有机太阳能电池电极修饰方法的研究进展_吴京京.pdf

- 38 -电 子 与第 10 卷第 10 期收稿日期 2010-06-01产 品 、 应 用 与 市 场第 10卷， 第 10期Vol． 10， No ． 10电 子 与 封 装ELECTRONICS electrode modification; photoelectric conversion efficiency1 引言近年来有机太阳能电池因其化合物结构可设计性、材料重量轻、制造成本低、加工性能好、便于制造等优点而备受关注。目前研究工作主要集中在提高光电转换效率和寿命问题上。研究表明光电流的产生不仅依赖于激子的产生和传输特性，也依赖于有机层与电极间界面的性质，故可通过在二者之间加入修饰层来提高有机光电池的性能。本文同时从器件的阴阳两极修饰出发和新的阳极材料、器件结构模型入手，通过大量国内外研究成果来说明电极修饰能极大地提高器件的光电转换效率、寿命和稳定性。2 阴极修饰2.1 降低电子注入势垒器件效率偏低的主要原因是阴极和活性层间的电子注入势垒较高，这就降低了电子注入效率，最终导致载流子注入不平衡。为了降低电子注入势垒，- 39 -第 10 卷第 １０ 期需要选用低功函数的阴极材料，使得阴极的功函数和电子运输层的电子亲和势相当。例如低功函数金属Sr、 Ca、 Li、 Na、 Mg 等，这些都可以改善电子注入情况，提高器件的效率。 1995年， Yu 等人采用 Ca薄膜作为阴极， 制备结构为 ITO/MEH-PPVPCBM/Ca的体异质结有机太阳能电池 [1] ，在光强为 20mw cm-2、波长为430nm的单色光照射下，能量转换效率η p 可达 2.9，但这种物质性质活泼，易与空气中的氧气发生化学反应，而且生成物还会扩散到有机层中，导致器件性能退化和稳定性降低。由于 Al 性质稳定，不易被氧化，因此人们普遍选用 Al 作为阴极材料，但 Al 的功函数太高，电子注入效率往往很差，所以一般采用化合物如 LiF 、 CsF、MgF2、 MgO 等绝缘缓冲层插入在 Al 电极和有机层间，以起到降低电子注入势垒、提高电子注入效率、平衡载流子注入的作用。林茨约翰开普勒大学的 Brabec[2]分别采用 SiOx 和 LiF 对阴极 Al 进行修饰， 发现用 LiF/Al 电极的电池性能优于 SiO x/Al 电极，当 LiF 厚度为0.3nm时， Voc 提高到 821mV，能量转换效率也达到了3.3（ AM1.5） ，与 Al 电极相比，填充因子 FF提高了约 20。 Brabec并对绝缘层 LiF 增强电子注入的机理做了解释，他认为 LiF 原子会在电极表面形成偶极层，导致真空能级的偏移，这将使能带发生弯曲，电子注入势垒降低，最终导致电子注入效率提高。浙江大学的 Jiang等人采用同族元素化合物 CsF[3] 修饰 Al 电极，并与 Al/LiF 电极相比，能量转换效率提高了 57，这是由于 CsF易发生离解反应，分离出 Cs离子和 F- 离子，而 Cs是一种低功函数物质，这就减少了有机 / 电极界面间的欧姆电阻并同时提高了内建电场，因此电荷传输能力也得到极大的提高。除了上述多采用氟化物作为修饰层以外，也有人采用有机层来修饰阴极减小界面间的欧姆电阻，如在受体 PCBM（ C60的衍生物）和阴极 Al 之间加入 TIPD缓冲层 [4] ，使能量转换效率达到 2.52（ AM1.5 ，光强100 mW cm-2） ，这与不加缓冲层相比提高了 51.8。为了提高电子注入效率，阴极也可采用合金电极和多层电极，合金电极如 MgAg 、 AlLi 、 AlCa 、AlMg 等，这些材料都是由一种性质活泼但功函数低的金属与另一种功函数较高但性质稳定的金属组成；多层电极如 Al/Mg 、 C/Al 、 Al/Ag [5] 、 Mg/Ag 、 Ca/Al 等，目前也有人采用三层阴极如 NaCl/Ca/Al ，并与以 A1/LiF 为阴极的器件进行比较，发现器件的性能有了很大程度的改善，研究表明内建电场的大小与缓冲层和金属电极的功函数有关，功函数越低，内建电场就越大， NaCl 中 Na的功函数比 LiF 中 Li 的功函数低，所以说这种材料是通过提高内建电场的大小来提高注入电子电流的大小，进而实现提高效率的目的。总之，这些形式的电极结构，可以降低电极的功函数，增加器件的稳定性和电学性能。