电池片衰减分析讨论

电池片衰减分析业内都说电池片存在衰减。 国家标准中也有一条“电池片存放半年后要重新标定”， 电池衰减好象一定存在。衰减原因还与工艺有关，如钝化工艺等。但有关专家说， 从电池片发电原理上分析， 电池片在不暴晒， 并干燥的情况下是不存在衰减的。 所谓衰减主要是由测量引起的误差，其次就是电池表面摩擦或积尘， 导致绒面受损， 影响受光而效率下降，再则是由于银浆氧化而改变接触电阻， 导致填充因子下降。 还有就是电池片在分选后存在隐裂而效率变低。不知各位还有什么高见好像低电阻率的硅片，可以作出高功率的电池片，但衰减很快主要跟少子寿命有关系， 多次回收的材料，电阻率可能合格， 但是少子寿命很低， 做出来的片子转换效率会衰减的很快。我听说衰减的解释是 因为我们都是用的 P 型材料， 里面含有硼元素， 硼和氧形成硼氧复合对导致的衰减。光照衰减与扩散有何关系前一阵听一个硅片厂家的人说，光照衰减有三个影响因素， 1，片源， 2，扩散工艺， 3，组件工艺。 也不知是真是假的。 扩散工艺会影响到光照衰减么是什么样的原理呢请高手解答一下。排除组件影响， 单论电池片，衰减和材料关系最大。排除暗光时的 shunt ， BO衰减是主要衰减机制，和扩散的关系。。理想条件下应该是没有的。当然实际生产中引入的杂质、原始应力释放，有那么点关系吧。注意上面提的是扩散工艺而非扩散，高温扩散不同的温度可改变硅片的性质。光照衰减根据尚德的研究最主要是硅片内硼与氧原子的结合所导致的， 所以跟扩散相关性不大的。探讨一下单晶组件的初期光衰减单晶硅电池组件在初期会有 2-4的光衰减 （持续光照 1 到 2 天或者 1个太阳下 1 到 2 小时） ，这已被很多测试所证实，目前各组件厂家对此衰减的影响态度不一，我咨询了若干组件厂，大部分觉得无所谓，因为卖出去的时候很多客户不懂，只测一个初期效率，只要保证 20 年80以上效率即可。只有做大电站的客户才对此数据敏感，因此一般大厂比价重视初期光衰减， 比如尚德。 想请问一下各位， 此衰减真的对你的用户无所谓嘛如果能够花一些成本来抑制或者消除初期光衰是否厂家愿意采用呢组件的衰减关键是单个电池片的衰减。当然，封装材料， EVA，背膜的老化等在后期使用中也会造成组件功率的衰减。单纯生产组件的加工厂， 如果想从本环节去减少这种衰减难度很大。 然而如果把这个问题交给电池片生产厂去解决的话， 这不仅仅靠生产工艺就能解决的问题， 还有待于核心技术的提高 ,,请教光致衰减和波长的关系关于光照会造成晶体硅电池体内的硼和氧结合成硼氧对， 形成复合中心， 缩短电池寿命。 那么这种机理跟波长有没有关系是否某波长以下的光子才会形成硼氧对，而长波长影响较小1. 衰减只是会降低效率 , 跟电池寿命没有必然联系吧 . 2. 在正常的波长范围内 300nm-1100nm, 光致衰减都会发生 , 且与波长大小没有关系 . 因为光致衰减本质上是与入射光子激发的载流子有关 . 3. 衰减的快慢与光强有关 , 光强小 , 衰减慢 . 电池片衰减的问题刚做好的电池片 180 瓦的 72 片，理论一般都在 17.25 的效率，在仓库放了一天，在做成组件，就相差 5 到 6 瓦，测试环境都是标准的组件衰减各位兄弟姐妹，您们好对于组件来说， 我是很茫然的， 前两天开会老大下了一个任务， 就是对组件的衰减问题提出探讨．