简介： 原创性声明 IUll I II Illll I Illlll III Y2 547474 本人郑重声明所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下，独立进行研究 所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集 体己经发表或撰写过的科研成果。对本文的研究作出重要贡献的个人和集体，均 己在文中以明确方式标明。本声明的法律责任由本人承担。 灾叶 日期擀∥月阳日 学位论文使用授权声明 本人在导师指导下完成的论文及相关的职务作品，知识产权归属郑州大学。 根据郑州大学有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保留或向国家有关部门 或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和

简介： 摘 要 I 摘 要 本论文围绕太阳能电池的电性能参数展开，主要研究发射极优化对太阳能电 池电性能的影响。结合目前太阳能电池的产业化发展，研究扩散发射极的优化、 NAOS 法去死层发射极表面的二次清洗和优化，通过 I-V 特征曲线、方块电阻、少 子寿命、电致发光 EL、内量子效率 IQE 的测试对太阳能电池的电性能、发射极性 能、光谱响应进行表征和分析，并就发射极优化的机理及其对太阳能电池电性能 参数的影响作了阐述。 利用 PC1D 软件 ， 仿真了太阳能电池的性能与发射极掺杂浓度、结深、前表 面复合速率、方块电阻、少子寿命的之间关系 ， 探寻 电性能的改善 方向。 通过中 心温度

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简介：油 气 、 地 矿 、 电 力 设 备 管 理 与 技 术 China Science 当氮化硅膜的折射率 达大于2.2时，不同PECVD工艺的太阳电池都具有良好的 抗PID性能 [1] 。但是，当折射率不同时，太阳电池的转换效率 差别很大。自从组件使用抗PID的EVA后，组件的抗PID性 能得到了明显的改善。因此，需要对太阳电池氮化硅膜的 折射率进行研究，确定既能满足组件抗PID性能，又能实现 太阳电池最佳转换效率的折射率。 2 实验 电池片的制备是在产业化的多晶硅电池生产线上进 行，用普通156mm156mm的自产P型多晶硅片。选取晶向 一致的多晶硅片进行分组，经清洗制绒、扩

简介： 第 37 卷 第 2 期 电 子 元 件 与 材 料 V ol.37 No.2 2018 年 2 月 ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS Feb. 2018 不同光谱响应太阳能电池测试差异性研究 王少熙 ， 杜幸芝 ， 樊晓桠 （西北工业大学 软件与微电子学院，西安 陕西 710072） 摘要 目前市场上太阳能电池种类繁多，不同电池具有不同的结构、工艺、材料掺杂等；此外，太阳能模拟 器还不尽完善。因此导致采用太阳能模拟器进行太阳能电池测试具有较大差异性。本文首先选取 P 型电池，HIT 电池，IBC电池为研究对象，建

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简介：- m} - 收 稿 日 期 2007 - 11 - 27 作 者 简 介 周 国 华 1981 - ,男 ,江 苏 泰 州 人 ,检 测 技 术 与 自 动 化 装 置 。 研 究 方 向 高 效 太 阳 能 电 池 。 氮 化 硅 薄 膜 对 硅 片 背 表 面 的 钝 化 作 用 周 国 华 1 ,施 正 荣 2, 3 ,朱 拓 2 1.江 南 大 学 信 控 学 院 ,江 苏 无 锡 214122; 2. 江 南 大 学 理 学 院 ,江 苏 无 锡 214122; 3. 无 锡 尚 德 太 阳 能 电 力 有 限 公 司 ,江 苏 无 锡 214028 摘

简介：SILICON NITRIDE – SILICON OXIDE STACKS FOR SOLAR CELL REAR SIDE PASSIVATION M. Hofmann, E. Schneiderlöchner, W. Wolke, R. Preu Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems ISE Heidenhofstr. 2, 79110 Freiburg, Germany phone 49 761-4588-5360; fax 49 761-4588-9250 email marc.hofmannise.f

