光伏高效电池饕餮盛宴

光伏高效电池饕餮盛宴光伏 产业低迷，腹背受敌。怎样能挺过寒冬有技术实力而且能将技术变成生产力的企业，将最终胜出。高效电池就是光伏的突围之匙。一、光伏高效电池饕餮盛宴（ 1）1.高效电池 -光伏的突围之匙光伏当前产业低迷，腹背受敌。外有金融危机，市场萎靡，欧美双反，贸易壁垒；内有并网受限，政策滞后，产能过剩，产品同质化，高资产负债率。很多人都喜欢问一个问题， “ 你认为光伏何时才能复苏 ” ，我觉得这个问题的意义不太大，因为即使能预测出这个时间点，可是你确信自己能挺到复苏之时吗行业的复苏不等于你的复活，也许那时你已经成为一名过客了。那怎样的企业才能挺过这次寒潮呢有技术实力，而且能将技术变成生产力的企业，将最终胜出，迎来光伏的下一个高潮。有核心技术，自然能得到资本的青睐，解决资金的短缺。自然能够突破价格战和产能过剩的困局， 获得更高的利润。 据计算， 太阳能光伏 电池转换效率每提高一个百分点，将使 太阳能 电池组件的发电成本降低 7左右。目前国际市场的行情是同样是 P 型硅片制造，转换效率高低成为定价的标准。下游客户使用高效太阳电池做的组件，可以在安装成本不变的情况下提高太阳能光伏发电系统的年发电。高效电池就是光伏的突围之匙。光伏暴利的时代已经过去。中国光伏行业在洗牌整合，在等待政策和贸易环境的改善，在积蓄内力提高效率，等待一个真正辉弘的高潮的到来 ---光伏平价上网光伏发电以平等的价格和传统能源展开发电市场竞争，走入寻常百姓家。2.什么是高效光伏电池目前普通的太阳能电池产业化水平转换效率单晶 15 ～ 17％、多晶 12 ～ 15％，非晶硅薄膜 8％～９％。高效电池是指电池产业化水平转换效率单晶 18％、多晶16.5 ％、非晶硅薄膜 10％。要强调一点的是我们说的是产业化的电池转换效率，是指能够量产制造的，不是实验室精雕细刻出来的。实验室里面有很多电池效率很高，但或者工艺太复杂、或者技术不成熟，只具有研发意义，无法量产，无法降低生产成本，还不具有商业推广价值。大面积、薄片化、高效率以及高自动化集约生产将是光伏硅电池工业的发展趋势。通过降低电池的硅材料成本，提升光电转换效率与延长其使用寿命来降低单位电池的发电成本。通过集约化生产节约人力资源降低单位电池制造成本。通过合理的机制建立优秀的技术团队、充分保证技术上的持续创新是未来光伏企业发展的核心竞争力所在。3.技术发展趋势 -薄片化降低硅片厚度是减少硅材料消耗、降低晶硅太阳电池成本的有效技术措施，是光伏技术进步的重要方面。 30 多年来，太阳电池硅片厚度从 70 年的 450 ～ 500μ m 降低到目前的 150 ～ 180μm ，降低了一半以上，硅材料用量大大减少，对太阳电池成本降低起到了重要作用，是技术进步促进成本降低的重要范例之一。硅片厚度的降低如表 1 所示。4.光伏技术发展战略目标典型商业组件的效率期望能从 2010 年的 16 增长到 2030 年的 25 ， 2050 年增长到 40 。随着能源和材料在制造业的使用更加高效，光伏系统能源回收期的时间会不断缩短的。 预计能源回收期会从 2010 年的两年降低到 2030 年的 0.75 年， 到 2050 年会下降到 0.5 年。使用寿命期望从 25 年增加到 40 年。战略技术指标5.光伏产业技术路线图晶体硅电池发展的趋势是低成本高效率，这是光伏技术的发展方向。低成本的实现途径包括效率提高、成本下降及组件寿命提升三方面。效率的提高依赖工艺的改进、材料的改进及电池结构的改进。成本的下降依赖于现有材料成本的下降、工艺的简化及新材料的开发。组件寿命的提升依赖于组件封装材料及封装工艺的改善。因而，晶体硅电池发电的平价上网时间表除了与产业规模的扩大有关外，最重要的依赖于产业技术（包括设备和原材料）的改进。仅靠工艺水平的改进对电池效率的提升空间已经越来越有限，电池效率的进一步提升将依赖新结构、 新工艺的建立。 