可是我真的是不懂啊在此，向各位咨询一下几个问题 （１）组件为什么衰减原理是什么（２）如何使组件输出功率达到一个稳定原理是是什么（３）（这个问题估计是光伏界都关心的问题八）怎样才能使组件减少衰减摆脱各位了， 不管是经验还是理论， 还是您手上能够共享的资料， 请赐教， 在下感激的很 有机会一定请客吃饭我也是菜鸟，道听途说了一些，共享之组件的功率测定是在实验室标准条件下进行的，拿到室外使用，因为环境（气温、光照等）不同测试出来的结果肯定不一样，一般来说大概会 5或更多的功率下降。组件在使用一段时间后就会达到稳定状态， 至于如何减少衰减， 关键还是从材料、 技术包括生产过程来控制了太阳能电池板衰减和什么有关太阳能电池板衰减和什么有关各位大虾，有谁知道太阳能电池板的衰减和什么有关系 要注意什么单晶主要是因为光照下氧硼反应， 生成复合中心降低少子寿命。 所以现在又掺镓的 P 型硅片，正是出于这点考虑，但是镓原子比较大，也会有一些负面效应 ,,非晶的话比较复杂，一说是因为 H在光照下 ,, 一系列复杂反应。不知道是哪家的电池，衰减主要是衰减电流，怎么会衰减电压呢电池衰减为什么单晶比多晶衰减的多 , 大约两个百分点 关于光致衰减的问题最近几年，单晶硅电池光致衰减过大的问题是一个不能回避的大问题达到 6-10；如组件公司在包装时上下偏差组件混装， 而终端用户安装时未重新分档， 组件不匹配问题也引起功率下降。上述两个问题直接导致终端用户电站实际发电功率比理论计算值大为减少。 这是一个很实际的问题，不知各位大虾有否好的解决办法。谢谢关于衰减现在好多的厂家都在做衰减实验，小弟想问下都是用的什么灯衰减的时候需要模拟组件在日光下的情况吗我们公司都是在外面晒太阳只是在外面晒太阳测试的组件衰减是不准确的 , 要加上负载的 . 衰减有很多讲究的1 、你的来料，也就是 Wafer 的电阻率等参数2 、扩散后的电阻值3 、光源4 、玻璃的厚度和透光性等规格还有要考虑环境的影响，环境差的会加速氧化 . 对于楼上的户外衰减，根据相关标准，组件必须处于短路状态，总承受 60KWH/M2的光照。衰减程度的标准是小于等于 5吧组件寿命衰减的因素大家好，在组件的使用过程中，组件的寿命逐渐衰减，直到 25 年后，衰减功率的 20，在此期间， 有 EVA的老化降低透过率， 背板老化降低安全因素， 请问有没有影响电池片的方面（比如光谱相应会不会降低，会不会影响少子寿命）期待专家指教。肯定有的啦， 做过试验， 不同的电池片用相同的辅助材料做出的组件头几天的衰减都不一样为什么掺镓的 cell 效率衰减也很高不知道是不是我们衰减测试的方法有问题啊我们就是用很强的卤素灯照几天 ,,各硅料厂家的掺镓技术掌握的不一样谨慎怀疑 , 有的厂家的掺镓料里面还是有不少硼掺杂剂 . 厂家说我们的掺镓片是掺了镓的呀，但没有讲不掺硼啊 99的硼，再加 1的镓，也是掺镓的光衰减问题正常掺硼电池片的衰减一般来说是什么情况， 请有兴趣的人来讨论下 要衰减到最低， 需要多久的日照效率越高，衰减越低么一般电池平均衰减大概是多少不同片源的硅片，相差多大这很难有定论， 关键是拉晶时形成的氧沉淀的位错的量， 这决定硼氧复合的量， 电致发光成像找到这一类型的位错片子的效率都很低，退火后片子的效率会有较大幅度提高，但光照20 分钟会很快衰减。尚德的光衰机我只听说中电有光衰的专利，尚德的就不清楚了问过专家了，正常的 17效率左右掺硼的电池片，光衰减达到 0.5 左右。而低效的 14左右的片子，光衰减要超过 1。片源如果差一点， 17效率的电池片，光衰减就要超过 0.5 这个正常范围了。但具体达到多少，还要看片源的质量倒底有多差。