简介：杜俊霖 Ph.D. Research Center for New Energy Technology The purpose of texturization Pre clean SDR TEX 14th China SoG Silicon and PV Power Conference, Xi’an, 2018 Page 1 Dissolve the contaminatio n on the raw wafer Reflectivity 35.4 Remove the saw damage caused

简介：第42卷第2期 东华大学学报自然科学版 v。1．42。N。．2 2016年4月 JOURNAL 0F DONGHUA UNIVERSITYNATURAL SCIENCE Apr．2016 文章编号167卜0444201602一0179一06 常压等离子体化学气相沉积制备UHMWPE／ SiOzCy Hz锂离子杂化隔膜 王超梁8，彭 释6，戴 协。，石建 军8， 张 菁3 东华大学a．理学院；b．纺织学院；c．材料科学与工程学院，上海201620 摘要采用常压等离子体化学气相沉积APECVD方法裂解六甲基二硅氧烷HMDS0，在高强高 模聚乙烯UHMWPE隔膜表面

简介：表面等离子体共振原理及其应用 李智豪 1.表面等离子体共振的物理学原理 人们对金属介质中等离子体激元的研究 , 已经有 50 多年的历史。 1957 年 Ritchie 发现 , 高 能电子束穿透金属介质时 , 能够激发出金属自由电子在正离子背景中的量子化振荡运动 , 这就是等离子体激元。后来 ,人们发现金属薄膜在入射光波照射下 , 当满足特定的条件时 , 能够激发出表面等离子体激元 , 这是一种光和自由电子紧密结合的局域化表面态电磁运 动模式。 由于金属材料的吸收性质 ,光波沿金属表面传播时将不断被吸收而逐渐衰减 , 入射光波的 能量大部分都损耗掉了 , 造成反射光的能量为最小值 ,

简介：45卷Ig 6期 人 工 晶 体 学 报 v 01．45 N0．6 垫鱼生鱼旦 Q旦垦堕些Q璺堕旦垦旦垦竺型坐堡 垒竺兰Q鱼 薄单晶硅PERC太阳电池纯铝背电极快速烧结研究 罗鹏飞1，王殿磊1，眭 山2，沈 辉1 2 1．中山大学太阳能系统研究所广东省光伏技术重点实验室，广州510006；2．顺德中山大学太阳能研究院，佛山528300 摘要利用热蒸发设备在30 mln x 30 mm的单晶硅PERC太阳电池背表面蒸镀约2斗m厚的纯铝电极，采用工业链 式烧结炉对该背电极进行烧结，发现当烧结峰值温度913．8℃及铝硅固溶时间13s左右时电池效率最大。进而，以 硅片厚度

简介：Authors Shravan K. Chunduri, Michael Schmela PERC 如何提升高效晶硅电池 PERC 电池技术 上海市太阳能学会 TaiyangNews 联合出品 2018 版 CSPV 会议专刊2 TaiyangNews | PERC Solar Cell Technology 2018 Welcome to CSPV 2018, TaiyangNews together with SSES are very pleased to have you joining CSPV, China’s leading PV technology eve

简介： http//www.cindasc.com 靶材行业- 芯片产业链中 已经 实现国产替代的行业 2018 年 5 月 17 日 每日免费获取报告 1 、每日微信群内分享5 最新重磅报告； 2 、每日分享当日 华尔街日报、金融时报； 3 、每周分享 经济学人 4 、每月汇总500 份当月重磅报告 （增值服务） 关注公号 回复 加入“起点财经”微信群。

简介：ACCELERATED PUBLICATION Solar cell efficiency tables version 48 Martin A. Green 1 * , Keith Emery 2 , Yoshihiro Hishikawa 3 , Wilhelm Warta 4 and Ewan D. Dunlop 5 1 Australian Centre for Advanced Photovoltaics, University of New South Wales, Sydney, New South Wales 2052, Australia 2 National Renew