顺大半导体发展有限公司太阳能用硅单晶片生产技术目 录一、 硅片生产工艺中使用的主要原辅材料1、拉制单晶用的原辅材料,设备和部件2、供硅片生产用的原辅材料,设备和部件二、 硅片生产工艺技术1、硅单晶生产部( 1) 、腐蚀清洗工序生产工艺技术对处理后原材料质量...
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论金刚线切割硅片技术的前景如今又一个崭新的金刚线切片技术崛起于光伏硅片切割行业。树脂金刚线切割硅片的技术与切割钢丝切割硅片技术相比, 最主要的优势体现在这四个方面( 1)树脂金刚线切割过程造成的损伤层在 4-7um,电镀金刚线是 8-10 um,砂浆是 11-15um,有...
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电 子 工 业 专 用 设 备Equipment for Electronic Products ManufacturingEPE( 总第 198 期 )Jul. 2011硅片脱胶技术的现状及发展研究张 峰, 司 超中国电子科技集团公司第二研究所 , 山西太原 030024摘 要 介绍了硅棒在线切
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化学机械抛光中的硅片夹持技术孙禹辉,康仁科,郭东明,金洙吉,苏建修大连理工大学机械工程学院,辽宁大连 116024 摘要 目前半导体制造技术已经进入 0. 13μm 时代, 化学机械抛光 CMP已经成为 IC 制造中不可缺少的技术。本文描述了下一代 IC 对大尺寸硅片 ≥ 300...
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配方分析 / 成分检测 / 研发外包 / 工业诊断www.hccjishu.com硅片线切割液成分,配方生产工艺及技术应用导读本文详细介绍了硅片线切割液的作用,分类,参考配方及市场等,本文中的配方数据经过修改,如需更详细资料,可咨询我们的技术工程师。禾川化学引进尖端配方解...
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论金刚线切割硅片技术的前景如今又一个崭新的金刚线切片技术崛起于光伏硅片切割行业。树脂金刚线切割硅片的技术与切割钢丝切割硅片技术相比,最主要的优势体现在这四个方面( 1)树脂金刚线切割过程造成的损伤层在 4-7um,电镀金刚线是 8-10 um,砂浆是 11-15um,有...
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敬请阅读末页的重要说明 证券研究报告 | 行业深度报告 工业 | 新能源 推荐(维持) 光伏系列报告之(二十八) 2019年12月15日 产业化加速,HIT电池片技术正酝酿着突破 上证指数 2967 行业规模 占比 股票家数(只) 42 1.1 总市值(亿元) 6246 1.2 流通市值(亿 元.
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周 浪 黄 海 宾 姚 飞 钱 峰 光 伏 研 究 院 ( IPV)江 西 省 非 晶 硅 /晶 体 硅 异 质 结 太 阳 电 池 辅 材 与 产 线 装 备国 产 化 重 点 创 新 中 心江 西 昌 大 高 新 能 源 材 料 技 术 有 限 公 司汉 可 泛 半 导 体 装 备 技 术 (
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豆维江,等P型Cz-Si太阳能电池光致再生技术 · 1 · · 1 · P型Cz-Si太阳能电池光致再生技术 豆维江,李小玄,王宝磊,郑新霞 (西安黄河光伏科技股份有限公司,陕西西安,710043) 摘 要 对P型Cz-Si太阳能电池进行光致再生(LIR)测试,探寻抑制光致衰减(LID)效应的 ..
下载价格:3 金币 / 发布人: 灰色旋律 / 发布时间:2019-01-10 / 294人气
Schol of Photovoltaic and Renewable Energy Enginering UNSW’sresearchonshingledsolarcell interconectionthepast,currentandfuture
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p技术总结 10年后,PERC技术会发展怎么样PERC有望突破25效率吗硅串联电池技术/薄膜技术等又会发展如何UNSW马丁·格林教授的6月份最新报告介绍了未来十年后的主流技术展望,干货较多,建议收藏。/p
下载价格:5 金币 / 发布人: 安爱生 / 发布时间:2019-07-12 / 515人气
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下载价格:3 金币 / 发布人: 情深不寿 ゞ / 发布时间:2018-08-27 / 332人气
1 200MW/ 年专利技术高效长寿命晶体硅太阳能电池片建设项目可行性研究报告2 前 言在全球能源形势日趋紧张的情况下,世界各国都在寻求新的能源替代方法,太阳能以其清洁、安全、经济等显著优势,已经成为国际能源发展的重要方向。对于能源短缺现象非常严重的中国来说...
下载价格:3 金币 / 发布人: 情深不寿 ゞ / 发布时间:2018-08-27 / 221人气
上海环境热线 www.envir.gov.cn上海环境节能工程有限公司受上海神舟新能源发展有限公司委托开展 “ 50MW 高效晶体硅太阳能电池生产线技术改造项目 ” 的环境影响评价。现根据国家及本市法规及规定,并经上海神舟新能源发展有限公司同意向公众进行第二次信息发布,公...
下载价格:3 金币 / 发布人: 情深不寿 ゞ / 发布时间:2018-08-27 / 275人气
36 www.pv-tech.org前言对于实验室高效硅太阳能电池而言,可以通过采用热氧化(≥ 900℃) SiO 2生长工艺来抑制载流子在表面的复合 [1] 。特别是在轻掺杂的背表面,可以达到非常低的表面复合速率( SRV)水平。背表面处,热氧化生长的 SiO 2层结合蒸镀的 Al膜,在经...
下载价格:3 金币 / 发布人: 索比杜金泽 / 发布时间:2018-08-24 / 212人气
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