【最终稿-公开】中国光伏产业发展路线图2024-2025年(1)

中国光伏产业发展路线图 （2024-2025年） 中国光伏行业协会 赛迪智库集成电路研究所 指导单位 工业和信息化部电子信息司 承担单位 中国光伏行业协会 赛迪智库集成电路研究所 咨询专家（按姓氏笔划排序） 丁小海 万 松 弓传河 马 强 王小勇 王文静 王亚萍 王昭云 王 琤 王 莉 王莹莹 王栩生 方 艳 甘新业 田清勇 田 誉 田 磊 史旭松 丛建鸥 邢国强 邢莹莹 毕恩兵 吕锦标 朱 磊 任宇航 刘玉颖 刘亚锋 刘松民 刘宗豪 刘建东 刘 莹 刘 晓 刘 涛 许洪华 孙 云 孙丽平 纪振双 严大洲 李 峰 李 晨 李琼慧 李 锋 李新军 李 静 李燕燕 杨天锋 杨立红 肖鹏军 时璟丽 吴 倩 何 帅 宋登元 张一峰 张小明 张 军 张 迟 张 莹 张雪囡 张 敏 陆荷峰 陈达明 陈伟文 陈国清 陈奕峰 陈 嘉 欧阳洁瑜 周志英 周 肃 郑 策 宗贝贝 孟 磊 赵志国 赵旭东 胡 伟 胡 琴 南亚雄 柳 典 宫 鹏 袁 超 莫 群 贾迎雪 夏正月 夏新中 钱洪强 殷晋杰 高 原 郭大伟 诸荣耀 黄旭光 黄国华 黄 铭 梅 麟 盛 健 常传波 逯好峰 蒋方丹 韩庆辉 焦美萍 谢益敏 蔡子贺 蔡永梅 颜步一 潘和平 戴 健 编写组 刘译阳、江华、王青、丁语珊、郝敏、白桦林、张天宇、戴思源、解赓宸、凌黎明 支持单位 国家发展改革委能源研究所 国网能源研究院新能源与统计研究所 水电水利规划设计总院 电力规划设计总院 南开大学 华中科技大学 厦门大学 TCL 中环新能源科技股份有限公司 阿特斯阳光电力集团股份有限公司 安徽华晟新能源科技股份有限公司 棒杰新能源科技有限公司 北京海博思创科技股份有限公司 北京建龙重工集团有限公司 北京鉴衡认证中心有限公司 北京京运通科技股份有限公司 北京科诺伟业科技股份有限公司 北京瑞科同创能源科技有限公司 常州百佳年代薄膜科技股份有限公司 常州聚和新材料股份有限公司 常州亚玛顿股份有限公司 常州亿晶光电科技有限公司 成都中建材光电材料有限公司 大唐环境产业集团股份有限公司 东方日升新能源股份有限公司 福建金石能源有限公司 福建闽东电力股份有限公司 广州市儒兴科技股份有限公司 国家能源集团技术经济研究院 国晟世安科技股份有限公司 杭州福斯特应用材料股份有限公司 杭州纤纳光电科技有限公司 河南安彩高科股份有限公司 湖南旗滨光能科技有限公司 华为技术有限公司 华为数字能源技术有限公司 极电光能有限公司 江苏美科太阳能科技股份有限公司 江苏天合储能有限公司 江苏中信博新能源科技股份有限公司 锦浪科技股份有限公司 锦州阳光能源有限公司 晋能清洁能源科技股份公司 晶澳太阳能科技股份有限公司 晶科电力科技股份有限公司 晶科能源有限公司 昆山协鑫光电材料有限公司 龙焱能源科技杭州有限公司 隆基绿能科技股份有限公司 明冠新材料股份有限公司 宁夏银星能源股份有限公司 青岛高测科技股份有限公司 青海丽豪清能股份有限公司 三一硅能有限公司 厦门科华数能科技有限公司 陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司 陕西众森电能科技有限公司 上海爱旭新能源股份有限公司 上海海优威新材料股份有限公司 上能电气股份有限公司 上海恒羲光伏科技有限公司 深圳古瑞瓦特新能源有限公司 深圳科士达科技股份有限公司 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 深圳市首航新能源股份有限公司 深圳市英威腾光伏科技有限公司 深圳现象光伏科技有限公司 四川永祥股份有限公司 苏州博萃循环科技有限公司 苏州赛伍应用技术股份有限公司 苏州腾晖光伏技术有限公司 苏州宇邦新型材料股份有限公司 泰州中来光电科技有限公司 天合光能股份有限公司 通威股份有限公司 通威太阳能有限公司 通威新能源有限公司 无锡帝科电子材料股份有限公司 协鑫科技控股有限公司 新疆大全新能源股份有限公司 新特能源股份有限公司 亚洲硅业（青海）股份有限公司 阳光电源股份有限公司 一道新能源科技股份有限公司 英利能源发展有限公司 浙江润海新能源有限公司 浙江尚越新能源开发有限公司 浙江索特材料科技有限公司 浙江祥邦科技股份有限公司 正泰新能科技股份有限公司 中国电建集团西北勘测设计研究院有限公司 中国恩菲工程技术有限公司 中国华电科工集团有限公司 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 中国三峡新能源（集团）股份有限公司 中国新型储能产业创新联盟 序 言 气候变化是全球性问题， 世界各国认识到需要共同采取行动应对这一挑战。 