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未来高效电池技术产业化趋势常规电池产量持续下降， PERC 份额提升空间最大，其次为背接触和异质结技术（ ITRPV ）高效晶硅电池技术选择性发射极背钝化 PERC（ P型单多晶或 N型单晶）异质结 HIT（ N型单晶）背接触 IBC（ N型单晶）高效晶硅叠层新概念电池选择性发射极电池5Cross-section of Laser Grooved, Buried Contact Solar Cell.PERL 电池保持多年的 25.0 晶硅电池转换效率世界纪录6Schematic of high efficiency laboratory cell.Electron microscope image of the top surface of aPERL Cell showing a broken electroplated finger. Thetotal finger width is less than 20 μm and the contactwidth is 3 μ m.P 型 -PERC 电池技术 PERC 电池效率绝对值在单晶上可提高 1 ，在多晶上可提高 0.5 ，PERC 技术具有与现有产线兼容度高，易于进行产线升级，每瓦成本相对传统晶硅电池基本持平PERC 将成为行业高效电池主流技术并逐步替代常规电池PERC 电池 LID 问题可以通过硅片摻镓或减少氧含量解决，以以及退火工艺88IBC电池的工艺（提高 Jsc）IBC电池的工艺（提高 Jsc）硅基太阳能电池世界纪录12日本真空立式 hot-wire CVDSiH4H2钨丝 1700CHot-wire CVD没有等离子体对硅片表面轰击造成的损伤，可以获得比 PECVD更高转换效率的 HIT 电池。日本松下在马来西亚的 HIT 电池工厂主要采用 hot-wireCVD设备日本住友 RDP vs. 溅射 ITO镀膜低材料成本小占地面积和高操作性高生产效率tact time50 秒低电阻，高透光率，低表面损伤高转换效率可以提高 1的绝对转化效率80MW HITCoO电池年产出数据 87.27MW 一次性投入折旧4,164,777.9 项目 百分比 CoO /W/WCoO/WCoO/W CoOCoO /W模组产能 84.67 MW 项目 投入 使用年限 残余价值 年折旧 CoO/W 100.00 4.6043 0.7584 0.5547 模组产出 280,119 pcs 生产设备一次性投资 27,652,771 7 10.00 3,555,356.3 一次性投资折旧/ 年 8.91 36,590,085 6,027,028 4,408,444模组功率 302.27 W 厂房土建 结构 1,950,964 20 10.00 87,793.4 BOM 78.53 304,568,19 0 50,167,71 4 36,694,96 3转换效率 18.58 厂房土建及结构工程配套设备 46,506 7 10.00 5,979.3 人力成本 1.90 7,380,000 1,215,615 889,157设备Uptime 85.00 厂房设施 2,915,663 20 10.00 131,204.8 厂务运行成本 7.3128,360,325 4,671,442 3,416,907良率 94.05 水站 72,289 20 10.00 3,253.0 维护成本（厂务） 1.23 4,790,000 788,997 577,108组件封装损失 2.00 水站配套设备 783,735 7 10.00 100,765.9 维护成本（产线） 2.10 8,160,560 1,344,187 983,200电站 939,759 20 10.00 42,289.2 电站配套设备 46,988 7 10.00 6,041.3 气站 127,711 20 10.00 5,747.0 气站配套设备 726,747 7 10.00 93,438.9 环境安全 674,699 20 10.00 30,361.4 环安配套设备 797,590 7 10.00 102,547.3 BOM 其他 1,643,813.2 36,698,745.7 项目 用量 单价 年费用6“ n-mono wafer 17,870,400pcs/ye ar 1.10 19,593,771.9 1SiH4 5.0 746.0m3/year 79.49 59,301.6 H2 5.0 6,052.5m3/year 1.89 11,426.3 O2 5.0 5.5m3/year 33.25 182.9 Ar 5.0 579.0m3/year 0.97 560.3 NF3 5.0 158.5m3/year 140.28 22,233.9 PH3/H2 5.0;1 PH3 in H2 359.5m3/year 84.65 30,431.7 TMB/H2 5.0; 1 TMB in H2 503.5m3/year 418.95 210,941.3 N2 5.0 17,888.5m3/year 0.14 2,433.7 N2 2.8 480,367.5m3/year 0.11 52,840.4 HNO3 ≥ 65 ; SC Grade 48.0m3/year 1,447.00 69,456.0 HF 49.0-50.5 ; SC Grade 19.0m3/year 1,551.76 29,483.4 HCl ≥ 37 ;SC Grade 7.5m3/year 855.88 6,419.1 H2O2 30; SC Grade 208.0m3/year 989.61 205,838.0 Additiv 25.5m3/year 7,000.00 178,500.0 KOH 50 202.0m3/year 1,840.60 371,801.6 Screen Cleaner 2.0m3/year 1,891.50 3,783.0 ITO Target * 16.0 53,519.00 856,304.0 1Ag Target * 22.0Target/year 59,859.63 1,316,911.9 1NiV Target * 12.0Target/year 11,500.00 138,000.0 Frontside Print Finger HJT1,787.0Target/year 1,685.98 3,012,850.8 1Screens Frontside Finger 3,574.0Kg/year 70.00 250,180.0 Module 材料 10,275,094.0 1人力 889,156.6 项目 年费用厂务运行成本 3,416,906.6 项目 用量 单价 年费用cell 生产设备 Electricity 15,755,736kWh 0.90 1,708,453.3 厂务动力 Electricity 10,503,824kWh 0.90 1,138,968.9 ＨＩＴ高成本的主要原因和解决途径高设备折旧 采用低成本设备，提高设备使用率低温银浆和 TCO成本高 ---提高材料使用率（减少用量）；替换低成本材料（铜电镀）降低 N型硅片价格79.11.9 6.11.22.19.5BOM人力成本厂务运行成本维护成本（厂务）维护成本（产线）一次性投资折旧 /年53.42.33.68.228.04.5 6“ n-mono waferITO Target *Ag Target *Frontside Print Finger HJTModule 材料其他PERC 电池 --P 型硅、 N 型硅日本松下（ Panasonic ）现有产能共 1GW ， 160MW 为一条产线，电池线的设备价格为 3.5亿元人民币电池量产转换效率 22.5，组件端良品率 99，设备开机率 96， CTM -8马来西亚工厂 HIT 组件成本 0.7美元 /瓦 , 日本本土工厂成本 0.8美元 /瓦所有硅片电池均为HIT电池的生产情况125mm 125mm，主要原因是薄片化（初始硅片厚度 150 μm，制成电池后厚度为 110 μm）后如果采用 156mm 156mm硅片在丝网印刷段容易碎片最早的 HIT 组件投入使用至今大约 11年，累计衰减仅为 23欧美大规模量产计划Solarcity 收购 Silevo ,在美国建设 1GW HIT 电池工厂；欧洲联合研究中心最近公布“ MW 级先进光伏制造工厂计划（ X-GWp ，核心目标是推动新型高效（ 22-25） HIT 电池的量产，预计在 2017年建设产能 1GW 的工厂。1.041.001.02vevaluem-thickcell IscVoc18HIT cell Thickness0.960.9850 100 150 200Relatito165-m η 23.9晶硅叠层太阳能电池19钙钛矿 晶硅叠层电池的最大理论转换效率 3620钙钛矿晶硅叠层电池 机械叠层21钙钛矿晶硅叠层电池 单片式22