光伏系列报告：产业化加速，HIT正酝酿着突破

p光伏系列报告产业化加速，HIT正酝酿着突破 来源电新产业研究作者游家训团队 P-PERC 等技术变革带来的红利推动了度电成本的显著下降与行业的一轮大发展，当前，光伏产业正处在新一轮技术大发展的前夜，其中，高效电池与大硅片可能是未来几年最有希望获得突破的方向，其在众多高效电池技术路线中，HIT 具有一些突出的物理特性和优势。近几年，国内外部分企业开始 HIT 电池的商业化尝试与推广，当前的主要矛盾是 PECVD 等核心装备的可用性，再之后可能是继续提高效率与耗材降本。综合产业端的现状，我们认为 HIT 电池产业化在加速，并且可能正在酝酿着突破。摘要 1.光伏行业处于新一轮技术大发展的前夜高效电池与大硅片的可能是光伏行业未来几年最有希望获得突破的重要方向。在电池片领域，N 型电池是目前业内最认可的技术路线，N 型电池最主要的两个方向为 HIT 和 TOPCon，HIT 由于其优势显著且降本路径比较清晰，有可能成为下一代的主流技术。2.HIT 具有优秀的物理特性与一定优势HIT 一般采用 N 型路线，具备更高效、衰减低、温度系数好、双面率高等突出优势。目前全球最高效率是日本钟渊创造的 26.7，国内最高已经可以做到 25.11。现有产线的量产效率普遍在 23.5-24，未来效率继续提升空间较 大。HIT 主要劣势是造价高，目前主要应用在一些 BOS 成本较高的市场。按照现有 BOM 和BOS 成本水平，1的效率优势可以带来 0.08-0.10 元/瓦的溢价，随着其效率提升与成本下降，HIT 应用市场会不断扩大。3.产业化在加速，突破可能在酝酿中当前，全球 HIT 产能约 3GW，其中，REC 在 2019年投运了 600MW 商业化项目，国内一批企业也开始商业化前的尝试与导入，估算规划产能超过 20GW，并且 2020 年 Q2-3 将有一批标杆项目投运。装备方面，过去两年主要装备企业 在转化效率等方面获得较大进展，国内相关装备上市公司也多将 HIT 作为重点投入方向。设备端清洗制绒、PVD/RPD、丝网印刷都已突破，唯一的难点在于 PECVD，海内外众多企业都在集中攻关以提高 PECVD 的节拍、稳定性、均匀性，并降低设备价格，明年可能会有较大突破。除 PECVD 等核心设备外，低温银浆、靶材研发也有较大的突破与进展。4.投资建议继续推荐隆基股份、通威股份，推荐东方日升、山煤国际招商煤炭，设备环节推荐金辰股份、捷佳伟创机械联合、迈为股份机械联合，辅材关注苏州固锝。 风险提示HIT 电池成本降低进度不及预期、量产效率提升不及预期。 1.异质结电池工艺概览1.1 异质结电池简介将 P 型半导体和 N 型半导体结合在一起时，在其交界面形成的空间电荷区称为 PN 结，PN 结具有单向导电性和反向击穿效应，是半导体器件和光伏电池的主要结构单元。根据 PN结内部结构的不同，分为同质结和异质结。HIT 电池是由晶硅衬底和非晶硅薄膜构成，因此称为异质结电池。 异质结电池最早由日本三洋于 1990 年研发成功，HIT 这个称谓由三洋提出，并被注册为商标，后来进入异质结领域的企业为了避免专利纠纷而采用了不同称谓，比如 HJT、SHJ、HDT等，其含义是一样的，并不意味着技术分支。HITHeterojunction with Intrinsic Thin-layerHJTHeterojunction solar cellSHJSilicon Heterojunction solar cell HDTHigh efficiency Hetero-junction Double-side Technology Solar Cells 1.2 异质结电池结构异质结电池一般是以 N 型硅片为衬底，在正面依次本征富氢非晶硅薄膜和 N 型非晶硅薄膜，然后在背面依次沉积本征非晶硅薄膜和 P 型非晶硅薄膜。在非晶硅薄膜两侧再沉积80-100nm 的透明导电氧化物薄膜 TCO，最后通过丝网印刷在两侧制备金属电极，再烧结退火，这样就制成了异质结电池。传统异质结电池以 P 层为入光面，近年来业内普遍改为 N 型作入光面，在电池结构上形 成 TCO-N-i-N-i-P-TCO 对称结构。 