2.2 激子阻挡层由于阴极与活性层（受体）的紧密接触，导致活性层表面存在缺陷，这就容易引起激子被捕获，降低了激子的分离率，如果在两者之间插入一层激子阻挡层 （ exciton blockingl layer， 即 EBL） ， 用以减少激子在电极上的损失，这样就可提高器件的效率。 Vogel等人在实验中在 C60与 Al 层之间插入 BCP层 [6]，实验证实加入 BCP 层不仅可以减少 C60 与 Al 界面间载流子的复合，而且有利于 C60 与 Al 层间形成欧姆接触，同时还起到保护有机层界面态的作用。近年来，以BCP作为缓冲层的太阳能电池η最高已达 5.7[7] ，这使得商业化的步伐进一步加速，但是这类电池寿命较短。复旦大学的 Wu等人采用 TPBI材料替代 BCP[8] ，结果发现器件的稳定性和电荷的迁移率都得到了大幅度的提高，寿命已超过 3h。在染料敏化电池中， TiO 2 通常被用于吸附染料分子构成工作电极，但 Helmut. Hansel[9] 研究小组却用这种材料充当激子阻挡层，制备的器件构型如下ITO/CuPc/DMPTI（ dye， dimethl perylene tetracarboxy-diimide） / TiO 2 /Al 。 TiO 2层不仅作为激子的阻挡层， 而且与 DMPTI 层形成第二个激子分裂界面（第一个界面为 CuPc/DMPTI界面） 。不仅如此， Hayakawa[10]在研究修饰层作用时认为加入 TiO x 层一方面起到激子阻挡层的作用，另一方面可以防止 Al 电极与有机层间的界面反应，这不仅提高了器件的填充因子和开路电压，而且器件的稳定性也得到提高。然而 Kim [11]认为 TiOx 可以作为光隔离层使用，结构如图 1 所示，在电池的阴极与活性有机层间加入光隔离层，可以调节光场的空间分布使之与活性层的吸收光谱相匹配，这样有助于光吸收率和光电流的提高。3 阳极修饰研究表明，由于阳极的费米能级与有机层的费米能级不匹配，它们之间有很高的势垒高度，因此空穴注入效率较低，为了提高空穴的注入效率，阳极必须采用高功函数的材料，例如半透明金属（如吴 京 京 ， 程 东 明 ， 申 小 丹 ， 等 有 机 太 阳 能 电 池 电 极 修 饰 方 法 的 研 究 进 展- 40 -电 子 与 封 装第 10 卷第 10 期Au ） 、透明导电聚合物（如聚苯胺， PAN） 、半导体金属氧化物 （如 SnO2、 In2O3、 CdO、 ZnO、 Sb2O3、 PbO、AuAg/SiO 2） 、 ITO（氧化 铟 /锡， Indium tin oxide） 等。对阳极的修饰主要是提高其功函数，使其表面平整、平滑以扩大电极与有机层的接触面积，从而实现降低空穴注入势垒、提高注入效率的目的。3.1 ITO阳极修饰因为 ITO 具有高可见光透过率、良导电性、良基片 黏 附性、高功函数等特点，所以有机太阳能电池器件一般都采用 ITO 作为阳极。 ITO 的功函数依赖其表面的形态结构，为了克服 ITO 表面的结构缺馅，往往对其进行改性处理。改进方法主要有机械抛光处理、退火处理、在 ITO 与有机物间插入一层绝缘缓冲层、离子束溅射、在表面覆盖一层薄金属膜、优化 ITO 制备条件等。现在普遍采用在 I T O 与有机层间插入缓冲层PEDOTPSS，同 ITO 共同作为空穴收集极。该物质是一种掺杂的导电聚合物，具有良好的光电稳定性、透光率以及窄的能隙，由于 PEDOT 的功函数大于 ITO的功函数， 所以在结构为 ITO/PEDOTPSS/POPT/A1[12]的器件中， PEDOTPSS的存在比单纯的 ITO/POPT 界面更有利于载流子的收集，实验结果也证明前者的电流密度要大于后者。研究人员在此基础上进行改进，他们采用不同的有机溶液掺杂 PEDOTPSS 层，以实现进一步减小PEDOTPSS层电导率的目的，例如用甘油或丙三醇 [13]掺杂 PEDOTPSS溶液，然后旋涂到 ITO 表面，通过对 I-V 曲线的分析可知， PEDOTPSS材料电导率下降，空穴传输能力提高， ITO 与有机层的有效接触面增大，最终使得器件能量转换效率达到 3.3， 2007年，台湾国立交通大学的 Lin [14]在制备结构为 ITO/PEDOTPSS/P3HTPCBM/Ca/Al的器件时， 用不同浓度的甘露醇来掺杂 PEDOTPSS 层，实验证明甘露醇的加入减小了 PEDOTPSS层的电阻系数，并且发现浓度越高，电阻系数就越小，这就显著地提高了器件性能。