巴 黎协定 等国际协议的达成， 体现了国际社会在减排温室气体、 控制全球气温上升方 面的共同意愿和责任，为全球应对气候变化提供了基本框架和目标导向。2020 年 9 月 22 日，习近平总书记在第七十五届联合国大会一般性辩论上宣布，中国力争于 2030 年前二氧化碳排放达到峰值、2060 年前实现碳中和。推进碳达峰碳中和是党 中央经过深思熟虑作出的重大战略决策， 既是对国际社会的庄严承诺， 也是推动高质 量发展的内在要求。 为实现双碳目标， 发展可再生能源势在必行， 不仅有助于推动我 国加快能源转型， 提高可再生能源的占比， 也能增强能源供应的稳定性和安全性， 降 低对传统化石能源的依赖。 各种可再生能源中， 太阳能以其清洁、 安全、 取之不尽、 用之不竭等显著优势， 已成为发展最快的可再生能源。 开发利用太阳能对调整能源结构、 推进能源生产和消 费革命、 促进生态文明建设均具有重要意义。 我国作为全球光伏制造大国， 应通过制 定光伏产业发展路线图， 引导我国光伏产业持续健康发展， 为全球光伏产业发展做出 应有贡献。 为此， 在工业和信息化部指导下， 中国光伏行业协会、 赛迪智库集成电路研究所 组织专家编制了中国光伏产业发展路线图 （以下简称路线图）。 路线图 不仅提出了技术发展方向， 也包含了产业、 市场等多方面信息， 反映了现阶段专家、 学者和企业家对光伏产业未来发展的共识。 鉴于未来产业发展受到政策、 技术、 市场、 企业、 经济环境等因素影响存在较多不确定性， 光伏产业的发展 路线图 将适时进 行动态调整以保证其能客观反映光伏产业发展现状， 合理预测未来产业发展趋势， 真 正起到行业引领作用，也希望路线图能成为全球光伏产业发展的风向标。 最后，祝愿中国光伏产业发展越来越好 中国光伏行业协会执行秘书长 前 言 经过十几年的发展， 光伏产业已成为我国少有的形成国际竞争优势、 实现端到端 自主可控、 并有望率先成为高质量发展典范的战略性新兴产业， 也是推动我国能源变 革的重要引擎。 目前我国光伏产业在制造业规模、 产业化技术水平、 应用市场拓展、 产业体系建设等方面均位居全球前列。 为引领产业发展方向， 引导我国光伏产业健康良性发展， 在工业和信息化部电子 信息司指导下， 中国光伏行业协会、 赛迪智库集成电路研究所已发布八版 中国光伏 产业发展路线图 。 在此基础上， 我们组织行业专家编制了 中国光伏产业发展路线 图（2024-2025 年）（以下简称路线图（2024-2025 年）），内容涵盖了光 伏产业链上下游各环节，包括多晶硅、硅棒/硅片、电池、组件、薄膜、逆变器、系 统、新型储能等各环节共 76 个关键指标。路线图（2024-2025 年）根据产业实 际情况，结合技术演进进程以及企业技改现状，总结了 2024 年发展情况并预测了 2025、2026、2027、2028 和 2030 年的发展趋势。这些指标体现了产业、技术、市 场等发展现状和发展趋势， 具有一定的前瞻性， 供社会各界参考。 我们将根据产业发 展变化情况及时进行修订， 使其能够更及时、 准确地反映产业的实际情况， 更好地指 导行业发展。 路线图 （2024-2025 年） 在编写过程中得到了行业主管部门、 行业专家、 产 业链各环节企业的大力支持， 在此一并表示感谢。 由于时间仓促， 编写人员阅历和能 力有限，如有不妥当之处，请不吝指正，以便我们在后续修订中进一步完善。 中国光伏行业协会 赛迪智库集成电路研究所 2025 年 2 月 27 日 目 录 一、路线图编制说明 . 1 （一）涵盖内容 . 1 （二）指标值的确定 . 1 二、中国光伏产业发展简况 3 三、产业链各环节关键指标 6 （一）多晶硅环节 .6 1、还原电耗 . 6 2、冷氢化电耗 6 3、综合电耗 7 4、水耗 8 5、蒸汽耗量 8 6、综合能耗 9 7、硅单耗 9 8、还原余热利用率 10 9、棒状硅和颗粒硅市场占比 11 10、三氯氢硅法多晶硅生产线投资成本 11 11、多晶硅人均产出量 . 12 （二）硅片环节 . 13 1、拉棒电耗 . 