一般来说，效率高的片子，光衰减就要低一点。掺镓的电池不在此例。据说其光衰减几乎可以忽略不计。控制在光衰 1 小时后，衰减率 1.0 Suntech 我的感觉是同样的片源，中等效率的比较稳定，如 16.5 的也就衰减个 0.2 ，但 17 以上的高效反而衰减要有 0.5 ，这个如何解释根据生产 层压后的电池片是有损伤的， 效率越高的电池片损伤越厉害 生产电池片的朋友可能有更全面的解释请再补充一下大部分还是由于 BO引起的。其余是由于并联电阻大在暗光状态下导致的硅 bandgap 减小造成的，这个是可逆的，但并非绝对请教高手关于功率衰减的比率值 精贴必加分 请教各位光伏高手 有没有关于组件功率衰减的数据 ; 例如 1. 组件标称设计功率为 100W120W,170W都可以 , 一个月后功率衰减 多少 ; 二个月后功率衰减 多少 ; 三个月后功率衰减 多少 一年后衰减 多少 ; 有没有一个比率 或者参考的值 ; 2. 有没有实验数据可以证明衰减的比率这个要看具体的日照情况， 非晶硅的衰减率大致在 30左右， 封装效果不好的话可能达到 50 组件衰减请问组件在经过最初的暴晒后，每块电池片的工作电压会下降多少电压一般不会降。 就算组件功率下降比较大， 只要不是有电池完全失效， 一般电压都不会变。电压一般降得很少，电流比较明显组件的电压一般是不会变化的，功率和电流会发生明显的变化，请问做光衰减最好用什么条件我想做电池片光衰减测试， 可是不知道应该用多少瓦的什么样的灯光， 照多少小时， 没多少小时照一次并且用 PV量测效率，总是有波动，时间久，还要调机台，对效率衰减测试都有影响。有没有哪位给个比较完整的建议啊谢谢了卤素灯 , 氙灯 , 都是可以的如果想做深入研究的话 , 最好查阅一些文献全部衰减和衰减到一定程度都分别指什么呢据说现在有一种设备能使电池提前衰减到稳态， 避免衰减快慢和程度的电池装在一个组件里引起的 “ 热斑 ” 等现象，不知道大家对这个设备有没有研究能否讨论一下我建议用白炽灯和太阳灯组合的光源可以做衰减或者放太阳下暴晒提前衰减到稳态， 避免衰减快慢和程度的电池装在一个组件里引起的 “ 热斑 ” 等现象， 不知道大家对这个设备有没有研究能否讨论一下 . 还有不能提前衰减到稳态的吗电池在发电过程中师一直在衰减的，目前组件厂家对电池衰减要求是 10 年 不超过 10，25 年不超过 20。所以衰减只能相对衰减到较为平衡而已。前期衰减厉害主要是间歇氧和B，形成的彭阳键的原因。目前很多公司都采用近红外的光进行衰减，因为其波长的能量鹏杨建易吸收，形成衰减。关于电池片衰减原因各位高手，能帮我解答一下以下问题吗1、电池片效率衰减的原因有哪些（哪些因素会影响到电池片效率衰减）2、多晶电池片为什么衰减会比单晶的要小3、衰减公式怎么算的及 LID 与 TID 的算术关系。感激不尽什么情况下衰减的， 是电池片线上下来就有这情况吗这个俺不懂。 不过这个问题， 很想知道答案。我来顶一下。我只知道组件层压后会有衰减， 但一般是多晶的大些。为什么会这样， 我不清楚， 实际就这样。请高手来解答。敬礼致谢谢谢你的回复，电池片衰减在生产线上下来之后就会发生，但衰减到一定时间后就稳定了，退货处理之后会恢复原先的效率退火处理之后，效率会恢复到原来的状态。电池的衰减大小取决于硅片的杂质如何， 片子都会存在衰减， 只是大小不同而已， 但是片子在暴晒之后会衰减完，基本稳定了1）硅片质量差，电池片本身的含氧量，及含硼量过高，导致电池出现较大幅度的初始光致衰减，主要原因是 P 型（掺硼）晶体硅片中的硼氧复合体降低了少子寿命。 （输出功率在刚开始使用的最初几天内发生较大幅度的下降，但随后趋于稳定的情况）多晶硅薄膜为什么无效率衰减问题多晶硅薄膜为什么无效率衰减问题呢请问硅太阳能电池的光致衰减设备我在组件板块看到一个问题，十分有兴趣，如下关于光致衰减的问题最近几年， 单晶硅电池光致衰减过大的问题是一个不能回避的大问题达到 6-10；如组件公司在包装时上下偏差组件混装，而终端用户安装时未重新分档，组件不匹配问题也引起功率下降。上述两个问题直接导致终端用户电站实际发电功率比理论计算值大为减少。 这是一个很实际的问题，不知各位大虾有否好的解决办法。谢谢在这里， 很想了解是否有设备能够加速电池的衰老， 使其快速达到稳定状态， 从而避免混装问题在组件使用中的体现在此谢过各位高人了衰减不是效率虚高 两码事 这是直拉掺硼单晶硅（ P 型晶体硅）的一个缺陷解决办法 1. 改进控制工艺降低拉晶棒中氧的含量 因为初始光致衰减衰减就是硼氧复合体降低了少子寿命 . 2. . 现在已经陆续有公司改用掺镓来代替掺硼 效果很好3. 利用磁控直拉硅单晶工艺（ MCZ）改进单晶硅棒质量4. 用区熔单晶硅工艺 改进单晶棒质量5. 用掺磷的 N型硅代替掺硼的 P型硅 等当然 硅片 质量电池工艺 组件封装工艺控制不好 等都会导致组件的早期光之衰减对于组件封装 电池片的一致性对衰减 至关重要 不仅电池的电性能要一致 （ 注意串并联电阻）还要电池的衰减性能也要一致 等 才能保证组件性能、寿命的最优化使用请教关于电池片厚度是否与衰减有相关性最近听说硅片薄的话， 电池的衰减会比较快， 请教这个说法是否确切， 是否有缺失根据另外请教硅片 170、 180、 190、 200 大概的破片率（只需要业内大概的数据，不需要透露你们公司的确切数据，呵呵）在此感激涕零衰减和硅片的厚度没有直接的关系， 目前的单晶工艺因为掺硼， 从而导致硼氧复合成为可能，有证据证明，硼氧复合才是衰减的根本原因。硅片在任意一点不低于 180 的条件下就可以了， 基本上中心点会在 185－ 190, 破片在千分之一左右。发表于 2009-4-21 1411 只看该作者尚德从去年 10 月份开始倡导掺镓工艺， 并且到 09 年底， 全部采购掺镓硅片。 实践证明掺镓的硅片衰减方面确实胜人一筹，平均在 1以内。我这边有掺镓的硅片，在浚鑫做的电池和组件，实物晒了快一个月了， 衰减少得很，几乎为0。若是谁有意，我可送点样片给试试，站内发消息给我即可。昨天拜访了夏普的日吉社长，他也同意试试我的掺镓硅片。实验过，衰减确实很低楼上可透漏下价格硅片衰减问题请教高手， 硅片衰减的原因是什么， 是否与拉单晶与切片相关主要影响其的因素有哪些谢谢大虾赐教现在主流的观点是硼氧合物导致衰减，可以肯定氧在里面确实扮演了致衰的角色。具体硼氧合物影响的程度有什么关系吗目前我们的单晶氧含量控制在 5*10 的 17 次方只是根据现象而判断的， 实际上没有试验证明。 事实上， 也有很多说法倾向于其他深能级金属杂质 （硼铁或其他）导致的复合作用， 因为是在光照下慢慢发生的， 因此被认为是光致衰减。外行看热闹，硼氧复合，金属杂质，替位碳。衰减多少算正常， 2， 3， 4，有无标准，请高人帮忙。电池片放在空气中功率衰减我有一批电池片未封装放在空气中半个月之后，重新测了一下功率，发现功率衰减了 6左右，敬请给为高手赐教，有什么因素导致地呢谢谢栅线氧化了 最大因素对，电池是需要密封的栅线出现了问题。