除此以外， L.Ding [15]等人利用水溶液体系的相互作用，将水溶聚合物（ PTAALi ）盐与 PEDOTPSS在水溶液中混合，然后旋涂到 ITO 上，它利用自组装技术，扩大了使用氢键及库仑相互作用作为自组装的范围。由PTAALi 和 PEDOTPSS组成的混合物修饰 ITO电极， 不仅扩大了光谱吸收范围，而且提高了 ITO 空穴收集能力和界面面积，这样就大大提高了填充因子。但是 PEDOTPSS 材料性质不稳定，易于与 ITO发生界面反应，导致器件性能的衰减。 Shrotriya[16] 等人尝试用新材料 V 2O5 和 MoO 3 替代上述修饰层，并使用原子显微镜 AFM 观察被修饰后的 ITO 表面形貌，图像表明表面变得更加平滑、平整。通过原子显微镜 （ AFM ） 观察发现， 纳米金 （ Au）层 [17] 与 PEDOTPSS 层相比，表面更加平整，导电性更好，所以用它来修饰 ITO 后，它的功函数会显著提高 （约 5.1 eV） ， 这就有效降低了空穴注入势垒， 同时发现器件的寿命也得到了延长。Kim 认为采用单分子自组装技术在阳极表面生长单分子层可以改变阳极的表面能并改善有机层表面形态缺陷， 2007 年，他在阳极 ITO 表面生长一层单分子层 CF3[18] ，最后器件经过退火处理，实验证明这不仅优化了器件的结构，而且显著提高空穴注入阳极的能力。除了上述物理方法外，还可以采用化学修饰方法如酸、碱刻蚀处理，经过合适的处理能使 ITO 的表面质子化，使 ITO/ 有机物界面形成欧姆接触，其中磷酸处理所引起的功函数变化最大，比未处理过的 ITO 的功函数高约 0.7eV，此外还包括紫外臭氧处理和氧离子体处理等。其中氧等离子体处理最有效，它能很好地去除 ITO 表面的有机污染物，增加表面的氧含量，使空穴能发生隧穿效应，极大地提高 ITO的功函数，还可以减小 ITO 的方块电阻，这种方法的缺点是真空装置价格昂贵，受真空腔大小的限制能处理的 ITO 表面大小有限。紫外臭氧处理也能大大降低附着在 ITO 表面的碳原子数目，而使其氧浓度升高。3.2 新型电极材料由于地球上 In 元素不仅稀少，而且危害环境和人类的健康，所以有必要寻求新的阳极材料来替代ITO 材料，这样就可获得成本较低而性能优良的器件， 如采用 ZnSnO4、 ZnSnO3、 MgIn 2O4、 Zn 2In2O5、 ZnO等等。近年来，一些人尝试用 ZnO 来取代 ITO，这种材料弥补了 ITO 材料的不足之处，但它的导电能力较差， 通过掺杂Ⅲ族元素 （如 Ba、 Al 、 Ga、 In） 后， ZnO- 41 -第 10 卷第 １０ 期膜的透明度和导电性都有所改善。例如选用电极材料 ZnOAl [19]取代 ITO，同时用纳米金层加以修饰，结果发现电池的并联电阻 Rsh 增加，串联电阻 Rs 减小，寿命延长，同时η也提高了一个数量级。大量实验证实 ZnOAl 层具有收集空穴和电子的双重能力，同时还可以充当减反射层的角色，因此有人在阴阳两极均采用 ZnOAl 材料 [20] 来实现改善器件性能的目的。ITO 除了价格昂贵、危害环境外，我们也发现这种导电玻璃机械性能差，易破碎，不稳定，但如果选用单壁碳纳米管替代 ITO 作为有机光电池的空穴收集极，就可以克服上述缺陷，而且它还具有高电导率和透光率的优势。 2006 年， Lagemaat[21]等人采用旋涂法制备碳纳米管阳极层，但最终得到的器件性能不是特别理想，因此需要进一步改进， Topinka [22] 等人采用丝网印刷技术在衬底上生长网状单壁碳纳米管，最终所得到的器件性能可与 ITO/plastic 所制备的相当，η可达 2.5。这种薄膜材料的优点在于表面平滑，柔韧性较好，具有较宽的光谱吸收范围，从紫外、可见延伸至远红外区都具有很高的透光性，还可实现大面积制造等。3.3 反型倒置电池中电极修饰近年来人们开始构造新的电池结构即反型倒置模型，即将传统电池的阴阳电极材料进行对换，发现能量转换效率都有所提高，但同时也需要对电极进行修饰。 例如制备结构为 ITO/Cs2CO3/P3HTPCBM/V2O5/Al 或者 Au 的器件 [23]时，分别用 10nm 的 V 2O5 修饰阳极 Al ， 1nm 的 Cs2CO3 修饰阴极 ITO ，结果显示太阳能电池的三个性能参数都有所提高，而在传统电池中短路电流 JSC 恰恰相反。