具有产业化前景的新结构电池包括选择性发射极电池、异质结电池、背面主栅电池及 N 型电池等。这些电池结构采用不同的技术途径解决了电池的栅线细化、 选择性扩散、 表面钝化等问题， 可以将电池产业化效率提升 2～ 3 个百分点。为了进一步降低成本、提高效率，各国光伏研究机构和生产商不断改善现有技术，开发新技术。 他们根据自己的技术实力和科研回报的期望， 选择不同的研究方向和路径，共同促进光伏技术的不断进步。如图所示为不同光伏技术的发展状况及前景二、光伏高效电池饕餮盛宴（ 2）1.硅 太阳能 电池的转换效率损失机理太阳能电池转换效率受到光吸收、载流子输运、载流子收集的限制。对于单晶硅硅太阳能电池，由于上光子带隙的多余能量透射给下带隙的光子，其转换效率的理论最高值是 28 。只有尽量减少损失才能开发出效率足够高的太阳能电池。影响晶体硅太阳能电池转换效率的原因主要来自两个方面，如图 1 所示（ 1）光学损失，包括电池前表面反射损失、接触栅线的阴影损失以及长波段的非吸收损失。（ 2）电学损失，它包括半导体表面及体内的光生载流子复合、半导体和金属栅线的接触电阻，以及金属和半导体的接触电阻等的损失。这其中最关键的是降低光生载流子的复合，它直接影响太阳能电池的开路电压。光生载流子的复合主要是由于高浓度的扩散层在前表面引入大量的复合中心。此外，当少数载流子的扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时，背表面的复合速度对太阳能电池特性的影响也很明显。图 1 普通太阳能电池多种损失机制2.提高晶硅太阳能电池转换效率的方法（ 1） 光陷阱结构。一般高效单晶硅电池采用化学腐蚀制绒技术，制得绒面的反射率可达到 10％以下。目前较为先进的制绒技术是反应等离子蚀刻技术（ RIE ），该技术的优点是和晶硅的晶向无关，适用于较薄的硅片，通常使用 SF6/O2 混合气体，在蚀刻过程中， F 自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的 SiF4 ， O 自由基形成 SixOyFz 对侧墙进行钝化处理，形成绒面结构。目前韩国周星公司应用该技术的设备可制得绒面反射率低于在 220 范围。（ 2） 减反射膜。它的基本原理是位于介质和电池表面具有一定折射率的膜，可以使入射光产生的各级反射相互间进行干涉从而完全抵消。单晶硅电池一般可以采用TiO2 、 SiO2 、 SnO2 、 ZnS 、 MgF2 单层或双层减反射膜。在制好绒面的电池表面上蒸镀减反射膜后可以使反射率降至 2％左右。（ 3） 钝化层钝化工艺可以有效地减弱光生载流子在某些区域的复合。一般高效太阳电池可采用热氧钝化、原子氢钝化，或利用磷、硼、铝表面扩散进行钝化。热氧钝化是在电池的正面和背面形成氧化硅膜，可以有效地阻止载流子在表面处的复合。原子氢钝化是因为硅的表面有大量的悬挂键，这些悬挂键是载流子的有效复合中心，而原子氢可以中和悬挂键，所以减弱了复合。（ 4） 增加背场如在 P 型材料的电池中，背面增加一层 P浓掺杂层，形成 P/P的结构， 在 P/P 的界面就产生了一个由 P 区指向 P 的内建电场。 由于内建电场所分离出的光生载流子的积累，形成一个以 P端为正， P 端为负的光生电压，这个光生电压与电池结构本身的 PN 结两端的光生电压极性相同，从而提高了开路电压 Voc 。同时由于背电场的存在， 使光生载流子受到加速， 这也可以看作是增加了载流子的有效扩散长度，因而增加了这部分少子的收集几率，短路电流 Jsc 也就得到提高。（ 5） 改善衬底材料选用优质硅材料，如 N 型硅具有载流子寿命长、制结后硼氧反应小、电导率好、饱和电流低等。3.高效晶体硅太阳能电池 -PERL 电池PESC 、 PERC 、 PERL 电池是新南威尔士大学研究了近 20 年的先进电池系列，前两个子母 PE （ Passivated Emitter ）代表前表面的钝化（选择性扩散），后两个子母代表后表面的扩散和接触情况。