光致衰减是一个因素，栅线氧化在室温下能够发生吗大家讨论一下不要怪银栅线啊 没附着好除外 , 银是很稳定的金属 , 空气中不会氧化 , 常见有表面轻微发黄 硫化 , 轻轻擦掉测量接触的表面端 , 体电阻无变化 . 铝背场倒是容易吸潮氧化的 , 贱金属不稳定的 . 银稳定不会氧化，时铝氧化的银稳定我不记得是无机化学是这么讲的 纯银在空气中会氧化， 你的银首饰放置一段时间以后表面会发黑， 那就是氧化层， 擦掉表面氧化层以后会还原银的本色， 不过氧化层会阻止内部继续氧化，和氧化铝的道理一个样。不过我们讨论的是栅线， 不是纯银， 栅线放置久了就会发黄， 尤其是南方， 空气中水分很大，尤其要注意，一般来讲电池片不允许直接暴露在空气中超过 48 小时。置于衰减的问题， 金属只是一个方面， 还有 H溢出等各方面的综合原因。 而且也不单单是电池片如此， 硅片和半成品也是如此， 去完 PSG的硅片和做完减反射膜后的片子都不能直接暴露在空气中太久，以上两者建议不要超过 2 个小时。9 楼版主说得很详细了，但其中一点，做完减反射膜后，片子放置在空气中可以比去 PSG后更久。我认为只要不超过 48 小时，都没有关系。因为镀钝化膜后，片子表面的化学活性大大降低， 化学稳定性增强， 比较不容易被氧化。 这点我有经过多次试验证明， 取同一批片子，一半即时流入下一道， 另一半 2 天后进行印刷烧结， 所得到的测试结果均无差别。 如果有差别，我认为会是膜的质量不好所导致。不知道那一半是怎么放置的， 注意我说的是直接暴露， 假如你是放在盒子里， 那就另当别论了。我的意思是，你放置在花篮里或者直接放在舟里的时间太久。当然这还和你的环境情况有关，我建议是放在氮气保护柜里面，这样会好得多。嗯，放在花篮和舟里自然是不宜放太久的。视丝印设备的不同，比如丝印设备如 DEK ，则镀膜后工人会放到花篮里流入丝印，这样需要迅速印刷、烧结；而丝印设备如 BACCINI 的话则会放到盒子里，这样就可以放比较久了感觉大家好像都忽略了一个问题电池片的贮存能力， 譬如原料的电阻率很低， 而扩散结形成的很浅， 当时测试的时候可能效率很好，过一段时间后，自然会衰退的同感，我做过一次实验，单晶镀膜后，我放置一星期，效率变化不是很大，还能达到 17.5以上，也有更好一点的，做成电池后隔一星期再测，效率有 0.10.2 下降，不过还是比较稳定；多晶就不同了，镀膜后我放一星期，效率大幅度下降，只有 1314左右，不过隔一个星期再测，效率下降的不是很明显，不过也已经够低的了，呵呵栅线氧化（发黄）的可能性佷大lz 你可以用较低的温度 500-600oC 再烧一边测一下太阳能组件的衰减问题讨论在组件制造过程中， 我曾让我们的技术工程师把不同电池片厂商的组件 （厂家分别为常州和河北的，数量分别是 5 块），拿出去做了个暴晒试验，测试其衰减度。结论为1。前者衰减第一天衰减了 3.5，其后三天基本稳定，第五天再次衰减 1，总衰减度 4.5；2。后者衰减第一天衰减了 0.5，当中有反弹一次，其后也有微量下降，短路电流变化较为明显，从 5.28A, 下降到 5.12A ，功率五天后下降比列为 2,但第四，第五天衰减比较小。两者都具有不同程度的衰减， 当时我们停止了第一家电池的供货， 采用了第二家。 据称两家都采取同样的减反射膜工艺， 在硅衬底上直接放置金属氧化物膜， 但是其中一家告诉我们采用了隔离层，可以确保电池的 Rs 在一个稳定的范围内。