％增 长 到 2008 年的近 15 ％。商 业 化晶体硅太 阳 能 电池的效率也 从 3 年前的 13％ -14 ％提高到 16％ -17 ％。 总 体 来 看，中 国 太 阳 能电 池的 国际 市 场份额 和技 术竞争 力大幅提高。 在 产业 布局上， 中 国 太 阳 能 电 池 产业 已 经 形成了一定的集聚 态势 。在 长 三角、 环 渤海、珠三角、中西部地 区 ，已 经形成了各具特色的太 阳 能 产业 集群。太 阳 能光伏 发电 在不 远 的 将来会 占据世界能源消 费 的重要席位， 不但要替代部分常 规 能源，而且 将 成 为 世界能源供 应 的主体。 预计 到 2030 年，可再生能源在 总 能源 结构 中 将 占到 30％以上，而太 阳 能光伏 发电 在世界 总电 力供 应 中的占比也 将达 到 10 ％以上；到 2040 年，可再生能源 将 占 总 能耗的 50 ％以上，太 阳能光伏 发电将 占 总电 力的 20 ％以上； 到 21 世 纪 末， 可再生能源在能源 结构 中 将占到 80 ％以上，太 阳 能 发电将 占到 60％以上。 这 些 数 字足以 显 示出太 阳 能光伏产业 的 发 展前景及其在能源 领 域重要的 战 略地位。 由此可以看出， 太 阳 能 电 池市场 前景广 阔 。目前太 阳 能 电 池主要包括晶体硅 电 池和薄膜 电 池 两种 ， 它们 各自的特点 决 定了 它们 在不同 应 用中 拥 有不可替代的地位。但是，未 来 10 年晶体硅太 阳 能 电 池所占 份额尽 管 会 因薄膜太 阳 能 电 池的 发 展等原因而下降， 但其主 导 地位仍不 会 根本改 变 ； 而薄膜 电 池如果能 够 解 决转换 效率不高、 制 备 薄膜 电 池所用 设备 价格 昂贵 等 问题 ， 会 有巨大的 发 展空 间 。尊敬的 阁 下 您 好 太 阳 能 电 池基本知 识最早 问 世的太 阳电 池是 单 晶硅太 阳电 池。 硅是地球上 极 丰富的一 种 元素， 几乎遍地都有硅的存在，可 说 是取之不 尽 。用硅 来 制造太 阳电 池，原料可 谓 不缺。但是提 炼它 却不容易， 所以人 们 在生 产单 晶硅太 阳电 池的同 时 ， 又 研 究了多晶硅太 阳电 池和非晶硅太 阳电 池，至今商 业规 模生 产 的太 阳电 池， 还没 有跳出硅的系列。其 实 可供制造太 阳电 池的半 导 体材料很多， 随 着材料工 业 的 发 展、 太 阳电 池的品种将 越 来 越多。目前已 进 行 研 究和 试 制的太 阳电 池，除硅系列外， 还 有硫化 镉 、砷 化 镓 、 铜铟硒 等 许 多 类 型的太 阳电 池， 举 不 胜举 ， 以下介 绍 几 种较 常 见 的太 阳电 池。单 晶硅太 阳电 池单 晶硅太 阳电 池是 当 前 开发 得最快的一 种 太 阳电 池， 它 的 构 造和 产 工 艺 已定型，产 品已广泛用于空 间 和地面。 这种 太 阳电 池以高 纯 的 单 晶硅棒 为 原料， 纯 度要求99.999 ％。 为 了降低生 产 成本， 现 在地面 应 用的太 阳电 池等采用太 阳 能 级 的 单晶硅棒， 材料性能指 标 有所放 宽 。 有的也可使用半 导 体器件加工的 头 尾料和 废 次单 晶硅材料， 经过复 拉制成太 阳电 池 专 用的 单 晶硅棒。 将单 晶硅棒切成片， 一般片厚 约 0.3 毫米。硅片 经过 形、抛磨、 清 洗等工序，制成待加工的原料硅片。