HIT之后的非晶硅晶体硅异质结光伏技术发展-周浪

HIT之后 的 双面 非晶硅 /晶体 硅 异质结 HAC光伏技术发展 Post HIT development of HAC-based PV technology Haibin Huang Jiren Yuan Lang Zhou Institute of Photovoltaics, Nanchang University 黄海 宾 袁吉仁 周 浪 南昌大学 光伏研究院 2018-11-08 CSPV-14 HIT之前 （ before HIT 第一个 a-Si/c-Si 异质结器件 R. Grigorovici, N. Croitoru, M. Marina, und L. Nastase, “ Heterojunctions Between Amorphous Si and Si Single Crystals,” Review Roumaine Physics, vol. 13, 1968, S. 317-325. （ 罗马尼亚 1968 ） 第一个氢钝化非晶硅异质结 a-SiH/c-Si Heterojunctions of Amorphous Silicon and Silicon Sinqle Crystals. W. Fuhs, К. Niemann and J. Stuke, Fachbereich Physik, University of Marburg, Germany, American Physical Soc. Bulletin, 1974 第一个 HAC太阳电池 K. Okuda, H. Okamoto, und Y. Hamakawa, “ Amorphous Si/Polycrystalline Si Stacked Solar Cell Having More Than 12 Conversion Efficiency,” Japanese Journal of Applied Physics, vol. 22, 1983, S. L605-L607. 非晶硅 /晶体硅异质结 （ Heterojunction of Amorphou silicon / Crystalline silicon, 以下简称 HAC） 的发展历史 HIT heterojunction with intrinsic layer太阳电池是基于 HAC的太阳电 池 的 成功 代表，其它一些 HAC电池 的设计都被淘汰， HIT几乎 成为了 HAC电池的代名词。 非晶硅 /晶体硅异质结 （ Heterojunction of Amorphou silicon / Crystalline silicon, 以下简称 HAC） 太阳电池 概况 HAC 的先天优点开路电压高；温度系数低（反向饱 和电流密度低 ） HAC 太阳电池 概况 HAC-HIT优点 双面进 光，高开路电压高转换效率，低 温度系数；弱光响应；制程工序短温度低； 但它远非完美 器件结构方面非晶硅层、 TCO层吸光损耗大；低温 Ag栅 线阻值高。 其短路电流实际明显低于同质结晶硅电池，实 完全倚仗高开压取胜 材料成本 TCO、 Ag的消耗量大 装备成本多道真空纳米级薄膜设备和大面积千级超净区。 光的寄生吸收损失 高串联电阻 In haibinhuangncu.edu.cn XIE XIE