而另一家则没有，出厂时测试电池片功率奇高，但是到客户工厂就立即变低，其短路电流值也迅速下降。不知道有没有人遇到过类似情况，希望和大家一起讨论学习。我个人认为硅片的衰减的问题是已经有了比较清楚的认识， 在组件早期的衰减中是占主导地位的， 但是随着时间的增加， 光衰减的问题就与组件工艺有关了， 比如由于长时间下电池的Rs 退化导致短路电流下降，因此光衰减的情况是要分时间段分析的，不能简单归为硅片的问题金属硅组件的衰减已经被国外证实， 远比晶体硅要快， 而且转换效率也较低。 顺风的电池我不知道有谁用过没，在做试验的过程中，实测衰减度要比一般的电池快些。电池厂家之间的差距很大 参差不齐啊 选择合适的供应商才行 单晶硅太阳能电池 效率衰减各位大侠突然想起个问题 , 现在世界上单晶硅电池的最高转换记录是南京中电的赵博士创造的 24.7 是不是单晶硅电池的瓶颈 是 17 也就是说到了 17 以上 衰减的快 , 损失的多 是啊，没什么必然联系，尚德掺镓的电池不是做到 17 以上了么欢迎讨论谢谢电池片效率衰减测试问题问一下有没有人做电池片衰减方面的试验，你也是直接在太阳下曝晒电池片前后效率变化吗有公司用灯光光照装置来做，这个装置哪里有卖一般情况下， 我们公司都是放在外面利用太阳光进行衰减的。 。 。 不过我总得的不是太科学，对当天的副照度还有放外面多少小时。 。 这些都要认真的计算， 而我们就是这样太阳好就放在外面散散。。。。其实都可以了现在国内好像还没有个规范标准而一般来说，电池片的衰减都是会逐渐趋向稳定的光强的大小只是影响了衰减的时间关键是电池质量不好，也就是钝化不好，所引起的冶金级硅电池转换率会衰减吗如题。 大家都说冶金级硅电池转换率会衰减， 有做过实验有相关资料衰减周期情况请知道的朋友谈谈，大家交流会衰减的光照也会形成 BO复合中心含氧量太大了，应该衰减严重一些强光衰减两小时即可在照度大于 500mw/cm2的强度下进行 12 小时的试验 , 我公司生产的全冶金法多晶硅即见 3的衰减 , 之后稳定。目前正在进行全天候的日常阳光照射的衰减试验观察，到目前为止 , 已经两个月，未见进一步衰减。该电池组建采用从金属硅经过物理法提纯的工艺 , 之后经过单晶拉晶切片制作。初始效率15.9016.11 共 100 片 , 强光照射后一度衰减到 12.7, 但随后回升 , 再继续强光照射稳定在 13左右 . 在日光下，效率基本稳定在 15左右。测试单位 中山大学和厦门大学 , 试验地点在上海 . 如何改善聚光硅电池衰减大的问题个人以为一条对 CPV 硅电池很有用的消息尚德已经尝试普通电池的晶体硅片中掺杂 Ga来实现对电池衰减的改善（避免掺硼氧化引起的衰减），据说已经取得明显效果，真是一个很重大的改进，增强了电池的稳定性能。或许在 CPV上也可以借用，那么高聚光下的衰减也就减少，真是好事一件。 功劳大大的值得关注的新技术。对于聚光硅电池厂家来说，值得借鉴（衰减在 CPV中可是个大问题）详情参阅晶界等缺陷对多晶硅衰减的影响大家应该都知道晶体硅电池电性能的衰减主要是有 B-O 复合体引起的，通过退火可以恢复。但是多晶硅氧浓度比单晶硅低， 形成 B-O 复合体的概率应该比单晶硅低， 为什么相比单晶硅，多晶硅的衰减仍然很高呢多晶硅的晶界、位错等缺陷比单晶硅多很多，它可以起到吸杂的作用，那么吸杂后的缺陷对 B-O复合体有什么样的影响呢对电池衰减的影响呢 3 Y8 S4 n |9 U 请教达人，大家共同探讨探讨一般而言 , 多晶硅电池的衰减是比单晶硅的要低一点你说的多晶硅衰减高 , 有相关数据吗 多晶很少超过 2做过很多的实验 个人觉得 , 2 或 3, 在本质上并没有明显的区别 . berger 测试台本身就允许 2的偏差Rsh,Irev 和衰减的几个问题1， 为什么 Rsh和 Irev 不是完全的反比关系啊比如说使用 berger 的测试仪。