复旦大学集成电路工艺原理作业06

1、购买的一批硅片， p型杂质均匀掺杂浓度为 1016/cm3，电阻率为 5 -cm。硅片清洗后进行热氧化。 在热氧化结束并去除氧化硅后， 发现硅片表层呈 n型， 而体硅仍旧保持为 p型。1）假定热氧化炉没有施主杂质污染，上述现象如何解释2） 下图给出的是在纯硅中的掺杂浓度和电阻率之间的关系。 参照该图， 说明你的上述解释是否合理。2、在 BJT中， 需要生长 1 m场氧化来实现晶体管的隔离。 为了减少杂质扩散和堆垛层错的形成，氧化在 1050 C进行。如果在一个大气压下进行湿氧化，计算所需时间。 假定抛物线系数和氧化时的压力呈线形关系， 计算在 5atm和 20atm时所需的氧化时间。3、将一 100 硅片氧化（ x＝ 200 nm） ，然后使用标准光刻和刻蚀工艺去掉中心部位的 SiO2，接着使用 n 掺杂工艺形成如下图所示的结构。将此结构放入热氧化炉， 在 900 C下进行水汽氧化。 在 n 区域的硅氧化比轻掺杂衬底要快得多。假定 n 区域的 B/A是轻掺杂衬底的 4倍。 在 n 区域的氧化硅厚度是否会赶上其它氧化硅的厚度如果会，何时赶上 , 赶上时的厚度是多少请使用 D－ G模型计算。