13 2、切片电耗 13 3、拉棒单炉投料量 14 4、耗硅量 15 5、耗水量 15 6、硅片厚度 16 7、金刚线母线直径 17 8、单位方棒在金刚线切割下的出片量 17 9、拉棒/切片单位产能设备投资额 . 18 10、硅片人均产出率 19 11、不同类型硅片市场占比 . 20 12、不同尺寸硅片市场占比 21 （三）电池片环节 22 1、各种电池技术平均转换效率 . 23 2、不同电池技术路线市场占比 23 3、电池铝浆消耗量 . 24 4、电池银浆消耗量 . 24 5、异质结电池片金属电极技术市场占比 . 26 6、栅线印刷技术市场占比 27 7、电池片发射极方块电阻 28 8、TOPCon 电池片背钝化技术市场占比 . 28 9、异质结电池片 TCO 沉积方法市场占比 . 29 10、电池正面细栅线宽度 . 29 11、各种主栅市场占比 30 12、电池线人均产出率 . 32 13、电耗 33 14、水耗 34 15、电池片单位产能设备投资额 34 （四）组件环节 35 1、不同类型组件功率 . 35 2、单/双面发电组件市场占比 35 3、不同电池片互联技术的组件市场占比 . 36 4、组件封装用钢化镀膜玻璃透光率 . 37 5、不同材质正面盖板组件市场占比 37 6、不同厚度的前盖板玻璃组件市场占比 . 38 7、不同封装材料的市场占比 39 8、树脂粒子在地化供应率 39 9、不同背板材料市场占比 40 10、组件电耗 . 41 11、组件人均产出率 . 41 12、组件单位产能设备投资额 42 （五）薄膜太阳能电池/组件 43 1、CdTe 薄膜太阳能电池/组件转换效率 43 2、CIGS 薄膜太阳能电池/组件转换效率 43 3、Ⅲ-Ⅴ族薄膜太阳能电池转换效率 44 4、钙钛矿太阳能电池转换效率 44 （六）逆变器 47 1、不同类型逆变器市场占比 . 47 2、逆变器人均产出率. 47 3、逆变器单机主流额定功率 48 4、逆变器功率密度 . 48 5、逆变器功率模块在地化供应率 49 6、逆变器主控制芯片在地化供应率 49 7、逆变器单位容量设备投资额 50 （七）系统环节 . 51 1、全球光伏新增装机量 51 2、国内光伏新增装机量 . 51 3、光伏应用市场 . 52 4、我国光伏系统初始全投资及运维成本 . 53 5、不同等效利用小时数 LCOE 估算 . 56 6、不同系统电压等级市场占比 58 7、跟踪系统市场占比 . 58 （八）新型储能环节 60 1、新型储能年度新增装机规模 61 2、不同新型储能技术市场占比 . 61 3、不同锂电储能温控技术占比 62 4、锂电储能系统年度平均价格 63 5、锂电储能系统能量转换效率 63 6、锂电储能电池单体电芯容量 64 7、锂电储能电池单体电芯循环寿命 65 8、锂电储能单体电芯质量/体积能量密度 65 1 光伏产业是半导体技术与新能源需求相结合而衍生的产业。 大力发展光伏产业， 对调整能源 结构、 推进能源生产和消费革命、 促进生态文明建设具有重要意义。 我国已将光伏产业列为国家 战略性新兴产业之一， 在产业政策引导和市场需求驱动的双重作用下， 全国光伏产业实现了快速 发展， 已经成为我国为数不多可参与国际竞争并取得领先优势的产业。 光伏产业链构成如下图所 示。 图 1 光伏产业链构成 一、路线图编制说明 （一）涵盖内容 路线图编制以为国家制定产业政策提供支撑、 为行业技术发展指明方向、 为企业战略决策提 供参考为主要目标，基于当前光伏技术和产业发展现状，从光伏产业链多晶硅、硅棒/硅片、电 池片、组件、薄膜、逆变器、系统、新型储能等各个环节抽取出可代表该领域发展水平的指标， 这些指标涵盖产业、技术、市场等各个层面。 （二）指标值的确定 本次路线图的修订，在前八版的基础上，秉持客观性、科学性、广泛性和前瞻性的原则，再 次通过调查问卷、现场调研、专家研讨等形式，广泛征求意见尤其是重点企业和专家的建议，由 此确定各环节关键指标 2024-2030 年发展现状与趋势。本次修订问卷调查以产业链各环节主要 光伏企业为主， 同时， 多次通过邮件等书面形式广泛征求企业和专家意见， 并组织 2 次以上专家 研讨会，对各个指标的合理性及必要性等进行详尽分析，以此确定指标取值。2024 年光伏行业 技术不断发展， 产业不断升级， 路线图作为指导行业发展的重要工具， 也在持续演进以适应新的 市场需求和技术趋势。