异质结电池能否以 P 型硅片作衬底理论上可以，但实际生产中普遍使用 N 型硅片P 型硅片少子寿命低，输出性能弱于 N 型。P 型硅片能带匹配度不如 N 型。N 型硅片更容易钝化，钝化以提高开路电压是 HIT 电池的精髓。根据隆基官网的 N 型和 P 型产品说明书，P 型硅片少子寿命大于 50 微秒，而 N 型硅片 少子寿命大于 1000 微秒，相差 20 倍。在 P 型半导体中，空穴是主要载流子，简称多子，电子是少数载流子，简称少子。在 N型半导体中，电子是主要载流子，简称多子，空穴是少数载流子，简称少子。硅片中 Cu、Au以及硼氧对等杂质对电子的俘获能力远远大于对空穴的俘获能力。N 型硅片中，少子是空穴，更难被俘获，因此少子寿命更高。 1.3 异质结电池生产工艺异质结电池生产只有四大环节，依次是清洗制绒、非晶硅沉积、TCO 沉积、丝印烧结，相较于 PERC 和 TOPCON 工序大幅缩短。 1 清洗制绒清洗制绒是电池制造的第一步，N 型电池使用碱制绒，实现 3 个目的 清除表面油污和金属杂质、去除机械损伤层、制成金字塔绒面，减少阳光反射。和 PERC 相比，HIT 需要制作大绒面，以获得更好的钝化效果。 2 制备非晶硅薄膜硅片在 PECVD 设备中制做钝化膜和 PN 结。HIT 的高效率根源于本征非晶硅薄膜优良的钝化效果。晶硅表面存在大量的悬挂键，光照激发的少数载流子到达表面后容易被悬挂键俘获而复合，降低电池效率。通过在硅片两侧沉积富氢的本征非晶硅薄膜，可以将悬挂键氢化，有效降低界面态缺陷，显著提高少子寿命，增加开路电压，进而提高电池效率。每一层膜的厚度只有 4-10nm，但每 1-2nm 实现的功能不一样，制备工艺也不一样，因此本征和掺杂非晶硅薄膜需要在多个腔体中完成，PECVD 中要导入多腔室沉积系统。 3 沉积金属氧化物导电层硅片沉积完非晶硅薄膜之后就进入 PVD 或 RPD 设备，沉积透明金属氧化物导电膜 TCO。TCO 纵向收集载流子并向电极传输。非晶硅层晶体呈长程无序结构，电子与空穴迁移率较低，横向导电性较差，不利于光生载流子的收集，因此需要在正面掺杂层上方沉积一层 75-80nm 厚的 TCO，用于纵向收集载流子并向电极传输。TCO 可以减少阳光反射。TCO 膜在可见光范围内波长 380-760nm具有 80以上的穿透率，且电阻很低，其成分主要为 In、Sb、Zn、Sn、Cd 及其氧化物的复合体。目前应用最广泛的是 ITO、SCOT、IWO、 AZO。TCO 制备存在 PVD 和 RPD 两种路线，目前业内企业出于成本考虑大多选择 PVD 路线。 4 丝印烧结异质结电池生产最后一步是丝印烧结，制备金属电极并烧结固化。HIT 是低温工艺，因此需要使用低温银浆和低温退火工艺。HIT 电池双面都使用低温银浆，不区分正银和背银，价格较高，且消耗量较高，因此业内有部分企业尝试使用镀铜工艺来制作电极。镀铜工艺不使用银浆，因此成本低廉，但其工艺复杂，且废液排放存在严重的环保制约，因此并未成为主流。 2.异质结电池优势显著2.1 转换效率高电池效率开路电压*短路电流*填充因子。HIT 高转化效率源于高开路电压，HIT 开路电压可以接近 750mv，而 PERC 电池普遍低于 700mv。HIT 的高开路电压源于两点氢化本征非晶硅薄膜优良的钝化效果光生载流子可以贯穿氢化非晶硅薄膜，因此不需要激光开膜制作金属电极和硅片之间的欧 姆接触接触面有大量悬挂键，容易产生复合。根据美国国家可再生能源中心公布的技术进展图，目前 HIT 研发效率世界纪录是 26.7，由日本钟渊化学创造。国内异质结电池最高纪录是汉能在今年 11 月公布的 25.11，使用M2 硅片和常规设备，这也是全球 8 寸片 HIT 电池最高效率。由于 MBB 技术和光致再生技术的导入，目前 HIT 的研发效率普遍已经超过 24。 REC 新加坡 600MW 项目效率已经达到 24.3，其他企业普遍在 23.5-24。