250℃外延硅薄膜太阳能电池及其界面的优化(20180813151411)

250℃外延硅薄膜太阳能电池及其界面的优化作者 张群芳 ， 朱美芳 ， 刘丰珍作者单位 中国科学院研究生院物理科学学院 ,北京市 ,100049相似文献 1条1.学位论文 刘滨 热丝化学气相沉积制备硅薄膜及其性能研究 2010目前，硅薄膜太阳能电池的研究己成为国际光伏领域研究热点，硅薄膜太阳能电池相对于单晶硅和多晶硅太阳能电池而言，具有耗材少，成本低的特点，尤其是廉价衬底的引入，使硅薄膜太阳能电池在成本控制方面具有更强的市场竞争力。同时氢化硅薄膜由于在红外成像传感器、薄膜晶体管等微电子器件中有着广泛应用前景而备受关注。热丝化学气相沉积 HW-CVD是一种低温制备薄膜的技术，在众多硅薄膜制备技术中，热丝化学气相沉积法 HWCVD以其低沉积温度、高沉积速率和低成本的特点而被广泛采用。因此，对多晶硅薄膜进行研究则具有重大意义。我们采用热丝化学气相沉积 HW-CVD技术沉积制备硅薄膜材料，并对它的生长与结构特性进行了研究。本论文主要进行如下两方面的工作1当热丝温度从 1600 ℃增加到 1650 ℃的时候，我们在实验中观察到了从硅薄膜从非晶态到结晶态的结晶新转变，以及含氢量的变化。为了解释这一现象，我们创造了一种新的 H基元模型。经过对这一模型的分析，热丝温度对H基元密度椭球体的体积有很大影响。结合实验结果和模型分析，硅薄膜的结晶程度受到热丝温度与衬底所处位置的影响， H基元模型能够很好地解释这些现象。2在不同温度 120℃ -400℃ 的玻璃衬底上制备得到了结晶性不同的氢化纳米晶硅薄膜，并针对衬底温度对薄膜的结构和性质的影响作了深入研究分析。在衬底温度低于 250℃时，薄膜晶化率随温度增加而增加，当衬底温度高于250℃时，晶化率反而随衬底温度增加而降低。在衬底温度 250℃时，得到了晶化率最大的薄膜 74％ 。同时，当衬底温度升高时，观察到了薄膜从柱状结钩向团簇结构转变的现象。实验所得薄膜的光学带隙和暗电导也随衬底温度升高而分别降低和升高。关键词硅薄膜； HW-CVD；结晶性； Raman光谱； H基元本文链接 http//d.g.wanfangdata.com.cn/Conference_6249561.aspx授权使用电子科技大学 cddzkjdx ，授权号 7cfce1bd-56d0-47c1-b6f3-9ea7012a523b下载时间 2011年 3月 15日