其中 PERL 衍生了南京中电的 SE 电池与尚德的 PLUTO电池。PESC （钝化发射极背接触）电池 1985 年问世，可以做到大于 83％的填充因子和20.8 ％（ AM1.5 ）的效率。PERC （钝化发射极背场点接触）电池，用背面点接触来代替 PESC 电池的整个背面铝合金接触，这种电池达到了大约 700mV 的开路电压和 22． 3％的效率。PERL（钝化发射极背部局域扩散） （ Passivated Emitter and Rear Locally-diffused ）电池是钝化发射极、背面定域扩散太阳能电池的简称。 1990 年，新南威尔士大学的J.ZHAO 在 PERC 电池结构和工艺的基础上，在电池背面的接触孔处采用了 BBr3 定域扩散制备出 PERL 电池，如图所示。 2001 年， PERL 电池效率达到 24.7 ％，接近理论值，是迄今为止的最高记录。图 2新南威尔士大学 PERL 电池 h＝ 24.7 4.高效晶体硅太阳能电池 -HIT 电池HIT 电池是异质结（ hetero-junction with intrinsic thin-layer ， HIT） 太阳能电池的简称。 1997 年，日本三洋公司推出了一种商业化的高效电池设计和制造方法， 电池制作过程大致如下利用 PECVD 在表面织构化后的 N 型 CZ-Si 片的正面沉积很薄的本征α -SiH 层和 p 型 α -SiH 层， 然后在硅片的背面沉积薄的本征 α -SiH 层和 n 型 α -SiH 层；利用溅射技术在电池的两面沉积透明氧化物导电薄膜 （ TCO ） ， 用丝网印刷的方法在 TCO上制作 Ag 电极。值得注意的是所有的制作过程都是在低于 200 ℃的条件下进行，这对保证电池的优异性能和节省能耗具有重要的意义。HIT 电池具有高效的原理是（ 1）全部制作工艺都是在低温下完成，有效地保护载流子寿命；（ 2）双面制结，可以充分利用背面光线；（ 3）表面的非晶硅层对光线有非常好的吸收特性；（ 4）采用的 n 型硅片其载流子寿命很大，远大于 p 型硅，并且由于硅片较薄，有利于载流子扩散穿过衬底被电极收集；（ 5）织构化的硅片对太阳光的反射降低；（ 6） 利用 PECVD 在硅片上沉积非晶硅薄膜过程中产生的原子氢对其界面进行钝化，这是该电池取得高效的重要原因。2009 年 5 月，这种电池的量产效率达到了 19.5 ，单元转化效率达到 23 。HIT 电池的工艺流程是硅片 - 清洗 - 制绒 - 正面沉积 - 背面沉积 - TCO 溅射沉积 - 丝网印刷 Ag 电极 -测试这种电池具有结特性优秀、温度系数低、生产成本低廉和转换效率高等优点，所以在光伏市场上受到青睐，商业化生产速度发展很快，仅仅两三年时间，产品已占整个光伏市场的 5％图 3三洋公司 HIT 电池 h＝ 23 5.高效晶体硅太阳能电池 -IBC 电池IBC 电池是背电极接触（ Interdigitated Back-contact ）硅太阳能电池的简称。由Sunpower 公司开发的高效电池，其特点是正面无栅状电极，正负极交叉排列在背后。利用点接触（ Point-contact cell ， PCC ）及丝网印刷技术。这种把正面金属栅极去掉的电池结构有很多优点（ 1）减少正面遮光损失，相当于增加了有效半导体面积；（ 2）组件装配成本降低；（ 3）外观好。由于光生载流子需要穿透整个电池，被电池背表面的 PN 节所收集，故 IBC 电池需要载流子寿命较高的硅晶片，一般采用 N 型 FZ 单晶硅作为衬底；正面采用二氧化硅或氧化硅 /氮化硅复合膜与 N 层结合作为前表面电场，并制成绒面结构以抗反射。背面利用扩散法做成 P 和 N 交错间隔的交叉式接面，并通过氧化硅上开金属接触孔，实现电极与发射区或基区的接触。