经与行业专家探讨，本次路线图针对技术发展情况新增或删除部分指标， 如新增 XBC 电池和组件相关指标，栅线印刷技术市场占比增加金属板印刷市场占比指标，新增 2 刚性/柔性/钙钛矿-晶硅叠层/钙钛矿-钙钛矿叠层太阳能电池转换效率指标，删除铸锭相关指标， 删除全片、半片及多分片组件市场占比指标等，以期通过动态调整，及时反映最新的技术进展， 也为产业升级明确发展方向。 考虑到未来发展的不确定性会增加指标值预判的难度， 路线图在制定过程中力求准确预测近 期的发展方向， 中远期的预测更多代表行业各界对未来的一种趋势反映。 今后，我们仍将定期对 路线图进行更新，以不断逼近“真值”，更好地及时地反映行业发展情况，并有效指导行业发展。 3 二、中国光伏产业发展简况 多晶硅方面，2024 年，全国多晶硅产量达 182 万吨，同比增长 23.6。 图 2 2010-2024 年全国多晶硅产量情况（单位万吨） 硅片方面，2024 年全国硅片产量约为 753GW，同比增长 12.7。 图 3 2010-2024 年全国硅片产量情况（单位GW） 182 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 753 0 200 400 600 800 4 电池片方面，2024 年，全国电池片产量约为 654GW，同比增长 10.6。 图 4 2010-2024 年全国电池片生产情况（单位GW） 组件方面，2024 年，全国晶硅组件产量达到 588GW，同比增长 13.5。 图 5 2010-2024 年全国晶硅组件生产情况（单位GW） 654 0 100 200 300 400 500 600 700 588 0 100 200 300 400 500 600 5 光伏市场方面，2024 年全国太阳能光伏新增装机容量 277.57GW，光伏累计并网装机容量 超过 880GW，新增和累计装机容量均为全球第一。 图 6 2010-2024 年全国太阳能光伏新增装机容量（单位GW） 产品效率方面， 2024 年， 规模化生产的 n 型 TOPCon 电池片行业平均转换效率达到 25.4， HJT 电池片行业平均转换效率达到 25.6，XBC 电池片行业平均转换效率达到 26.0。 图 7 2008-2024 年国内电池片量产转换效率发展趋势 2 7 7 .5 7 0 5 0 1 0 0 1 5 0 2 0 0 2 5 0 3 0 0 2 3 . 5 2 5 . 4 2 5 . 6 2 6 . 0 1 4 .0 1 6 .0 1 8 .0 2 0 .0 2 2 .0 2 4 .0 2 6 .0 2 8 .0 多 晶 电池 片 单晶电池片 黑 硅多晶 P E R C 黑硅多晶 P E R C 单 晶 n - T O P C o n 电池片 n - H J T 电池片 n - X B C 电池片 6 三、产业链各环节关键指标 （一）多晶硅环节 1 1、还原电耗 多晶硅还原是指三氯氢硅和氢气发生还原反应生成高纯硅料的过程，其电耗包括硅芯预热、 沉积、保温、结束换气等工艺过程中的电力消耗。2024 年随着还原炉炉型规格变大、硅芯尺寸 的增加，设备稳定性得到提升，多晶硅还原电耗指标进一步下降，平均还原电耗较 2023 年下降 3.5，为 41.5kWh/kg-Si。未来随着气体配比的不断优化、大炉型的投用和稳定生产，还原电耗 仍将呈现持续下降趋势，到 2030 年还原电耗有望下降至 37.0kWh/kg-Si。 图 8 2024-2030 年还原电耗变化趋势（单位kWh/kg-Si） 2、冷氢化电耗 冷氢化技术是把多晶硅生产过程中的副产物四氯化硅SiCl 4 转化为三氯氢硅SiHCl 3 的技术， 其电耗包括物料供应、 氢化反应系统、 冷凝分离系统和初馏系统的电力消耗。各企业在物料供应 环节使用不同的加热方式，如电加热、导热油加热、蒸汽加热等，因此各企业冷氢化电耗存在差 异。得益于氢化量的降低，2024 年冷氢化平均电耗同比下降 12.5，在 3.5kWh/kg-Si 左右，到 2030 年有望下降至 2.8kWh/kg-Si。技术进步的手段包括使用大炉型、开发新型反应催化剂、提 高工艺环节中热能回收利用率、提高反应效率等。 1 本章节若无特殊注明，均为三氯氢硅法棒状硅的生产指标。多晶硅生产各环节工序划分、能源消耗种类、 计量和计算方法按多晶硅企业单位产品能源消耗限额GB29447 执行。 