当这种结构的电池经 200℃以下的退火处理后 [24] ，由于 Cs2CO3 发生分解反应生成 Cs2O，这就使得 Cs2CO3 的功函数降低，η从 2.3 提高到 4.2。 2009 年， Chen[25] 报道了另一种器件结构，使用金属氧化物材料 MoO 3 修饰栅状 Al阳极，同时在上层蒸镀一层 ITO 薄膜，结构如图 2 所示，这样可以减小器件的串联电阻，这种器件具有良好的柔韧性和稳定性，同时也克服了低功函数金属易氧化不稳定的缺陷。另外，我们还可以用双层MoO3 修饰阳极 [26] ，例如 MoO3/Ag/MoO 3 电极，内层的 MoO3 层可提高空穴注入能力，而外层 MoO3 不仅降低了器件的串联电阻，而且提高了阳极的透过率，因此器件的性能得到了改善。ZnO 不仅可以作为电极使用，而且也可以用于修饰电极，在反型倒置电池中 White 提出用 ZnO 来修饰阴极 ITO[27]，虽然电子的迁移率下降，但是电子从 ZnO转移到 ITO 的迁移率大于电子从有机层转移到 ZnO 层的迁移率，因此不会造成有机层 /ZnO 界面处电子的积累，η也高达 2.58。 Sekine等人在制备反型倒置电池中采用脊状结构的纳米 ZnO[28]修饰阴极 ITO，器件的结构和纳米 ZnO 脊的表面形貌如图 3 所示，与纳米 ZnO粒子相比，它具有更强的空穴阻挡能力和更高的电子收集效率，最终使η达到 4.00。由于低电导率的 ITO 膜生长在可卷曲的柔性塑料衬底上时，在经过长期的外应力作用下，会显著降低薄膜的电导率，影响器件的性能，选用 PEDOTPSS 沉积在塑料衬底上作为电极，发现它的机械性能优于 ITO 电极。虽然 PEDOTPSS电导率低，但与某种高沸点有机溶剂混合后，可改变 PEDOT 的形态和链间的相互作用，使它的电导率提高 23 个数量级。在反型倒置有机光电池中我们使用 PEDOTPSS代替 ITO 作为阴极 [29] ，喷雾旋涂半透明的 Ag 薄膜作为阳极，用这种方法所得到的太阳能电池的η达到3，在实验中发现 Jsc和 FF 的大小与阴极的厚度有密切的关系，增加 PEDOTPSS 的厚度降低了有机层的吸光度，因此光电流密度也会减小，但减小了 ITO的表面电阻，这使得填充因子 FF 增加，因此需要优吴 京 京 ， 程 东 明 ， 申 小 丹 ， 等 有 机 太 阳 能 电 池 电 极 修 饰 方 法 的 研 究 进 展- 42 -电 子 与 封 装第 10 卷第 10 期化 PEDOTPSS的厚度，寻找最佳值。在反型倒置电池中，作为阳极的材料往往反射率很高，不能对太阳光有效地吸收，为了解决这一问题， Meiss [5] 采用蒸镀覆盖层的办法来弥补阳极材料反射率高的缺陷，使用 Alq 3 修饰 Al/Ag 电极，使得η提高了 0.37，这是因为 Alq 3 层可以调节内部光场分布以满足对太阳光最大限度的吸收。它不仅提高了活性层对光的吸收范围，同时也提高了内部反射率的大小。 2009年， Meiss又在此基础上优化 Al 层和 Ag 层的厚度，当 Al 厚度为 1nm、 Ag 厚度为 14nm时可达到最佳性能，η可达 2.2 。4 结语大量的实验和理论证明，提高器件效率和稳定性可通过电极的修饰改性来实现。虽然实验结果证明对电极的修饰是提高器件性能的有效途径，但其中确切的机理还不是很清楚，需要构建更加完善的理论模型加以解释。另外，大量的研究主要集中在阳极修饰改性方面，但实际上器件效率主要受限于电子注入势垒高所导致的载流子传输率低和不平衡，因此今后有必要在这方面投入更多的精力。除此以外，单一的电极修饰并不能有效改善电极与活性层间界面接触和载流子注入率，因此我们要对各种电极修饰进行优化组合，以保证最大可能地提高器件效率。参考文献［ 1］ G Yu, J Gao, J C Hummelen. Polymer Photovoltaic CellsEnhanced Efficiencies via a Network of Internal Donor-Ac-ceptor Heterojunctions [J]. Science, 1995,2701 789-1 791.