加工太 阳电 池片， 首先要在硅片上 掺杂 和 扩 散， 一般 掺杂 物 为 微量的硼、 磷、 锑 等。扩 散是在石英管制成的高 温扩 散 炉 中 进 行。 这样 就硅片上形成 P/FONTN 结 。然后采用 丝网 印刷法， 精配好的 银浆 印在硅片上做成 栅线 ， 经过烧结 ， 同 时 制成背 电极 ， 并 在有 栅线 的面涂覆 减 反射源， 以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉。因此， 单 晶硅太 阳电 池的 单 体片就制成了。 单 体片 经过 抽 查检验 ，即可按所需要的 规 格 组 装成太 阳电 池 组 件 （太 阳电 池板） ， 用串 联 和 并联 的方法 构 成一定的 输 出 电压 和 电 流。 最后用框架和装材料 进 行封装。 用 户 根据系 统设计 ， 可 将 太阳电 池 组 件 组 成各 种 大小不同的太 阳电 池方 阵 ， 亦 称 太 阳电 池 阵 列。 目前 单 晶硅太 阳电 池的光 电转换 效率 为 15 ％左右， 实验 室成果也有 20％以上的。多晶硅太 阳电 池单 晶硅太 阳电 池的生 产 需要消耗大量的高 纯 硅材料，而制造 这 些材料工 艺复杂 ，电 耗很大， 在太 阳电 池生 产总 成本中己超二分之一。 加之拉制的 单 晶硅棒呈 圆 柱状 ，切片制作太 阳电 池也是 圆 片， 组 成太 阳 能 组 件平面利用率低。因此， 80 年代以 来 ， 欧 美一些 国 家投入了多晶硅太 阳电 池的 研 制。 目前太 阳电 池使用的多晶硅材料， 多半是含有大量 单 晶 颗 粒的集合体， 或用 废 次 单 晶硅料和冶金 级 硅材料熔化 浇铸 而成。其工 艺过 程是 选择电 阻率 为 100 ～ 300 欧 姆 厘米的多晶 块 料或单 晶硅 头 尾料， 经 破碎，用 1 5 的 氢氟 酸和硝酸混台液 进 行适 当 的腐 蚀 ，然后用去离子水冲洗呈中性， 并 烘干。用石英坩 埚 装好多晶硅料，加人适量硼硅，放人 浇铸炉 ，在 真 空 状态 中加 热 熔化。熔化后 应 保 温约 20 分 钟 ，然后注入石墨 铸模中，待慢慢凝固冷却后，即得多晶硅 锭 。 这种 硅 锭 可 铸 成立方体，以便切片加工成方形太 阳电 池片， 可提高材制利用率和方便 组 装。 多晶硅太 阳电 池的制作工艺与单 晶硅太 阳电 池差不多，其光 电转换 效率 约 12 ％左右，稍低于 单 晶硅太 阳电 池，但是材料制造 简 便， 节约电 耗， 总 的生 产 成本 较 低，因此得到大量 发 展。非晶硅太 阳电 池非晶硅太 阳电 池是 1976 年后出 现 的新型薄膜式太 阳电 池， 它与单 晶硅和多晶硅太 阳电 池的制作方法完全不同，硅材料消耗很少， 电 耗更低，非常吸引人。制造非晶硅太 阳电 池的方法有多 种 ， 最常 见 的是 辉 光放 电 法， 还 有反 应溅 射法、 化 学气 相沉 积 法、 电 子束蒸 发 法和 热 分解硅 烷 法等。 辉 光放 电 法是 将 一石英容器抽成真 空，充入 氢气 或 氩气 稀 释 的硅 烷 ，用射 频电 源加 热 ，使硅 烷电 离，形成等离子体。非晶硅膜就沉 积 在被加 热 的 衬 底上。若硅 烷 中 掺 人适量的 氢 化磷或 氢 化硼，即可得到 N 型或 P 型的非晶硅膜。 衬 底材料一般用玻璃或不 锈钢 板。 