协鑫集成高效多晶产业化进展-叶权华-协鑫太阳能研究院

协鑫集成高效多晶产业化进展 太阳能研究院 _电池 2018年 11月 08日 协鑫集成多晶产品路线 高效率 , 低成本 多晶金刚线切割硅片 DWS 降本增 效 黑硅技术 干法黑硅 湿法黑硅 直接制绒 金刚线多晶黑硅 PERC 外观更加美观 更高效率 更低成本 叠加多种组件技术 MBB 组件 半片组件 双玻组件 多晶 21量产效率技术路线 1 8 . 8 0 1 8 . 8 0 1 8 . 8 0 1 8 . 8 0 1 8 . 8 0 1 8 . 8 0 1 8 . 8 0 1 8 . 8 0 1 8 . 8 0 0 . 5 0 . 5 0 . 5 0 . 5 0 . 5 0 . 5 0 . 5 0 . 5 0 . 9 0 . 9 0 . 9 0 . 9 0 . 9 0 . 9 0 . 9 0 . 2 0 . 2 0 . 2 0 . 2 0 . 2 0 . 2 0 . 2 0 . 2 0 . 2 0 . 2 0 . 2 0 . 1 0 . 1 0 . 1 0 . 1 0 . 1 0 . 1 0 . 1 0 . 1 0 . 1 0 . 1 1 8 . 4 1 8 . 8 1 9 . 2 1 9 . 6 2 0 . 0 2 0 . 4 2 0 . 8 2 1 . 2 Ef f i c i e n c y （ ） Ba s e l i n e B la c k Si M u lt i P E R C A d va n c e d f r o n t p a s s i va t i o n M B B H ig h e r q u a li t y m u lt i w a f e r P a s t e o p t i m i z i n g W a f e r r e s is t ivit y o p t im iz in g E m it t e r o p t im iz in g 1 8 . 8 1 9 . 3 20.2 20.4 20.6 20.7 20.8 20.9 21 多晶黑硅 PERCMBB 技 术 黑硅 PERCMBB电池表现  中量生产平均效率 21.2 60版型主档位功率 300W Black Si texture DWS multi wafer MBB电池图 形  金属化面积减少 ,光学损失降低 串联电阻降低 , 电学损失减少 电池效率增加， 银浆单耗降低 目录 CONTENTS 1 多晶 _干法 PERC 多晶 _湿法 PERC2 多晶 _光衰进展3 鑫单晶进展4 多晶未来技术路线5 多晶高效 ---干法黑硅 PERC 效率进展 20.20 20.40 21.07 21.20 20.96 19.60 20.00 20.40 20.80 21.20 21.60 干法 PERC效率进展 5BB 常规硅片 基础工艺 5BB 低阻多晶硅片 量产工艺 MBB 高效多晶硅片 工艺优化 MBB 低阻高效硅片 工艺优化 MBB 低阻高效硅片 工艺优化 抗光衰烧结 基础工艺效率 掺硼 2000片 ， 20.43掺 镓 2000片， 20.40 5月份提效硅片2000片 ,21.07 掺硼 4000片， 21.20 掺硼 12000片， 20.97掺 镓 15000片 ， 20.95 备注低阻电阻率范围 0.8-1.5 ohm.cm 多晶高效 ---干法黑硅 PERC Quantity Eff Uoc Isc FF Rs Rsh Irev2 低电阻率高效 硅片 4873 21.20 0.6663 9.815 79.62 2.49 464 0.12 21比例达到 74.8，片源 电阻率 范围 0.8-1.5 ohm.cm 叠加低电阻率高效硅片 RIE黑硅及 PERC多晶工艺 多晶高效 ---干法黑硅 PERC 最高效率 Uoc Isc FF Eff Rs Rsh Irev2 Max Eff 0.6693 9.895 80.20 21.62 0.00224 484.43 0.06 基于量产线工 艺 的改善最高效 率达到 21.62. 多晶高效 ---干法 PERC 组件性能 搭配白色 EVA组件平均效率达到 361.9W, CTM97.6. 如按 97.6CTM计算 21.2电池效率 ,组件平均功率可达到 366W. Snr Pmax Isc Voc Ipmax Vpmax FF Eff Rs Rsh 1 361.7 9.77 47.69 9.258 39.07 77.64 18.64 0.520 1027.0 2 361.1 9.74 47.63 9.255 39.01 77.81 18.61 0.519 817.2 3 361.9 9.77 47.66 9.265 39.06 77.72 18.65 0.518 602.3 4 361.7 9.75 47.71 9.253 39.09 77.72 18.64 0.520 808.4 5 360.5 9.71 47.71 9.223 39.08 77.79 18.58 0.523 442.0 6 361.8 9.79 47.49 9.301 38.90 77.78 18.65 0.514 693.1 7 364.5 9.83 47.66 9.32 39.11 77.80 18.79 0.510 359.2 8 363.2 9.75 47.57 9.303 39.05 78.29 18.72 0.510 824.2 9 361.4 9.78 47.53 9.272 38.97 77.72 18.63 0.515 492.5 10 361.1 9.75 47.57 9.262 38.98 77.89 18.61 0.515 1007.4 ave 361.9 9.77 47.62 9.2712 39.03 77.82 18.65 0.516 707.3 前期 20.9效率档位电池片干法黑硅 