［ 2］ C J Brabec, S E Shaheen, C Winder. Effect of LiF/metalelectrodes on the performance of plastic solar cells [J]. Appl.Phys.Lett, 2002, 80（ 7） 1 288-1 290.［ 3］ Xiao xia Jiang, Hao Xu, Li gong Yang. Effect of CsFinterlayer on the performance of polymer bulk heterojunctionsolar cells [J]. Solar Energy Materials and Solar Cells,2009,93650-653.［ 4］ Z Tan, C Yang, E Zhou, et al. Performance improvement ofpolymer solar cells by using a solution processible titaniumchelate as cathode buffer layer [J]. Appl.Phys.Lett, 2007,91（ 2） .［ 5］ J Meiss, N Allinger, M K Riede, et al. Improved light har-vesting in tin-doped indum oxide（ ITO ） -free inverted bulk-heterojunction organic solar cells using capping layers [J].Appl.Phys.Lett, 2008,93 （ 10） .［ 6］ M Vogel, S Doka, Ch Breyer, et al. On the function of abathocuproine buffer layer in organic photovoltaic cells [J].Appl.Phys.Lett, 2006,89 （ 16） .［ 7］ J Xue, B P Rand, S R Forrest. Organic Double-HeterostructurePhotovoltaic Cells Employing Thick Tris （ acetylacetonato）ruthenium （ III ） Exciton-Blocking Layers [J]. Adv.Mater,2005,17（ 1） 66-71.［ 8］ H R Wu, Q L Song, M L Wang, et al. Stable small-moleculeorganic solar cells with 1,3,5-tris（ 2-N-phenylbenzimidazolyl）benzene as an organic buffer [J]. Thin Solid Films, 2007, 5158050-8053.［ 9］ H Hansel, H Zettl, G.Krauseh, et al.Optical and ElectronicContributions in Double-Heterojunction Organic Thin-FilmSolar Cells [J]. Adv.Mater, 2003,15 （ 24） 2056-2 560.［ 10］ Akinobu, Hayakawa, Osamu, et al. High performancepolythiophene/fullerene bulk-heterojunction solar cell with aTiOx hole blocking layer [J]. Appl.Phys.Lett,2007,90 （ 16） .［ 11］ J Y Kim, S H Kim, H H Lee, K Lee, et al. New Architecturefor High-Efficiency Polymer Photovoltaic Cells Using Solu-tion-Based Titanium Oxide as an Optical Spacer [J]. AdvMater, 2006,18572-576.