36.0 38.0 40.0 42.0 2024年 2025年 2026年 2027年 2028年 2030年 7 图 9 2024-2030 年冷氢化电耗变化趋势（单位kWh/kg-Si） 3、综合电耗 综合电耗是指工厂生产单位多晶硅产品所耗用的全部电力，包括合成、电解制氢、精馏、还 原、 尾气回收和氢化等环节的电力消耗。 由于各家生产工艺不同， 因此综合电耗有一定差异。 2024 年， 多晶硅平均综合电耗已降至 54.5kWh/kg-Si， 同比下降 4.4。 未来随着生产装备技术提升、 系统优化能力提高、生产规模增大等因素影响，预计至 2030 年有望下降至 49kWh/kg-Si。目前 硅烷流化床法颗粒硅综合电耗较三氯氢硅法棒状硅低 55-68。 图 10 2024-2030 年综合电耗变化趋势（单位kWh/kg-Si） 2.5 2.8 3.1 3.4 3.7 2024年 2025年 2026年 2027年 2028年 2030年 48.0 51.0 54.0 57.0 2024年 2025年 2026年 2027年 2028年 2030年 8 4、水耗 2 水耗是指生产单位多晶硅产品所需要补充的水量，水的消耗主要包括蒸发、清洗等。2024 年，多晶硅平均水耗在 60.0kg/kg-Si 的水平，同比下降 25。新疆地区气候干燥，蒸发量大， 水耗较行业平均值高， 数据综合了青海、 内蒙、 四川、 新疆等各大产区的数据。 预计到 2030 年， 通过余热利用降低蒸发量， 精馏塔排出的物料再回收利用降低残液处理水耗等措施， 可将耗水量 控制在 43kg/kg-Si 的水平。目前硅烷流化床法颗粒硅水耗较三氯氢硅法棒状硅低 30左右。 图 11 2024-2030 年水耗变化趋势（单位kg/kg-Si） 5、蒸汽耗量 蒸汽耗量是指生产单位多晶硅产品外购蒸汽量， 不考虑还原炉余热利用所产生的蒸汽 （该能 量已通过电力的形式计入）。蒸汽的补充主要用于精馏、冷氢化、尾气回收等环节。2024 年部 分企业已实现零外购蒸汽量，考虑到新疆等寒冷地区的特殊地域需求，2024 年企业蒸汽耗量均 值为 7.7kg/kg-Si 左右，同比下降 15.4。随着企业还原余热利用率提升，提纯、精馏系统优化 等，2030 年企业蒸汽耗量将降至 5.1kg/kg-Si。目前硅烷流化床法颗粒硅蒸汽耗量是三氯氢硅法 棒状硅的 3 倍左右。 2 为详细展示水耗指标变化情况，2024 版路线图水耗单位从 t/kg-Si 修改为 kg/kg-Si。 40 50 60 70 2024年 2025年 2026年 2027年 2028年 2030年 9 图 12 2024-2030 年蒸汽耗量变化趋势（单位kg/kg-Si） 6、综合能耗 综合能耗包括多晶硅生产过程中所消耗的天然气、煤炭、电力、蒸汽、水等。综合各大区域 和新建产能的情况，2024 年三氯氢硅法多晶硅企业综合能耗平均值为 7.4kgce/kg-Si， 同比下降 8.6，随着技术进步和能源的综合利用，到 2030 年预计可降到 6.5kgce/kg-Si。 图 13 2024-2030 年综合能耗变化趋势（单位kgce/kg-Si） 7、硅单耗 硅单耗指生产单位高纯硅产品所耗费的硅量，主要包括合成、氢化工序，外购硅粉、三氯氢 硅、 四氯化硅等含硅物料全部折成纯硅计算， 外售氯硅烷等按含硅比折成纯硅计算， 从总量中扣 除。2024 年，硅烷流化床法与三氯氢硅法硅耗均在 1.07kg/kg-Si 水平，且未来 5 年内变化幅度 3.0 5.0 7.0 9.0 2024年 2025年 2026年 2027年 2028年 2030年 6.0 7.0 8.0 9.0 2024年 2025年 2026年 2027年 2028年 2030年 10 不大。随着氢化水平的提升，副产物回收利用率的增强，预计未来新上项目会拉低硅耗水平，到 2030 年将降低到 1.06kg/kg-Si。 图 14 2024-2030 年硅单耗变化趋势（单位kg/kg-Si） 8、还原余热利用率 还原余热利用率是指回收利用还原工艺中热量占还原工艺能耗比。2024 年，多晶硅还原余 热利用率平均水平在 82.0，较 2023 年提升了 0.1 个百分点。随着多晶硅工厂大炉型的使用， 节能技术的进步，以及低品位热的利用，余热利用率有望进一步提升，但上升空间有限，考虑设 备本身散热和尾气带走热等影响，预计 2030 年还原余热利用率将会达到 83.0。 