随着 HIT产业不断壮大，研发投入增多，电池效率有望继续提升微晶硅/纳米晶硅导入，非晶硅薄膜钝化效果提升，进一步提高开路电压MBB 多主栅技术导入并优化，降低电池内阻，并减少遮光面积 靶材品质提升，效率可以提高 0.x;银浆品质提升，效率可以提升 0.x;光致再生技术的完善，效率可以提升 0.3;明年国内投产的 HIT 产线预计效率都可以突破 24，潜力可以看到 26，未来还可以跟IBC 结合做 HBC 电池或者跟钙钛矿结合做叠层电池，叠层效率预计 28起步。 2.2 低衰减HIT 特殊的电池结构使得衰减显著低于 PERC 电池。表面 TCO 具有导电性，电荷不会在表面产生极化现象，无电位诱导衰减 PID。 N 型硅片掺磷，不会产生硼氧复合体和铁硼复合体，光致衰减 LID 很小。HIT 电池的首年衰减和年均衰减均低于 PERC 电池，并得到电站发电实证。 2.3 低温度系数 组件的温度系数衡量输出功率随组件温度升高而下降的程度。阳光照射下组件表面不断升温，电池的开路电压不断下降，进而导致输出功率下降。HIT 相较于其他类型电池，具备非常显著的低温度系数。 2.4 高双面率HIT 电池双面率较高。HIT 电池正反面三层膜和 TCO 都是透光的，且结构对称，天然就是双面电池，其双面率可以轻松做到 90以上，甚至达到 98的水平。PERC 电池双面率可以做到 80-85。HIT 电池对等效功率的增益比 PERC 电池高 10W 左右，正好两个档位，可以溢价 1.5 分/瓦。 2.5 HIT 应该会有一定溢价HIT 电池的高效率、低衰减、低温度系数、高双面率最终都会体现到电池价格上。根据我们的大致测算，HIT 可能具有的溢价包括高效率溢价1.5的转化效率优势可溢价 0.12 元/瓦。低衰减溢价3-4发电增益可以溢价 0.12-0.14/瓦。低温度系数溢价2-3发电增益可以溢价 0.11-0.12 元/瓦。 高双面率溢价可能可溢价 0.015 元/瓦。以上测算是基于比较中性的发电条件，粗算在目前的技术格局下其溢价有可能保持在0.39 元/瓦24HIT VS 22.5PERC，在 BOS 成本越高，温度越高，电价越高，利用小时越高的地区，HIT 的溢价会更高。根据 PVInfolink 最新调研数据，23效率的 HIT 电池售价 1.7 元/瓦，21.9效率的 PERC电池售价 0.94 元/瓦，溢价 0.64 元/瓦。当前 HIT 产销量还比较小，不足 2GW，主要应用于 欧美日等户用等高端市场，其 BOS 成本和电价都较高，因此在有限安装面积下追求发电量的最大化，对 HIT 的溢价承受能力更强。 3.异质结电池降路径逐渐清晰 3.1 设备国产化推动单位产能投资下降HIT 设备价格已经下降到 7-8 亿/GW。HIT 电池每个生产步骤对应一种专用设备，依次是清洗制绒机、PECVD、PVD 或 RPD、丝印烧结，其中壁垒最高的是 PECVD，其价值量占到全部设备的 60。当前投产的 HIT 产线 PECVD 以进口为主，GW 设备投资在 7-8 亿元，国产化突破之后将大幅下降。 设备国产化不断取得突破，PECVD 仍是难点。清洗制绒、PVD、丝网印刷国内都已经突破，当前难点主要在 PECVD。国内钧石、理想已经有 PECVD 供货能力，但节拍还需提升。迈为研发进展较快，和通威建有中试线，设备在不断调试和改进，明年可能会有比较大的突破。捷佳伟创正在积极研发，预计明年 Q1 会完成样机交付，金辰股份也在积极布局，预计明年下半年会有样机交付。 大通量 PECVD 海外已经研制成功。目前梅耶博格 MB 和美国应材 AM 对外出售的 PECVD节拍都只有 2400 片/小时，对应 100MW 产能，1GW 产线需要配置 10 台 PECVD，仅 PECVD投资就达到 4.5 亿元。值得注意的是，梅耶博格和应材均已研制成功 6000 片大通量设备，至少证明大通量设备在工艺上是可行的。当前 MB 和 AM 均在和国内部分电池厂洽谈出售大通量 PECVD，但预计价格依旧较贵。降低 PECVD 成本仍需国产取得突破。国内迈为、捷佳、金辰等 PECVD 研制厂商均以 6000片为基础目标，若能突破，每 GW 产线的 PECVD 价格将下降到 2.5 亿元以下，放量之后有望 下降到 1.5 亿元以下。