2，为啥 Irev 大的电池片衰减的很快，这个的原理是什么啊光衰试验机我们正在做光衰试验机，主要是要在 30 分钟内让电池衰减 90可衰减量，这样可以作为电池抽样衰减用，每次可衰减 125 电池 72 片，有兴趣的话可与 salesgsolar.cn 或hgh636163.com联系。标准组件衰减监测及标定周期标准组件本身的衰减， 会影响组件生产中测试结果的精确性， 应该怎样监测标准的衰减呢我们公司现在标准组件是一年送标定一次， 周期是不是太长， 老板又想一个月就标一次， 谁能告诉我怎样的周期是比较合理的一般要一年标定一次，但最好有两块可以互相标定 , 或是可以拿自己测试过的组件做标定 ,这样可以保证标准件的不会衰减太厉害3 个月标一次3 楼的能否告知是哪个标准我传我一份 cuixin303163.com ，另外，其中提到的每三个月核查感觉是用一级标件核查二级标件， 那么一级标件的衰减怎么监控呢为什么我们一年后的 1 级标件去核一年前的 1 级标件会衰减 4＋ W这样年初和年末的测试精度就有比较大的差距了。另外有没有人交流组件衰减跟踪的经验心得组件的标准板 1 是否不同功率的组件都要配置不动的标准板2 用一个标准板检测不同功率的组件有没有什么缺陷3 组件标准板应该怎么存放4＃的国家标准我找到了， 名字 光伏器件 第六部分标准太阳能电池组件的要求。 我们现在准备以同一型号组件的平均功率作为标准组件标定功率的参考。内的话天津十八所和北京电工所，国外的话德国 ISE 实验室和美国 NREL 都是比较权威的机构衰减这个问题现在全球都有 , 主要原因是电池片制造过程中 , 掺杂物引起 , 比如添加了过多的氧等等 . 9 楼说的才是正解，基本上主要与电池片生产过程有关，掺杂物的含量都会引起衰减，其他如 EVA，焊接等因素造成的衰减可能性比较小。衰减主要原因 1. 在制作组件的过程中焊接时，一些阴裂片，虚焊造成功率衰减2. 电池片自身原因3. 硅片质量问题请教组件大幅度衰减原因请教前几天做了 13 块样品，拿了 6 片到外面晒了半天，结果发祥有原来的 180 降到 160 瓦，请问个位大侠，是怎么回事第一、 测试的时候，温度是多少。有没有达到室温第二、是谁家的硅片，不同的硅片厂家，做成电池后，衰减不同，有几家的特别大。（内部资料，不方便透露）如果测试条件相同，工艺也没问题，那就考虑材料的问题了。楼上的，如果是材料的问题的话，衰减有什么规律前期衰减有多剧烈谢谢。看一看测试曲线的变化就知道是为什么把两次测试结果发过来，我给你分析 pcbsxjtu.edu.cn 我觉得是你们的自己的问题怪不得 cell 厂家 里面必定有裂纹 因为听你介绍过了的13 楼的，你好，组件在暴晒的时候为什么要把正负极短接这种问题我也遇到过同样的问题我也遇到过， 也适用的晶奥的片子， 组件做成后的测试结果与暴晒几天后的测试结果能差 7， 8 瓦，夺得能有十多瓦，做过多次试验都是这样，当时坐暴晒试验时正负极没有短接 . 