这种 制 备非晶硅薄膜的工 艺 ， 主要取 决 于 严 格控制 气压 、 流速和射 频 功率， 对衬 底的 温 度也很重要。 非晶硅太 阳电 池的 结构 有各 种 不同， 其中有一 种较 好的 结构 叫 PiN 电池， 它 是在 衬 底上先沉 积 一 层掺 磷的 N 型非晶硅，再沉 积 一 层 未 掺杂 的 i 层 ，然后再沉 积 一 层掺 硼的 P 型非晶硅，最后用 电 子束蒸 发 一 层减 反射膜， 并 蒸 镀银电极 。此 种 制作工 艺 ，可以采用一 连 串沉 积 室，在生 产 中 构 成 连续 程序，以 实现大批量生 产 。同 时 ，非晶硅太 阳电 池很薄，可以制成 叠层 式，或采用集成 电 路的方法制造，在一 个 平面上，用适 当 的掩模工 艺 ，一次制作多 个 串 联电 池，以 获 得较 高的 电压 。 因 为 普通晶体硅太 阳电 池 单个 只有 0.5 伏左右的 电压 ， 现 在日本生产 的非晶硅串 联 太 阳电 池可 达 2.4 伏。 目前非晶硅太 阳电 池存在的 问题 是光 电转换 效率偏低， 国际 先 进 水平 为 10％左右，且不 够稳 定，常有 转换 效率衰降的 现象， 所以 尚 未大量用于作大型太 阳 能 电 源， 而多半用于弱光 电 源， 如袖珍式 电 子计 算器、 电 子 钟 表及 复 印机等方面。 估 计 效率衰降 问题 克服后， 非晶硅太 阳电 池将 促 进 太 阳 能利用的大 发 展，因 为它 成本低，重量 轻 ， 应 用更 为 方便， 它 可以 与房屋的屋面 结 合 构 成住 户 的 独 立 电 源。多元化合物太 阳电 池多元化合物太 阳电 池指不是用 单 一元素半 导 体材料制成的太 阳电 池。 现 在各 国研究的品 种 繁多， 虽 然大多 数尚 未工 业 化生 产 ， 但 预 示着光 电转换 的 满园 春色。 现在 简 要介 绍 几 种 （ 1）硫化 镉 太 阳电 池 -- 早在 1954 年雷 诺兹 就 发现 了硫化 镉具有光生伏打效 应 。 1960 年采用 真 空蒸 镀 法制得硫化 镉 太 阳电 池，光 电转换 效率 为 3.5 。 到 1964 年美 国 制成的硫化 镉 太 阳电 池， 光 电转换 效率提高到 4％～6％。后 来欧 洲掀起了硫化 镉 太 阳电 池的 研 制高潮，把光 电 效率提高到 9％，但是仍无法 与 多晶硅太 阳电 池 竞争 。 不 过 人 们 始 终没 有放弃 它 ， 除了 研 究 烧结 型的块状 硫化 镉 太 阳电 池外， 更着重 研 究簿膜型硫化 镉 太 阳电 池。 它 是用硫化 亚铜为阻 挡层 ， 构 成 异质结 ，按硫化 镉 材料的理 论计 算，其光 电转换 效率可 达 16.4 ％。中 国 科 学 院 长 春 应 用化 学研 究所于 80 年代初曾把薄膜硫化 镉 太 阳电 池的光 电转换 效率做到 7.6 ％。 尽 管非晶硅薄膜 电 池在 国际 上有 较 大影 响 ，但是至今有些 国家仍指望 发 展硫化 镉 太 阳电 池， 因 为它 在制造工 艺 上比 较简单 ， 设备问题 容易解决 。（ 2） 砷 化 镓 太 阳电 池 -- 砷 化 镓 是一 种 很理想的太 阳电 池材料， 它与 太 阳 光谱 的匹配 较 适合，且能耐高 温 ，在 250 ℃ 的 条 件下，光 电转换 性能仍很良好，其最高光 电转换 效率 约 30 ％，特 别 适合做高 温 聚光太 阳电 池。