图 15 2024-2030 年还原余热利用率变化趋势 1.00 1.02 1.04 1.06 1.08 1.10 2024年 2025年 2026年 2027年 2028年 2030年 80 81 82 83 84 85 2024年 2025年 2026年 2027年 2028年 2030年 11 9、棒状硅和颗粒硅市场占比 当前主流的多晶硅生产技术主要有三氯氢硅法和硅烷流化床法， 产品形态分别为棒状硅和颗 粒硅。2024 年棒状硅市场占比为 85.6，颗粒硅占 14.4 。未来随着下游市场对颗粒硅的逐渐 认可，以及拉晶技术的进步，颗粒硅的市场占比有望继续提升，2030 年颗粒硅与棒状硅市场占 比分别可达 23.9和 76.1。 图 16 2024-2030 年棒状硅和颗粒硅市场占比变化趋势 10、三氯氢硅法多晶硅生产线投资成本 多晶硅生产线投资主要包含土建、 设备、 安装费用， 其中设备投资成本占比 55-60。 2024 年随着材料成本的下降，万吨级多晶硅生产线投资成本为 0.8 亿元/千吨，较 2023 年下降 0.1 亿 元/千吨。随着生产装备技术的进步、单体规模的提高和工艺水平的提升，三氯氢硅法多晶硅生 产线投资成本逐年下降。预计到 2030 年，千吨投资可下降至 0.70 亿元。 图 17 2024-2030 年三氯氢硅法多晶硅生产线投资成本变化趋势（单位亿元/千吨） 0 25 50 75 100 2024年 2025年 2026年 2027年 2028年 2030年 棒状硅 颗粒硅 0.60 0.70 0.80 0.90 2024年 2025年 2026年 2027年 2028年 2030年 12 11、多晶硅人均产出量 随着多晶硅工艺技术瓶颈不断突破， 工厂智能化制造水平的不断提升， 多晶硅工厂的直接员 工的人均产出 （不含管理人员） 也快速提升。 2024 年多晶硅生产线人均产出量为 70 吨/人年， 同比提升 16.7，这与单线产能提升、系统集成化等因素有关。随着多晶硅新投产线单线规模增 大，自动化程度提升，人均产出量将会有较大幅度的增长，到 2030 年提高到 95 吨/人年。 图 18 2024-2030 年多晶硅生产线人均产出量变化趋势（单位吨/人年） 60 70 80 90 100 2024年 2025年 2026年 2027年 2028年 2030年 13 （二）硅片环节 3 1、拉棒电耗 单晶拉棒电耗是指直拉法生产单位合格单晶硅棒所消耗的电量， 可以通过改善热场、 保温性 能、提升设备自动化、智能化程度、提高连续拉棒技术等方法，降低拉棒生产电耗。2024 年， 拉棒平均电耗水平从 2023 年 23.4kWh/kg-Si 下降至 22.3kWh/kg-Si（方棒）。 图 19 2024-2030 年拉棒电耗变化趋势（单位kWh/kg-Si） 注方棒指硅棒开方之后的产品，本指标数据范围含开方电耗。 2、切片电耗 切片电耗是指通过切片工序， 从方棒到成品硅片所消耗的电量。 2024 年， 切片电耗约为 7.9 万 kWh/百万片，较 2023 年小幅下降，主要原因是硅片市场的薄片化，切片装备技术提升，出 片率、良率增加。未来，硅棒棒长增长、产线切速提升、细线化和薄片化带来的单次出片量增加 等都将促进切片电耗继续下降。 3 若无特殊说明，本环节指标均以生产 182mm 尺寸硅片为基准。由于铸锭市场缩减，因此本年度开始删除 铸锭相关指标。 17.0 19.0 21.0 23.0 25.0 2024年 2025年 2026年 2027年 2028年 2030年 14 图 20 2024-2030 年切片电耗变化趋势（单位万 kWh/百万片） 3、拉棒单炉投料量 拉棒单炉投料量是指一只坩埚用于多次拉棒生产的总投料量， 其中坩埚使用时间为关键因素 之一。2024 年，拉棒单炉投料量约为 3700kg，较 2023 年的 3300kg 有较大幅提升，主要是由 于大尺寸热场配置的增加及其稳定性的提高、 坩埚质量不断提升等原因。 未来随着坩埚制作工艺、 拉棒技术的不断提升以及坩埚使用的优化， 投料量仍有较大增长空间， 或向着连续投料的方向发 展。 图 21 2024-2030 年拉棒单炉投料量变化趋势（单位kg） 6.4 6.8 7.2 7.6 8.0 2024年 2025年 2026年 2027年 2028年 2030年 3,000 3,500 4,000 4,500 5,000 2024年 2025年 2026年 2027年 2028年 2030年 15 4、耗硅量 耗硅量是指生产每公斤方棒（含边皮复投料）所消耗的多晶硅原料量（按年度统计）。