扩散常见问题解决方法

48 所扩散过程中问题解决方案问题 原因 解决方法扩散不到1.炉门没关紧，有源被抽风抽走。2.携带气体大氮量太少， 不能将源带到管前。3.管口抽风太大。1.由设备人员将炉门重新定位， 确保石英门和石英管口很好贴合。2.增大携带气体大氮的流量。3.将石英门旁边管口抽风减小。方阻偏高 /偏低偏高 1.扩散温度偏低。2.源量不够，不能足够掺杂。3.源温较低于设置 20 度。4.石英管饱和不够。1.升高扩散温度，加大源量 . 2.延长扩散时间。3.增加淀积温度。偏低 1.扩散温度偏高。2.源温较高于 20 度。1.减小扩散温度。2.减少扩散时间。3.减少淀积温度。片间方阻不均匀 扩散温度不均匀 重新拉扩散炉管恒温片内方阻不均匀扩散气流不均匀，单片上源沉积不均匀 1.调整扩散气流量，加匀流板。2.调整扩散片与片之间距离。扩后硅片上有色斑甩干机扩散前硅片没甩干 调整甩干机设备及工艺条件扩散过程中偏磷酸滴落 长时间扩散后对扩散管定期进行 HF 浸泡清洗环境湿度过大 增大除湿机功率效率忽高忽低扩散间或石英管被污染，特别是在生产线被改造时最明显。清洗石英管及石英制品，加强扩散间工艺卫生，强化 TCA。方阻正常，但 FF 偏低品质因子有问题， n 趋向于 2， J02 偏大，表明结区复合严重。方法同上Tempress 扩散过程中问题解决方案问题 原因 解决方法方阻在源一侧低，炉口处高1. 炉门与炉管的密封性不好2. 尾部排气严重3. 假片数量太少1. 调整炉门密封性2. 减少尾部排气气流3. 使用更多的假片单片（交叉）方块电阻均匀性差1. POCl3 不够2. 排气压力过高3. 沉积温度过高1. 增加小 N2 流量2. 降低排气压力3. 降低沉积温度顶部的方阻低，底部的高1. 舟被污染2. 校准硅片不是最好的（可能被磨光）3. 硅片在炉管中的位置太高4. 桨比硅片和炉管温度低1. 使用新的干净的舟2. 使用好的校准硅片，而不是磨光。3. 使用低脚的舟。4. 在升温步后插入回温步骤。边缘处方阻低，中心高1. 假片被污染2. 校准硅片不是最好的（可能被磨光）3. 硅片在炉管中的位置太高4. 桨比硅片和炉管温度低1. 使用新的假片2. 使用好的校准硅片，而不是磨光3. 使用低脚的舟4. 在升温步后插入稳定温度步骤方阻均匀性不连续1. 炉管和舟没有饱和2. 假片被污染3. 校准硅片不是最好的（可能被磨光）4. 石英件或硅片脏5. 沿着扩散炉通风6. 气流不足1. 预先处理炉管和舟2. 使用新的假片3. 使用好的校准硅片，而不是磨光4. 清洗炉管、舟、隔热包块和匀流挡板5. 使用干净的硅片6. 通过关闭可能的通风孔减小通风或者减小洁净室的过压。7. 增加 N 2和干 O2 流量整管方块电阻太高1. 沉积时间过短2. 沉积温度过低3. 推进时间太短4. 推进温度太低1. 增加沉积时间2. 增加沉积温度3. 增加推进时间4. 增加推进温度整管方块电阻太低1. 沉积时间过长2. 沉积温度过高3. 推进时间太长4. 推进温度太高1. 减少沉积时间2. 减少沉积温度3. 减少推进温度4. 减少推进温度返工处理方块电阻不在规定范围内 1.轻微超出范围要求重新扩散，严重超出要求重新制绒。 2.低于范围要求从新制绒。氧化发蓝去 PSG 工序，反面扩散。色斑等由硅片表面问题引起的玷污去 PSG 后从新制绒。偏磷酸去 PSG 后，重新制绒。