已 研 究的 砷 化 镓 系列太 阳电 池有 单 晶 砷 化 镓 、多晶 砷 化 镓 、 镓铝砷 -- 砷 化 镓异质结 、金 属 -- 半 导体 砷 化 镓 、金 属 -- 绝缘 体 -- 半 导 体 砷 化 镓 太 阳电 池等。 砷 化 镓 材料的制 备类 似硅半 导 体材料的制 备 ， 有晶体生 长 法、 直接拉制法、 气 相生 长 法、 液相外延法等。由于 镓 比 较 稀缺， 砷 有毒，制造成本高，此 种 太 阳电 池的 发 展受到影 响 。（ 3）铜铟硒 太 阳电 池 -- 以 铜 、 铟 、 硒 三元化合物半 导 体 为 基本材料制成的太 阳电 池。它 是一 种 多晶薄膜 结构 ， 一般采用 真 空 镀 膜、 电 沉 积 、 电 泳法或化 学气 相沉 积 法等工 艺来 制 备 ，材料消耗少，成本低，性能 稳 定，光 电转换 效率在 10％以上。因此是一 种 可 与 非晶硅薄膜太 阳电 池相 竞争 的新型太 阳电 池。 近 来还发 展用 铜铟硒 薄膜加在非晶硅薄膜之上， 组 成 叠层 太 阳电 池的可能， 借此提高太 阳电 池的效率， 并 克服非晶硅光 电 效率的衰降。评 价答案好 0不好 0原 创 0非原 创 0┕ 大兜兜 ┑ 2008-03-01 1202 满 意答案好 评 率 0太 阳 能是人 类 取之不 尽 用之不竭的可再生能源。 也是 清洁 能源， 不 产 生任何的 环境 污 染。 在太 阳 能的有效利用 当 中； 大 阳 能光 电 利用是近些年 来发 展最快， 最具活力的 研 究 领 域，是其中最受 瞩 目的 项 目之一。制作太 阳 能 电 池主要是以半 导 体材料 为 基 础 ， 其工作原理是利用光 电 材料吸收光能后 发 生光 电 于 转换 反 应 ，根据所用材料的不同，太 阳 能 电 池可分 为 1、硅太阳 能 电 池； 2、以无机 盐 如 砷 化 镓 III-V 化合物、硫化 镉 、 铜铟硒 等多元化合物 为材料的 电 池； 3、功能高分子材料制 备 的大 阳 能 电 池； 4、 纳 米晶太 阳 能 电 池等。一、硅太 阳 能 电 池1．硅太 阳 能 电 池工作原理 与结构太 阳 能 电 池 发电 的原理主要是半 导 体的光 电 效 应 ，一般的半 导 体主要 结构 如下图 中，正 电 荷表示硅原子， 负电 荷表示 围绕 在硅原子旁 边 的四 个电 子。当 硅晶体中 掺 入其他的 杂质 ，如硼、磷等， 当掺 入硼 时 ，硅晶体中就 会 存在着一个 空穴， 它 的形成可以 参 照下 图 图 中， 正 电 荷表示硅原子， 负电 荷表示 围绕 在硅原子旁 边 的四 个电 子。 而 黄色的表示 掺 入的硼原子， 因 为 硼原子周 围 只有 3 个电 子， 所以就 会产 生入 图 所示的 蓝 色的空穴， 这个 空穴因 为没 有 电 子而 变 得很不 稳 定，容易吸收 电 子而中和，形成 P（ positive ）型半 导 体。同 样 ， 掺 入磷原子以后， 因 为 磷原子有五 个电 子， 所以就 会 有一 个电 子 变 得非常活 跃 ， 形成 N（ negative ） 型半 导 体。 黄 色的 为 磷原子核， 红 色的 为 多余的 电 子。如下 图 。N 型半 导 体中含有 较 多的空穴，而 P 型半 导 体中含有 较 多的 电 子， 这样 ， 当 P型和 N 型半 导 体 结 合在一起 时 ，就 会 在接 触 面形成 电势 差， 这 就是 PN 结 。