2024 年拉棒耗硅量为 1.060kg/kg，与 2023 年基本持平。未来随着降低清洗、破碎环节的损耗，生产 环节环境控制，降低埚底料比例，优化机加环节精度控制，减少机加工损耗量，提升降级硅料的 分级和处理技术等，都将促使拉棒耗硅量继续下降。 图 22 2024-2030 年拉棒耗硅量变化趋势（单位kg/kg） 5、耗水量 切片工序取水量包括切片、脱胶、插片、清洗等所有环节的生产设备、辅助设备、污水处理 设备等取水量或分摊量，不包含办公区域及生活用水（纯水量应折算成新鲜水量）。2024 年切 片环节耗水量，较 2023 年下降 160t/百万片，达到 710t/百万片，主要原因是片厚减薄，单刀切 片量提升，同时配合了其他节水措施，例如清洗工艺优化等措施。未来通过循环用水、水的回收 再处理再应用、工艺水平提升、清洗剂的性能优化等方法，耗水量将逐步下降。 0.9 1.0 1.1 1.2 2024年 2025年 2026年 2027年 2028年 2030年 16 图 23 2024-2030 年耗水量变化趋势（单位t/百万片） 6、硅片厚度 薄片化有利于降低硅耗和硅片成本， 但会影响碎片率。 目前切片工艺完全能满足薄片化的需 要，但硅片厚度还要满足下游电池片、组件制造端的需求。硅片厚度对电池片的自动化、良率、 转换效率等均有影响。2024 年，p 型单晶硅片平均厚度在 150μm 左右，与 2023 年持平。由于 多晶硅价格持续下降，硅片减薄动力减弱，用于 TOPCon 电池的 n 型硅片平均厚度为 130μm， 较 2023 年增加 5μm，用于异质结电池的硅片平均厚度为 110μm，较 2023 年下降 10μm。 图 24 2024-2030 年硅片厚度变化趋势（单位μm） 注单晶硅片厚度-n 型硅片-HJT 以异质结半片硅片为基准。 560 600 640 680 720 2024年 2025年 2026年 2027年 2028年 2030年 80 100 120 140 160 2024年 2025年 2026年 2027年 2028年 2030年 单晶硅片厚度-p型硅片 单晶硅片厚度-n型硅片-TOPCon 单晶硅片厚度-n型硅片-HJT 17 7、金刚线母线直径 金刚线母线直径及研磨介质粒度同硅片切割质量及切削损耗量相关， 较小的线径和介质粒度 有利于降低切削损耗和生产成本。金刚线主要分为高碳钢丝线和钨丝线，2024 年，用于单晶硅 片的高碳钢丝母线直径为 35μm， 较 2023 年小幅下降。 鉴于钨丝线的应用日益广泛， 预计 2026 年后， 高碳钢丝线将几乎完全被钨丝线所取代， 高碳钢丝线母线直径将维持在 32μm。 2024 年， 用于单晶硅片的钨丝母线直径为 33μm，且随着硅料继续降本硅片薄片化、大尺寸化，双轮驱 动钨丝母线的应用渗透，钨丝母线直径将不断下降。 图 25 2024-2030 年金刚线母线直径变化趋势（单位μm） 注高碳钢丝母线直径及钨丝线母线直径均为等效线径。 8、单位方棒在金刚线切割下的出片量 随着金刚线直径降低以及硅片厚度下降，等径方棒每公斤出片量将增加。2024 年 p 型 182mm 尺寸每公斤单晶方棒出片量约为 61 片， p 型 210mm 尺寸每公斤单晶方棒出片量约为 46 片。n 型 182mm 尺寸 TOPCon 每公斤单晶方棒出片量约为 69 片，n 型 210mm 尺寸 TOPCon 每公斤单晶方棒出片量约为 52 片。n 型 182mm 尺寸 HJT 每公斤单晶方棒出片量约为 154 片， n 型 210mm 尺寸 HJT 每公斤单晶方棒出片量约为 116 片。n 型 210R 尺寸 TOPCon 每公斤单晶 方棒出片量约为 60 片，n 型 210R 尺寸 HJT 每公斤单晶方棒出片量约为 131 片。未来随着 p 型 硅片使用减少，预计 2026 年后 p 型硅片的出片量将维持不变。 20 25 30 35 40 45 2024年 2025年 2026年 2027年 2028年 2030年 高碳钢丝母线直径-单晶 钨丝线母线直径-单晶 18 图 26 2024-2030 年每公斤方棒在金刚线切割下的出片量变化趋势（单位片） 注本指标出片数 n 型单晶 182-HJT、n 型单晶 210-HJT 以及 n 型单晶 210R-HJT 以半片计算，其余均以整片计算。 