有没有短接效果差别很大吗暴晒试验标准上说是让短接还是晒扳子问题请教高手指点 晒扳子需要将正负极连接吗 是什么原理 需要短接短接可以反映出更多的问题焊接、热斑等等夸张 夸张 太夸张了 ,兄弟 ,可以肯定你是没有按标准来操作的，还是先把专业技能搞懂了在说吧 不要短路，，，时事社IEC61215 按 IEC61215 的暴晒的组件正负极必须要短接的按照 IEC 61215 第二版，做户外曝晒测试不需要短接，而是接一个合适负载使组件在最大功率点工作。短接是第一版的要求一般来说，如果组件没问题，即便短路曝晒也不会有这种情况我觉得如果是这么大的衰减应该不是电池片问题，我觉得原因如下一、两次测试时的室温、组件本身的温度不一样。二、组件生产中造成电池片隐裂。另，暴晒的时候不能正负极短接，切记，切记组件在衰减过程中的一些变化 . 请指教做好的组件在阳光下连续曝晒一周 , 开始两天功率下降很多 , 大概每天 3-4W后几天下降比较少 , 一周的时间大概降了 8W左右 . 而且开路电压升高 ,FF 降低 . 不知大家有没有做过这方面的实验 , 有没有类似的结论 希望大家来探讨一下 . 呵呵， 这个就不能说了。 不过暴晒后功率衰降是大部分电池片都会有的情况， 或多或少而已。确实是这样 , 转换率越高 , 衰减越多 . 另外问一下电池片厂做什么动作了 多晶基本无衰减或着很小 , 单晶会有 2以上的衰减 . 鉴定完毕一般衰减个 3-8w 应该算正常吧 , 我试过几家的片子 , 暴晒几天后都会衰减个 ,5-6 瓦 , 衰减下来后再晒短期内衰减就不明显了组件经过暴晒功率下降是必然的，一般下降 3左右 , 如果不下降是不正常的，暴晒在做认证和标准板之前是特别有必要的其实衰减到 8 ％都是正常的请教组件功率衰减和 TPT透水性有关系吗 我司的 2 个组件做完双 85和高低温后 , 放室外晒后 , 出现功率从 170衰减到 145的现象 . 恐怖啊 想请教各位大侠次状况会和 TPT进水有关吗 但是背板并没有发现有气泡或分层现象 . 应该不是 TPT问题， 先市面的 TPT材料一般在气密性上都能达到要求， 如果你的组件是刚生产的， 没有经过预先处理， 会有一定的下降， 一般要在户外爆晒 7 天左右组件的性能才会较稳定。 不过你这样的下降幅度可能是组件本身质量问题， 可能有电池片裂纹了或焊接点有虚焊现象，做室外爆晒或热斑效应及反向电流测试就能明显反映出来。个人意见，和大家共同学习这种功率衰减 , 正常吗 一块组件 在加工前所有的单片 72 块 功率是 180 瓦 , 作成组件后成了 177 瓦 , 这种下降正常吗 请高手指点 这要看你的标准组件和测试仪了NERL,TUV,十八所 , 电工所 , 太阳能科技的标准都不同也得看你的电池片啊， 有些厂家的电池片封装之前功率高， 封装之后功率就会变低； 还有就是电流的匹配性，如果你的电池片同一档的电流偏差大，也会这样，就像木桶效应一样啊。正常，但又不大可接受，电池片效率越高衰减越大，而有些厂家的电池片本身衰减就很大正常衰减，不过太大点了看看你的工艺问题，还有电池片、 EVA等原材料的选用请教组件的功率会发生衰减，是什么衰减造成的请教组件的功率会发生衰减，是什么衰减造成的是电池的老化、ＥＶＡ的老化、玻璃的变化、背板的反光层的变化请老师们赐教若是你们的组件工艺是没问题的， 那主要是电池片引起的。 在电池的生产过程中， 使用劣质的硅片，比如说重掺片，里边 B含量较高，容易引起衰减。而且表现很快，在强光下曝晒两三个小时就会有很大程度的衰减。另外， 比如说电池生产过程中， 和组件生产过程会有一些人眼见不到的微裂痕产生， 这些也会引起功率衰减，但是周期不定，有时会很久才有发现。