当 P 型和 N 型半 导 体 结 合在一起 时 ，在 两种 半 导 体的交界面 区 域里 会 形成一 个特殊的薄 层 ，界面的 P 型一 侧带负电 ， N 型一 侧带 正 电 。 这 是由于 P 型半 导 体多空穴， N 型半 导 体多自由 电 子，出 现 了 浓 度差。 N 区 的 电 子 会扩 散到 P 区 ， P区 的空穴 会扩 散到 N 区 ，一旦 扩 散就形成了一 个 由 N 指向 P 的 “内电场” ， 从而阻止 扩 散 进 行。 达 到平衡后， 就形成了 这样 一 个 特殊的薄 层 形成 电势 差， 这 就是 PN 结 。当 晶片受光后， PN 结 中， N 型半 导 体的空穴往 P 型 区 移 动 ，而 P 型 区 中的 电 子往 N 型 区 移 动 ， 从 而形成 从 N 型 区 到 P 型 区 的 电 流。然后在 PN 结 中形成 电势差， 这 就形成了 电 源。 如下 图 所示）由于半 导 体不是 电 的良 导 体， 电 子在通 过 p－ n 结 后如果在半 导 体中流 动 ， 电 阻非常大， 损 耗也就非常大。但如果在上 层 全部涂上金 属 ， 阳 光就不能通 过 ， 电 流就不能 产 生，因此一般用金 属网 格覆盖 p－ n 结 （如 图 梳 状电极 ），以增加入射光的面 积 。另外硅表面非常光亮， 会 反射掉大量的太 阳 光，不能被 电 池利用。 为 此，科学 家 们给它 涂上了一 层 反射系 数 非常小的保 护 膜 （如 图 ） ， 将 反射 损 失 减 小到 5％甚至更小。 一 个电 池所能提供的 电 流和 电压毕 竟有限， 于是人 们 又 将 很多 电 池 （通常是 36 个 ） 并联 或串 联 起 来 使用，形成太 阳 能光 电 板。2．硅太 阳 能 电 池的生 产 流程通常的晶体硅太 阳 能 电 池是在厚度 350 ～ 450 μ m 的高 质 量硅片上制成的， 这种硅片 从 提拉或 浇铸 的硅 锭 上 锯 割而成。上述方法 实际 消耗的硅材料更多。 为 了 节 省材料， 目前制 备 多晶硅薄膜 电 池多采用化 学气 相沉 积 法，包括低 压 化 学气 相沉 积 （ LPCVD）和等离子增强化 学气 相沉 积 （ PECVD ）工 艺 。此外，液相外延法（ LPPE）和 溅 射沉 积 法也可用 来 制 备多晶硅薄膜 电 池。化 学气 相沉 积 主要是以 SiH2Cl2 、 SiHCl3 、 SiCl4 或 SiH4, 为 反 应气 体 ,在一定的保 护气 氛下反 应 生成硅原子 并 沉 积 在加 热 的 衬 底上， 衬 底材料一般 选 用 Si、SiO2、 Si3N4 等。但 研 究 发现 ，在非硅 衬 底上很 难 形成 较 大的晶粒， 并 且容易在晶粒 间 形成空隙。 解 决这 一 问题办 法是先用 LPCVD 在 衬 底上沉 积 一 层较 薄的非晶硅 层 ， 再 将这层 非晶硅 层 退火， 得到 较 大的晶粒， 然后再在 这层籽 晶上沉 积厚的多晶硅薄膜， 因此， 再 结 晶技 术 无疑是很重要的一 个环节 ， 目前采用的技 术主要有固相 结 晶法和中 区 熔再 结 晶法。多晶硅薄膜 电 池除采用了再 结 晶工 艺 外，另外采用了几乎所有制 备单 晶硅太 阳 能 电 池的技 术 ， 这样 制得的太 阳 能 电 池 转换效率明 显 提高。三、 纳 米晶化 学 太 阳 能 电 池在太 阳 能 电 池中硅系太 阳 能 电 池无疑是 发 展最成熟的， 但由于成本居高不下， 远不能 满 足大 规 模推广 应 用的要求。 