［ 12］ T Aemouts, W Geens, J Poorimans, et al. Borghs.Extrac-tion of bulk and contact components of the series resis-tance in organic bulk donor-acceptor-heterojunctions[J]. Thin Solid Films, 2002,403（ 4） 297-301.［ 13］ Kim, M S Park, S K Kim, et al.Glycerol-Doped Poly （ 3,4-ethylenedioxy-thiophene ） Poly （ styrene sulfonate ）Buffer Layer for Improved Power Conversion in OrganicPhotovoltaic Devices [J]. Journal of The ElectrochemicalSociety, 2009, 156（ 10） 782-785.［ 14］ C J Ko, Y K Lin, F C Chen, et al. Modified buffer layers forpolymer photovoltaic devices [J]. Appl.Phys.Lett, 2007.［ 15］ L Ding, M Jonforsen, L Roman, et al. Photovoltaic Cellswith a conjugated polyelectrolyte [J]. SynthMet, 2000,110133-140.［ 16］ Vishal Shrotriya, Gang Li, Yan Yao, et al. Transition metaloxides as the buffer layer for polymer photovoltaic cells [J].Appl.Phys.Lett, 2006, 88 （ 7） .［ 17］ S W Tong, et al. Improvement in the hole collection ofpolymer solar cells by utilizing gold nanoparticle buffer layer[J]. Chemical Physics Letters, 2008, 45373-76.- 43 -第 10 卷第 １０ 期［ 18］ J S Kim, J H Park, J H Lee, et al. Control of the electrodework function and active layer morphology via surface modi-fication of indium tin oxide for high efficiency organic pho-tovoltaics [J]. Appl.Phys.Lett, 2007,91 （ 11） .［ 19］ J C Bern de, Y Berredjem, L Cattin, et al.Improvement oforganic solar cell performances using a zinc oxide anode coated byan ultrathin metallic layer [J]. Appl.Phys.Lett, 2008, 92（ 8） .［ 20］ J H Schon, Ch Kloc, B Batlogg. Efficient photovoltaic en-ergy conversion in pentacene-based heterojunctions [J]. Appl.Phys.Lett, 2000, 77（ 16） 2 473-2 475.［ 21］ J van de Lagemaat, T M Barnes, G Rumbles, et al. Organicsolar cells with carbon nanotubes replacing In2O3Sn as thetransparent electrode [J]. Appl.Phys.Lett, 2006,88 （ 23） .［ 22］ M W Rowell, M A Topinka, M D McGehee, et al. Organicsolar cells with carbon nanotube network electrodes [J].Appl.Phys.Lett, 2006,88,（ 23） .