交叉排布的发射区与基区电极几乎覆盖了背表面的大部分，十分有利于电流的引出， 结构见图。图 4 Sunpower 公司 IBC 电池 h＝ 22.3 这种背电极的设计实现了电池正面 “ 零遮挡 ” ，增加了光的吸收和利用。但制作流程也十分复杂，工艺中的难点包括 P扩散、金属电极下重扩散以及激光烧结等。 2009 年7 月 SunPower 公司上市了转换效率为 19.3 ％的太阳能电池模块。IBC 电池的工艺流程大致如下清洗 -制绒 -扩散 N- 丝印刻蚀光阻 -刻蚀 P 扩散区 -扩散 P- 减反射镀膜-热氧化 -丝印电极 -烧结 -激光烧结。三、光伏高效电池饕餮盛宴（ 3）1.高效晶体硅 太阳能 电池 -MWT 电池MWT 电池是金属穿孔卷绕 （ metallization wrap-through ， MWT ） 硅太阳能电池的简称。MWT 技术是荷兰规模最大的太阳能电池生产商 Solland Solar 开发的用于其Sunweb 电池的方法。该技术应用 P 型多晶硅，通过激光钻孔将电池正面收集的能量穿过电池转移至电池的背面。这种方法使每块电池的输出效率提高了 2，再与电池组件相连接，所得的输出效率能提高 9，如图 5 所示。在 MWT 器件中，工艺的难点包括激光打孔和划槽隔绝的对准及重复性、孔的大小及形状的控制、激光及硅衬底造成的损伤及孔内金属的填充等。一般 MWT 每块硅片需要钻约 200 个通孔。MWT 电池的制作流程大致为硅片 -激光打孔 -清洗制绒 -发射极扩散 -去 PSG- 沉积 SIN- 印刷正面电极-印刷背面电极 -印刷背电场 -烧结 -激光隔绝 -测试。图 MWT 电池将发射极从正面 “ 卷绕 ” 至背面2.高效晶体硅太阳能电池 -EWT 电池EWT 电池是发射极环绕穿通 （ emitter-wrap-through ， EWT ） 硅太阳能电池的简称。与 MWT 电池不同的是， 在 EWT 电池中， 传递功率的栅线也被转移至背面。 与 MWT电池类似， EWT 电池也是通过在电池上钻微型孔来连接上、下表面。相比 MWT 电池的每块硅片约 200 个通孔， EWT 电池每块硅片大约有 2 万个这种通孔，故激光钻孔成为唯一可满足商业规模速度的工艺，如图所示。EWT 电池由于正面没有栅线和电极， 使模组装配更为简便， 同时由于避免了遮光损失且实现了双面收集载流子，使光生电流有大幅度的提高。用于工业化大面积硅片的EWT 电池工艺多采用丝网印刷和激光技术，并对硅片质量具有一定的要求，这为 EWT电池工艺技术提出诸多的要求，比如无损伤激光切割的实现、丝网印刷对电极形状的限制、孔内金属的填充深度以及发射极串联电阻的优化等。利用这种新型几何结构生产出来的早期电池获得了超过 17 的效率。图采用背面分布式触点的 EWT 电池3.高效晶体硅太阳能电池 -LGBC 电池LGBC 电池是有激光刻槽埋栅电极 （ Laser groove bury contact ） 工艺电池的简称。由 UNSW 开发的技术， 是利用激光技术在硅表面上刻槽， 然后埋入金属， 以起到前表面点接触栅极的作用。如图所示，发射结扩散后，用激光在前面刻出 20μm 宽、 40μm 深的沟槽，将槽清洗后进行浓磷扩散，然后槽内镀出金属电极。电极位于电池内部，减少了栅线的遮蔽面积，使电池效率达到 19.6 。与传统工艺的前表面镀敷金属层相比，这种电池具有的优点是栅电极遮光率小、电流密度高，埋栅电极深入硅衬底内部可增加对基区光生电子的收集，浓磷扩散降低浓磷区电阻功耗和栅指电极与衬底的接触电阻功耗，提高了电池的开路电压。这种电池既保留了高效电池的特点，又省去了高效电池制作中的一些复杂的工艺，很适合利用低成本、大面积的硅片进行大规模生产。目前这一技术已经转让给好几家世界上规模较大的太阳能电池生产厂。如英国的 BP SOLAR 和美国的 SOLAREX 等。