为 此，人 们 一直不 断 在工 艺 、新材料、 电 池薄膜化等方面 进 行探索，而 这当 中新近 发 展的 纳 米 TiO2 晶体化 学 能太 阳 能 电 池受到 国内 外科 学 家的重 视 。以染料敏化 纳 米晶体太 阳 能 电 池（ DSSCs ） 为 例， 这种电 池主要包括 镀 有透明导电 膜的玻璃基底，染料敏化的半 导 体材料、 对电极 以及 电 解 质 等几部分。阳极 染料敏化半 导 体薄膜（ TiO2 膜）阴极 镀铂 的 导电 玻璃电 解 质 I3-/I- 如 图 所示，白色小球表示 TiO2 ， 红 色小球表示染料分子。染料分子吸收太 阳 光能 跃迁 到激 发态 ，激 发态 不 稳 定， 电 子快速注入到 紧邻 的 TiO2 导带 ，染料中失去的 电 子 则 很快 从电 解 质 中得到 补偿 ， 进 入 TiO2 导带 中的 电 于最 终进 入 导电 膜 ,然后通 过 外回路 产 生光 电 流。纳 米晶 TiO2 太 阳 能 电 池的 优 点在于 它 廉价的成本和 简单 的工 艺 及 稳 定的性能。其光 电 效率 稳 定在 10 ％以上，制作成本 仅为 硅太 阳电 池的 1/5 ～ 1/10 ． 寿 命能达 到 20 年以上。但由于此 类电 池的 研 究和 开发刚刚 起步，估 计 不久的 将来会 逐步走上市 场 。四、染料敏化 TiO2 太 阳 能 电 池的手工制作1. 制作二 氧 化 钛 膜1 先把二 氧 化 钛 粉末放入 研钵 中 与 粘合 剂进 行 研 磨2 接着用玻璃棒 缓 慢地在 导电 玻璃上 进 行涂膜3 把二 氧 化 钛 膜放入酒精灯下 烧结 10～ 15 分 钟 ，然后冷却2. 利用天然染料 为 二 氧 化 钛 着色如 图 所示，把新 鲜 的或冰 冻 的黑梅、山梅、石榴 籽 或 红 茶，加一 汤 匙的水 并进 行挤压 ， 然后把二 氧 化 钛 膜放 进 去 进 行着色， 大 约 需要 5 分 钟 ， 直到膜 层变 成深紫色，如果膜 层两 面着色的不均 匀 ，可以再放 进 去浸泡 5 分 钟 ，然后用乙醇冲洗，并 用柔 软 的 纸轻轻 地擦干。3. 制作正 电极由染料着色的 TiO2 为电 子流出的一 极 （即 负极 ）。正 电极 可由 导电 玻璃的 导电面 （涂有 导电 的 SnO2 膜 层 ） 构 成， 利用一 个简单 的万用表就可以判 断 玻璃的那一面是可以 导电 的，利用手指也可以做出判 断 ， 导电 面 较为 粗糙。如 图 所示，把非 导电 面 标 上 ‘ ’ ，然后用 铅笔 在 导电 面上均 匀 地涂上一 层 石墨。4. 加入 电 解 质利用含 碘 离子的溶液作 为 太 阳 能 电 池的 电 解 质 ， 它 主要用于 还 原和再生染料。 如图 所示，在二 氧 化 钛 膜表面上滴加一到 两 滴 电 解 质 即可。5. 组 装 电 池把着色后的二 氧 化 钛 膜面朝上放在 桌 上， 在膜上面滴一到 两 滴含 碘 和 碘 离子的 电解 质 ， 然后把正 电极 的 导电 面朝下 压 在二 氧 化 钛 膜上。 把 两 片玻璃稍微 错开 ， 用两个夹 子把 电 池 夹 住， 两 片玻璃暴露在外面的部分用以 连 接 导线 。 这样 ， 你 的太阳 能 电 池就做成了。6. 电 池的 测试在室外太 阳 光下， 检测你 的太 阳 能 电 池是否可以 产 生 电 流。