新型高效晶硅电池技术

新型高效晶硅电池技术 .txt13 母爱是迷惘时苦口婆心的规劝；母爱是远行时一声殷切的叮咛；母爱是孤苦无助时慈祥的微笑。 本文由我爱兔宝贝 2010 贡献ppt 文档可能在 WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。HIT Solar Cell Technology sevenstar 三洋 HIT 电池的发展至 2008 年世界 HIT 电池的研究现状三洋双面 HIT 电池结构图晶硅 / 非晶硅异质结结构 增加开路电压，提高转换效率HIT 电池工艺制程1. 硅片清洗制绒 2. 正面用 PECVD制 备本征非晶硅薄膜 和 P 型非晶硅薄膜 3. 背面用PECVD制 备本征非晶硅薄膜 和 N 型非晶硅薄膜5. 丝网印刷制备电 极4. 在两面用溅射法沉 积透明导电氧化物 薄膜三洋 HIT 电池为双面电池 R 另外在大规模生产中 , 在较大的面积上保持 等离子体的均匀性也是一件困难的事。这种差异的原因往往 是隐性的 , 解决这一问题需要精通等离子体的专业知识。PECVD 技术难点二等离子体中电子及离子辐照对沉积薄膜结构及电子学特性 损伤。 等离子体加工过程中另一方面的问题是等离子体损伤 , 主要指 离子轰击及光子辐照 , 除了会降低沉积膜的质量外 , 还对晶体 Si 衬底带来损伤。光谱响应的研究结果发现利用等离子体技 术制备的 HIT 电池 , 在蓝光区 , 光谱响应提高 , 而在红光区 , 光 谱响应降低 , 这一方面表明本征层的钝化作用提高了蓝光区的 光量子效率 , 另一方面表明等离子体对器件的损伤深入到器件 内部 , 造成主要在 Si 体内被吸收的红光区的量子效率下降。为 降低等离子体损伤 , 需要严格控制等离子体的放电功率 , 将其 降低至最小 , 以能维持放电为准 , 这实际上降低了等离子体的稳定性 , 增加了工艺参数控制的难度。PECVD 技术难点三硼和磷的掺杂浓度难以提高。沉积 P 型和 N 型非晶硅的过程中， 要同时实现对硅的掺杂。 所 用的反应物为硼烷和磷烷。目前用这两种气体进行掺杂， 无 论如何增加反应气体的浓度， 沉积的非晶硅膜很难得到高于1019 次方的掺杂浓度。而常规晶体硅扩散工艺得到的掺杂浓 度一般为 1021。1 本文由我爱兔宝贝 2010 贡献ppt 文档可能在 WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。HIT Solar Cell Technology sevenstar 三洋 HIT 电池的发展至 2008 年世界 HIT 电池的研究现状三洋双面 HIT 电池结构图晶硅 / 非晶硅异质结结构 增加开路电压，提高转换效率HIT 电池工艺制程1. 硅片清洗制绒 2. 正面用 PECVD制 备本征非晶硅薄膜 和 P 型非晶硅薄膜 3. 背面用PECVD制 备本征非晶硅薄膜 和 N 型非晶硅薄膜5. 丝网印刷制备电 极4. 在两面用溅射法沉 积透明导电氧化物 薄膜三洋 HIT 电池为双面电池 R 另外在大规模生产中 , 在较大的面积上保持 等离子体的均匀性也是一件困难的事。这种差异的原因往往 是隐性的 , 解决这一问题需要精通等离子体的专业知识。PECVD 技术难点二等离子体中电子及离子辐照对沉积薄膜结构及电子学特性 损伤。 等离子体加工过程中另一方面的问题是等离子体损伤 , 主要指 离子轰击及光子辐照 , 除了会降低沉积膜的质量外 , 还对晶体 Si 衬底带来损伤。光谱响应的研究结果发现利用等离子体技 术制备的 HIT 电池 , 在蓝光区 , 光谱响应提高 , 而在红光区 , 光 谱响应降低 , 这一方面表明本征层的钝化作用提高了蓝光区的 光量子效率 , 另一方面表明等离子体对器件的损伤深入到器件 内部 , 造成主要在 Si 体内被吸收的红光区的量子效率下降。为 降低等离子体损伤 , 需要严格控制等离子体的放电功率 , 将其 降低至最小 , 以能维持放电为准 , 这实际上降低了等离子体的稳定性 , 增加了工艺参数控制的难度。PECVD 技术难点三硼和磷的掺杂浓度难以提高。沉积 P 型和 N 型非晶硅的过程中， 要同时实现对硅的掺杂。 所 用的反应物为硼烷和磷烷。目前用这两种气体进行掺杂， 无 论如何增加反应气体的浓度， 沉积的非晶硅膜很难得到高于1019 次方的掺杂浓度。而常规晶体硅扩散工艺得到的掺杂浓 度一般为 1021。1