9、拉棒/切片单位产能设备投资额 2024 年，由于拉棒环节扩产规模相对较小，叠加自动化水平的提升导致装备投入的增加， 单位产能设备投资额（包括机加环节）为 4.4 万元/吨，较 2023 年下降 0.2 万元/吨。随着单晶 拉棒设备供应能力提高及技术进步， 设备投资成本呈逐年下降趋势。 切片环节单位产能设备投资 是指从方棒到制成硅片的设备投资，2024 年为 20 万元/百万片，未来呈逐渐下降的趋势，但是 如果加入自动化设备，切片环节设备投资额的变化趋势可能持平甚至增加。 图 27 2024-2030 年拉棒环节设备投资成本变化趋势（单位万元/吨） 40 60 80 100 120 140 160 180 2024年 2025年 2026年 2027年 2028年 2030年 P型单晶182 P型单晶210 n型单晶182-TOPCon n型单晶210-TOPCon n型单晶182-HJT n型单晶210-HJT n型单晶-210R-TOPCon n型单晶-210R-HJT 2.0 4.0 6.0 2024年 2025年 2026年 2027年 2028年 2030年 19 图 28 2024-2030 年切片环节设备投资成本变化趋势（单位万元/百万片） 10、硅片人均产出率 硅片人均产出主要指产线直接员工的人均产出 （不含管理人员） 。 随着工厂自动化水平的不 断提升，单位产能逐步增加，硅片工厂的人均产出也快速提高。2024 年，硅片产线单晶环节拉 棒（方棒）人均产出率为 29.4 吨/人 年，切片人均产出率为 2.5 百万片/人 年。随着自动 化水平的提升，预计单晶拉棒（方棒）人均产出和切片人均产出均会有所增加。 图 29 2024-2030 年拉棒（方棒）人均产出率变化趋势（单位t/人 年） 12 14 16 18 20 22 2024年 2025年 2026年 2027年 2028年 2030年 0 20 40 60 2024年 2025年 2026年 2027年 2028年 2030年 20 图 30 2024-2030 年切片人均产出率变化趋势（单位百万片/人 年） 11、不同类型硅片市场占比 4 2024 年，多晶产品市场份额被单晶产品几乎完全取代，单晶硅片（p 型n 型）市场占比已 接近 100。随着 n 型产品的释放，p 型单晶硅片市场占比减少至 27.5，n 型单晶硅片占比增 长至 72.5。未来随着下游对 n 型单晶产品的需求增大，其市场占比也将进一步提升。 图 31 2024-2030 年不同类型硅片市场占比变化趋势 4 本环节市场占比是各类产品在国内硅片企业总出货量（含出口）中的占比。 0.0 2.0 4.0 6.0 2024年 2025年 2026年 2027年 2028年 2030年 0 25 50 75 100 2024年 2025年 2026年 2027年 2028年 2030年 n-type 单晶硅 p-type 单晶硅 21 12、不同尺寸硅片市场占比 2024 年市场上硅片尺寸种类多样，包括 166mm 及以下硅片、182mm 方片、微矩形片、矩 形片、210mm 方片等，且各占有一定的市场份额。其中，166mm 及以下、182mm 方片以及微 矩形硅片占比分别为 1.3、23、30，但接下来几年占比都将逐步减少，预计 166mm 及以下 尺寸硅片、 182mm 方片、 微矩形片 2026 年-2028 年之间将逐渐淡出市场； 2024 年， 210mm 方 片及矩形尺寸硅片市场占比分别为 19.0、26.7，以目前来看，矩形片可能成为未来的市场主 流尺寸，市场占比或将迅速增长，但仍需要市场的不断验证。 图 32 2024-2030 年不同尺寸硅片市场占比变化趋势 注 166mm 及以下尺寸硅片主要包括 M2 单晶硅片、 标准多晶硅片、 157mm 多晶硅片、 161.7mm 全方片、 161.7mm 类方片、163mm 类方片、166mm 类方片硅片等； 微矩形尺寸硅片主要包括182*183.75mm、182*185.3mm 等； 矩形尺寸硅片主要包括182*105mm 半片、210*105mm 半片及矩形 182*188mm、182*191.6mm、 182*199mm、182*210mm 等。 0