［ 23］ G Li, C W Chu, V Shrotriya, et al. Efficient inverted poly-mer solar cells [J]. Appl.Phys.Lett, 2006, 88 （ 25） .［ 24］ Hua Hsien Liao, Li Min Chen, Zheng Xu, et al. Highlyefficientinverted polymer solar cell by low temperature annealing ofCs2CO3 interlayer [J]. Appl.Phys.Lett, 2008, 92 （ 17） .［ 25］ Chen Fang Chung, Wu Jyh Lih, Lee Chia Ling, et al. Flex-ible polymer photovoltaic devices prepared with invertedstructures on metal foils [J]. IEEE Electron Device Letters,2009,30（ 7） 727-729.［ 26］ Chen Tao, Guohua Xie, Cai xia Liu, et al.Semitransparentinverted polymer solar cells with MoO 3 /Ag/MoO 3 as trans-parent electrode [J]. Appl.Phys.Lett, 2009,95 （ 5） .［ 27］ M S White, D C Olson, S E Shaheen, et al. Inverted bulk-heterojunction organic photovoltaic device using a solution-derived ZnO underlayer [J]. Appl.Phys.Lett, 2006, 89（ 14） .［ 28］ Nobuyuki Sekine, Cheng-Hsuan Chou, Wei Lek Kwan, etal. ZnO nano-ridge structure and its application in invertedpolymer solar cell [J]. Organic Electronics, 2009,101473-1477.作者简介吴京京 （ 1985-） ， 女， 河南南阳人，郑州大学物理工程学院电子科学与技术系硕士，主要从事有机光电材料与器件的研究。针对此种现象，在不同的作片量阶段升高腐蚀液的温度，提高腐蚀液本身的平衡常数，从而提高腐蚀速率。这样避免了腐蚀速率随做片量增加而越来越低、偶然波动到控制线外面的可能性，降低了做出不合格产品的风险。采取措施后过程受控，控制图如图 8。图 8 采取措施后的 SPC 控制图6 结束语SPC 是一项具有“事前预防”功能的技术。当检测出生产中存在异常原因而出现失控或失控倾向时，即时发出警报，以便采取措施维持受控状态，保证产品的质量和可靠性。在微电路生产中采用统计过程控制技术，已成为保证产品质量和可靠性的一项有效手段。参考文献［ 1］贾新章，李京苑 . 统计过程控制与评价 [M]. 北京电子工业出版社 .［ 2］ Wang Chundong, Teng Baohua, Zhang Xianjun, et al. Inves-tigation of the seeding-layer effect for a ferroelectric thinfilm with the transverse Ising model [J]. Physica A, 2009,388 1 472-1478.［ 3］ Anderson B L, Anderson R L. Fundamentals of Semicon-ductor Devices [M]. New York MC Graw-Hill, 2005.作者简介赵金茹 （ 1983-） ， 女， 辽宁海城人，中国电子科技集团第 58 研究所二部腐蚀组工艺工程师，主要从事腐蚀工艺研究与开发。（上接第 37 页）吴 京 京 ， 程 东 明 ， 申 小 丹 ， 等 有 机 太 阳 能 电 池 电 极 修 饰 方 法 的 研 究 进 展