激光刻槽埋栅电池的大致工艺流程为硅片 -清洗制绒 -淡磷扩散 -热氧化钝化 -开槽 -槽区浓磷扩散 -背面蒸铝 -烧背场 -化学镀埋栅 -背面电极 -减反射膜 -去边烧结 -测试。图新南威尔士大学 激光刻槽埋栅电池 h ＝ 19.8 4.高效晶体硅太阳能电池 -OECO 电池OECO 电池是倾斜蒸发金属接触（ Obliquely evaporated contact ， OECO ）硅太阳能电池的简称。OECO 太阳电池是德国 ISFH 研究所从九十年代就开始研制的一种新型单晶硅电池。与其他高效电池相比，具有结构设计新颖、制作简单、电极原料无损耗、成本低廉和适合大批量生产等优点。 OECO 电池结构基于金属－绝缘体－半导体（ MIS ）接触，利用表面沟槽形貌的遮掩在极薄的氧化隧道层上倾斜蒸镀低成本的 Al 作为电极， 无需光刻、电极烧穿、电极下重掺杂和高温工艺即可形成高质量的接触，并且一次性可蒸镀大批量的电池电极。 更为重要的是当这种电池制作面积从 4 cm2 扩大到 100 cm2 时， 效率也只是从 21.1 ％略微降到 20 ％， 仍然属于高效范围， 所以这种结构的电池更适宜于工艺生产。OECO 结构示意图如图 8 所示，电池的表面由许多排列整齐的方形沟槽组成，浅发射极 n位于硅片的上表面， 在其上有一极薄的氧化隧道层， Al 电极倾斜蒸镀于沟槽的侧面，然后利用 PECVD 蒸镀氮化硅作为钝化层和减反射膜OECO 电池有以下特点（ 1）电极是蒸镀在沟槽的侧面，有利于提高短路电流；（ 2）优异的 MIS 结构设计，可以获得很高的开路电压和填充因子；（ 3）高质量的蒸镀电极接触；（ 4）不受接触特性限制的可以被最优化的浅发射极；（ 5）高质量的低温表面钝化。电池的制作具体过程为前表面机械开槽 → 化学腐蚀清洗 → 背面掩膜（扩散） → 前表面化学制绒 → 使用液态源 POCl3 进行磷扩散制作 n 发射极 → 打开背面接触 → 真空蒸镀 Al 作为背电极 → 前表面低温热氧化形成氧化隧道层 → 前表面无需掩膜直接倾斜蒸镀 Al 作为面电极 → 使用导电胶将各个面电极连接起来 → 采用 PECVD 法在前表面蒸镀氮化硅作为钝化和减反射层。图 德国 ISFH 的 OECO 电池 h＝ 21.1 5.高效晶体硅太阳能电池 -N 型晶体硅电池N 型硅衬底的优点 N 型硅（ n-Si ）相对于 P 型硅来说，由于对金属杂质和许多非金属缺陷不敏感，或者说具有很好的忍耐性能，故其少数载流子具有较长而且稳定的扩散长度。目前只有 Sunpower 和 sanyo 两家企业 N 型 Si 衬底生产高效太阳能电池做得较好。英利 “ 熊猫 ” N 型单晶硅高效电池项目填补了国内 N 型电池技术的空白。如何在 N 型硅衬底上实现 PN 结硼扩散制结、非晶硅 /晶硅异质结以及 Al 扩散制结三种基本方法。硼扩散制结需要高温，高温是太阳能电池制备工艺最忌讳的HIT 电池只有 Sanyo 做得较好，没有推广。Al 推进制结目前受到普遍关注，因其价格低廉而又容易实现。具体工艺参数信息见附图，对专业人士很有参考价值。四、光伏高效电池饕餮盛宴（ 4）1.高效晶体硅 太阳能 电池 -LBSF 电池LBSF 电池是深结局部背场 （ Local Back Surface Fields ）电池的简称，由德国Fraunhofer 研究所研发， 2cm 2cm 电池效率达到 ＝ 23.3 特点1. TCA 生长氧化层钝化电池正反面2. 正面光刻制成的金字塔（绒面）结构3. 背面硼扩散一般造成高表面复合4. 局部铝扩散制作电池的表面接触2.高效晶体硅太阳能电池 -德国 Fraunhofer 超薄多晶硅高效电池德国 Fraunhofer 太阳能研究所制备的多晶硅太阳能电池刷新了世界多晶硅电池的转化效率记录 -20.3 。这种电池不仅具有局部背表面场结构和用等离子体掩模法制备的表面织构，光学电学性能好，而且由于它采用了湿法氧化法而非传统的热氧化钝化电池后表面，在钝化效果和温度因素之间找到了一个合适的平衡点。