黑硅的形貌结构对晶体硅电池性能影响研究-姬濯宇

黑硅的形貌对晶体硅电池性能影响研究 陕西 ，西安， 2018 CSPV， 2018年 11月 8-10 姬濯 宇 *、孙恒超、高志博、姜伟、 贾锐 * Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China 中国科学院微电子研究所 中科立晟新能源技术有限公司 中科信电子装备有限公司 2018-11-10 jizhuoyuime.ac.cn / jiaruiime.ac.cn 1、中科院微电子所黑硅工艺介绍 2、 中科院微电子所黑硅电池 3、黑硅结构对电池性能造成的影响 4、结论 提 纲 中科院微电子所黑硅研究历史 这个过程也是对黑硅工艺和黑硅电池的光电转换 不断深入的一个过程 无 Ag 无金属 陷光技术， 是 提升电池效率的有效 途径 Cu一步法黑硅绒面 结构和 Ag高度相似 制程简单 废液容易处理 添加剂种类少 2种 尺寸 700-1100nm 丘陵状小突起 200-500nm 纳米结构金字塔 200-600nm 平躺三角锥形 1000-2000nm 亚微米弹坑形 500-800nm 无金属催化方法黑硅 300-1000nm独立创新 局部放大 1、中科院微电子所黑硅工艺介绍 2、 中科院微电子所黑硅电池 3、黑硅结构对电池性能造成的影响 4、结论 提 纲 不同结构 尺寸的单晶倒金字塔黑硅 大 小 均 匀 不同条件处理的单晶倒金字塔黑硅反射率 最低加权平均 反射率为 4.5 单晶黑硅片无色差 单晶黑电池片无色差 1、中科院微电子所黑硅工艺介绍 2、 中科院微电子所黑硅电池 3、黑硅结构对电池性能造成的影响 4、结论 提 纲 编号 是否进行黑硅制 绒 后处理 中 HNO3 HF H2O2H2O 腐蚀时间 C1 无黑硅 C2 有黑硅 C3 有黑硅 1531 20 1min C4 有黑硅 1531 20 3min C5 有黑硅 1531 20 6min 黑硅后处理工艺对于电池性能的影响 。 对相同的黑硅结构进行不同时间的后处 理， C1常规酸制绒后的金刚线切割的多晶硅片表面； C2黑硅表面； C3黑硅后，后处理 1min； C4黑硅后，后处理 3min； C5黑硅后，后处理 5min。 黑硅太阳电池的制备及性能分析 结 论 1. 黑硅虽然都可以达到陷光的目的，但不同的结构陷 光机理不同； 2. 黑硅的后处理工艺，对于黑硅效率有着显著影响 3.不同 的黑硅结构会对电池性能造成显著影响； 谢谢 jizhuoyuime.ac.cn / jiaruiime.ac.cn