PERCMBB完成 10片 72版型组件功率如下 目录 CONTENTS 1 多晶 _干法 PERC 多晶 _湿法 PERC2 多晶 _光衰进展3 鑫单晶进展4 多晶未来技术路线5 多晶高效 ---5BB湿法黑硅 PERC 在 5BB MCCEPERC上运用 RIEPERC部分相同工艺 , 同时比较不同电阻率片源的差异 不同电阻率片 源 Quantity Eff Uoc Isc FF Rs Rsh Irev2 产线 baseline电阻率 1-3 19717 20.09 0.651 9.481 79.91 0.002 1114 0.148 A-电阻率 A 3260 20.66 0.661 9.568 80.22 0.002 287 0.373 B-电阻率 B 3938 20.61 0.661 9.587 79.87 0.002 593 0.203 C-电阻率 C 3689 20.58 0.662 9.586 79.67 0.003 349 0.388 D-电阻率 D 4278 20.57 0.661 9.578 79.9 0.002 304 0.26 A组效率最高 , 后期 会在湿法黑硅工艺基础上逐步叠加干法黑硅的改善工艺 , 效率目标预期可以达到 21. 多晶高效 ---湿法黑硅 PERC5BB 组件功率 1.5万片低 电阻率 电池片全档位组件结果 档位命中率 电池片效率 290 295 300 20.10 100 20.30 3.03 72.73 24.24 20.50 50 50 20.60 53.45 46.55 20.70 34.15 65.85 总计 2.3 47.47 50.23 电池平均效率 20.6, 全档位投片搭配白色 EVA, 组件平均功率达到 299.48W, CTM 达到 99.02, 300W组件命中率 50.23. 目录 CONTENTS 1 多晶 _干法 PERC 多晶 _湿法 PERC2 多晶 _光衰进展3 鑫单晶进展4 多晶未来技术路线5 多晶高效 ---光衰情况 叠加抗光衰工艺后 , 平均效率降低 0.23, 主要表现 Uoc/Isc/FF都略有降低 , 同时低效比例也有增 . Quantity Eff Uoc Isc FF Rs Rsh Irev2 干法黑硅 MBB BL 4873 21.20 0.6663 9.815 79.62 2.49 464 0.12 叠加抗光衰工艺 26678 20.97 0.6635 9.793 79.28 2.76 480 0.12 在干法黑硅 PERC MBB高效工艺基础上叠加抗光衰工艺后 , 效率下降 0.23 叠加抗光衰工艺后 , LeTID内部长期 测试  测试条件 1000W/m2， 75℃ ，开路测试，每个点为 20片电池衰减的平均数据  基于优化抗 LeTID工艺， 1000KWh光衰率低于 2  预计在组件最大功率点的测试条件上衰减小于 1.5  测试电池起始平均效率 20.2 -2.50 -2.00 -1.50 -1.00 -0.50 0.00 0 200 400 600 800 1000 1200 多晶 PERC衰减 最新进展 掺 Ga 掺 B 衰减时间 /H 衰 减 率/ 目录 CONTENTS 1 多晶 _干法 PERC 多晶 _湿法 PERC2 多晶 _光衰进展3 鑫单晶 _进展4 多晶未来技术路线5 鑫单晶进展 采用 157.75mm尺寸硅片 ，批量投产 150万片  鑫单晶 PERC平均效率达到 5BB_21.2，组件产出 为 主档 位 305档  若 匹配单晶优化工艺 可达 5BB_21.7，组件产出将 达到 主档 位 310档  同单晶 PERC效率差异可缩小至 0.4以内 ，组件功率可缩小到 2W以内 鑫单晶P E R C 295 300 305 310 档位比例 2 32 64 2 鑫单晶研发数据 Count Uoc Isc FF Eta 5BB_PERC_SE 215 0.673 9.946 79.66 21.69 MBB_PERC_SE 274 0.674 10.000 79.85 21.90 3.0 1.3 1.7 2.5 4.7 7.9 13.5 21.8 22.8 16.1 4.3 0.6 0 5 10 15 20 25 ≤20.4 20.5 20.6 20.7 20.8 20.9 21 21.1 21.2 21.3 21.4 21.5 产线批量 鑫单晶拖尾严重，比例 10 2.1 3.9 3.9 14.0 22.3 31.6 17.0 4.4 0.9 3.6 4.0 10.5 16.1 20.1 25.6 15.0 0.4 0 5 10 15 20 25 30 35 21.2 21.3 21.4 21.5 21.6 21.7 21.8 21.9 22.0 22.1 22.2 研发小试 5BB_鑫单晶 MBB_鑫单晶 目录 CONTENTS 1 多晶 _干法 PERC 多晶 _湿法 PERC2 多晶 _光衰进展3 鑫单晶 _进展4 多晶未来技术路线5 多晶未来技术路线 黑硅 PERC （ DWS , MBB） 目标 21 黑硅 PERC （ DWS , MBB） 目标 21.3 黑硅 PERC （ DWS , MBB） 目标 21.5 黑硅 PERC （ DWS , MBB） 目标 22.0 MBB 电池及 组件 抗光衰工艺 MBB半 片 激光 掺杂技术 大尺寸硅片 超细线金属化 技术 接触钝化技术 2018 Q4 2019 Q4 2020 Q4 2022 Q4 组件 功率 305W P60 组件 功率 310W P60 组件 功率 315W P60 组件 功率 320W P60 协鑫 集成科技股份 有限公司 www.gclsi.com 地址 江苏省苏州工业园区新庆路 28号协鑫能源中心 电话 86-512-6983 2999 传真 86-512-6983 2875