既保证了钝化效果，又减少了温度对少子寿命的影响，使电池的性能得到最优化。该电池另一个特点是超薄，厚度仅 37um ，此技术对降低多晶硅用量有重要意义。3.高效晶体硅太阳能电池 -日本京瓷（ Kyocera ）的高效多晶硅电池多晶硅由于结构的各项同性而使采用碱腐蚀织构化效果不好，日本京瓷（ Kyocera ）公司采用 PECVD/SiN 表面织构化采用反应性等离子刻蚀技术（ RIE ）。而扩散则采用双面扩散的方法， 背面重扩散达到吸杂的效果， 以提高电荷的收集率。 1996 年效率达到17.1 ， 到了 2004 年， 233cm2 大面积多晶硅电池效率达 17.7 ％。 去年利用背接触型结构达到 18.5 ％的效率（面积为 150mm* 155mm ，采用黑色背板，减小布线的宽度，使模块整体呈黑色）。已实现商业化。4.高效晶体硅太阳能电池 -PCC 电池斯但福大学研发的 PPC 电池单晶硅高效电池的典型代表。 PPC 是的背面点接触（ Point contact cell ）的缩写。点接触电池的结构与 PERL 电池一样，用 TCA 生长氧化层钝化电池正反面。为了减少金属条的遮光效应，金属电极设计在电池的背面。电池正面采用由光刻制成的金字塔（绒面）结构。位于背面的发射区被设计成点状， 50um间距， 10um 扩散区， 5 m 接触孔径，基区也作成同样的形状，这样可减小背面复合。衬底采用 n 型低阻材料（取其表面及体内复合均低的优势），衬底减薄到约 100um ，以进一步减小体内复合。这种电他的转换效率在 AM1 ． 5 下为 22 ． 3％。5.国产高效晶体硅电池 -尚德冥王星（ Pluto ）Pluto 电池是采用 PERL 结构的、 基于 P 型硅的高效晶硅电池。 属于 UNSW 的 PERL的衍生技术。 单晶硅电池 18.8 ％及多晶硅电池 17.2 ％的转化效率， 与目前传统量产化电池拉开一定差距。据称未来 2 年之内， Pluto 技术的目标是单晶硅电池的转换效率达到20％及多晶硅的效率为 18％。对 PLUTO 电池的评估如下① 与南京中电 SE 电池类似，前身为新南威尔士（ UNSW ）大学的 PERL （钝化发射极背部局域扩散）电池，这种电池的实验室最高记录是由赵建华博士于 1999 年实现的，其包含并不限于典型的选择性发射极（ SE）技术。② 激光制绒， 以达到均匀性最好的表面倒金字塔形貌。 钝化背发射极 （降低复合速率，延长少子寿命）、背面点接触（减少与硅基接触，降低复合速率）这些，都是已经运用非常广的技术。③ 真空蒸镀栅线后再加以电镀，提升均匀性及高宽比。 Pluto 的栅线相比普通的丝网印刷栅线要窄丝网印刷栅线的高宽比典型的是 14，而 Pluto 为 12 。较窄的正面电极可以减少阳光的遮挡并减少与硅片的接触面积。减少遮挡这一点很容易理解；而减少接触主要是因为任何与硅的直接接触会导致较高的表面复合速率，使少子寿命减少。④ 扩散炉和刻蚀机采用从 48 所订制的半导体级产品，扩散后有特殊处理。其中②③项是在中电 SE 技术上进一步深化的技术，为尚德首席技术官 Stuart Wenham 协助尚德开发，其还担任新南威尔士大学的 ARC 卓越光伏研究中心的执行官。可以看出 PLUTO 电池的本质即是将实验室 PERL 电池进行量产化，在不可避免的采用半导体先进制程技术外，尽量控制设备投资额度，掌握技术领先与商业可行的平衡是其重点。尚德为了量产化 PLUTO 电池，收购了德国一家大型机械厂商库特勒公司（电路印刷板制造机器行业的领军企业之一），进行大部分设备的自主设计和改造。目前尚德继在旧厂房（原有四条线）进行 Pluto 电池生产线设立后，又开始扩充到新厂房以增加产量。所有参与 Pluto 电池的技术与生产人员都大幅提薪以防止技术泄露，同时监控摄像头异常密集，其他公司总经理级别人士也不允许进入。