PECVD 的制造成本中 90是原材料，主要是不锈钢和铝型材制品以及各种仪表，制造费用本身并不高，当前 1GW 设备投资约 7 亿元，明年国产设备若能突破，预计单 GW 投资将下降到 5 亿元，放量之后预计将下降到 3.5 亿元以下，带动设备相关成本可以从 0.09 元/瓦下降到 0.04 元/瓦。 3.2 低温工艺允许硅片更薄硅片的厚度取决于硅片生产工艺和电池加工温度。当前使用金刚线切割工艺的硅片最薄可以做到 120 微米，再薄成本不降反升。异质结技术产业化后，国内硅片厂完全有能力供应 120微米厚度的 N 型硅片。但当前组件工艺还比较粗糙，将来硅片变薄需要组件端的制造工艺更加精细化。当前 PERC 电池的生产工艺中最高温度可达 900℃，硅片厚度普遍在 180-190 微米，使 用更薄的硅片在高温下容易出现翘曲。异质结电池整个生产过程中温度控制在 250℃以内，可以使用更薄的硅片。 当前 180 微米的 M2 型硅片单片耗硅量在 15 克左右，如果厚度能够降到 120 微米，耗硅量可以降到 11.5 克，按照 75 元/千克的硅料价格计算，M2 硅片硅料成本可以从当前 1 元/片降低到 0.76 元/片，按照 24的电池转换效率计算，降低电池环节成本 4 分/瓦。N 型硅片在同等厚度下比 P 型硅片成本高大约 5，主要是 N 型硅片对硅料品质要求高一些，每千克 N 型硅料比 P 型贵 3-5 元。但 N 型硅片变薄后，出片率可以显著提升，单片成本可以做到比 P 型更低。 3.3 低温银浆和靶材国产化低温银浆国产化基本成功。HIT 电池是低温工艺，低温银浆的固化温度要求不超过 200℃，技术难度高于高温银浆。海外供应商主要是杜邦、贺利氏、京都电子，国内常州聚和、苏州晶银已经突破。银浆价格6000-7000 元/千克，PERC 正银 4500 元/千克，随白银价格波动。银浆成本约 4000 元/千克，高温银浆和低温银浆成本差别很小，90成本是银粉。 银浆单耗HIT 多主栅 150 毫克/片，无主栅 90 毫克/片，PERC 约 70 毫克/片。未来 HIT 电池银浆降本主要通过两个途径实现降低银浆消耗量。如导入梅耶博格的智能串焊技术，银浆耗量可以做到 100mg 以下。此外，当前低温银浆为了保导电性，栅线比 PERC 电池宽 30-50，未来可以通过添加剂的改进，进一步做细栅线，将银浆消耗量降低 30以上。 降低银浆价格。银浆的主要成本是银粉，加工费用仅数百元/千克，当前需求量较小，因此报价显著高于高温银浆，如求放量，低温银浆价格继续降低。 靶材国产化也已完成，静待需求放量。HIT 第二大耗材是靶材，国内先导、映日等企业 ITO产品已经非常成熟，SCOT 正在积极研发，IWO 壹纳已经实现国产。三种靶材的核心成分都是氧化铟，质量占比在 90以上。金属铟价格在 1100 元/千克左右波动，金属铟经过煅烧制成粉末，再和氧化锡或者氧化钨粉末按照一定比例混合，压块高温烧结制成靶材，生产工艺的难点在于高温烧结，加工成本仅 400-1000 元/千克。需求放量将带动靶材价格下行，靶材成本预计将下降到 3-4 分/瓦。目前靶材成本约 0.32元/片，对应 5 分/瓦，未来靶材价格下降和靶材利用率提高，成本有 1-2 分/瓦的下降空间。 此外靶材品质提升对电池效率的增益也在不断进步。 3.4 降本路径逐渐清晰设备端海外大通量 PECVD 已经研制成功，国产大通量 PECVD 有望突破。硅片端切片工艺成熟，N 型硅片可以做到 120 微米，P 型 170 微米很难再薄。靶材端ITO 和 IWO 国产化已经完成。银浆端国产化已经完成。 效率端单瓦成本成本总额/功率，前面 4 项是做低分子，效率提升做高分母。明年量产 HIT 效率大概率突破 24，往后每年预计提升 0.5。PERC 电池降本也在推进。硅片让利、大硅片导入、效率提升继续推动电池成本下降。 HIT 降本路径如果能实现，综合成本有望大幅下降。2019 年 HIT 电池不含税完全成本为1 元/瓦，这是理论测算值，由于工艺不稳定，现有中试线产能负荷较低，实际成本更高。同时，2019 年 PERC 龙头厂商通威、爱旭完全成本已经下降到 0.83 元/瓦。我们估算，如果 HIT 的核心装备如 PECVD 国产化成功，后续降本空间会逐步打开，等装备、辅材产业也成熟后，其绝对成本有潜力也是比较低的。/p