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断线善后处理首先做好断线记录(断线时间、机台号、部位、切深)留好线头一 .查明断线原因及断线情况 .二 .急时上报,未经同意,不得私自处理。三 .处理流程1. 在出线端断线 ,宽度不超过 10 毫米的直接拉线切割 . 2.切深≦ 60mm 中部或进线端断线,以 30mm/min 直接...
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电 子 工 业 专 用 设 备Equipment for Electronic Products Manufacturing( 总第 185 期 )Jun. 2 010光伏太阳能硅片清洗工艺的探索杜虎明, 牛进毅, 王 莉, 马 斌中国电子科技集团公司第二研究所 , 山西太原 030024摘 要
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一、概况切片工序是制备太阳能硅片的一道重要工序, 太阳能硅片的切割原理是转动的钢线上携带着大量碳化硅颗粒, 同时工作台位置缓慢下降, 由于碳化硅的硬度大于多晶硅 (晶体硅的莫氏硬度为 6.5 ,碳化硅的莫氏硬度为 9.5 ),依靠碳化硅的棱角不断地对硅块进行磨...
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硅片表面线痕测试仪产品型号进口对硅片表面的线痕进行轻松测量。该设备带专用控制器的高精度,高性能,操作简单,显示一目了然。特点■ 显示一目了然,操作简单 配备高可见度 7.5 英寸 TFT LCD 屏幕。彩色图标显示、触控式面板,显示更清晰,操作简单。■ 轻松定位 ...
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关于硅片油污问题的分析与解决办法油污多发生在季节变换的时期,温度变化较大的环境中,所以油污的产生除了有些公司使用的切割液本身存在的问题外, 大部分都是生产过程当中的控制问题了, 而这些问题当中最主要的原因就是硅片在去胶过程中冲洗不到位, 下面就此问题...
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The RCA clean is a standard set of wafer cleaning steps which needs to be performed before high temp processing steps oxidation , diffusion , CVD of
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3SystemsPL2011.3PL-B56 3i SystemsConfidential3isystems 2PL B56PECVD3200Lx 1300WPL IRPL,50um 1500 /3i SystemsConfidential3isystems 364PL IR800Lx 800W 6
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硅片的亲疏水处理方法[前言 ]当今社会已经进入了电子信息时代,微处理芯片的发明彻底改变了世界,微电子、 信息技术的水平已经被视为一个国家现代化水平高低的重要标志。 硅经过提纯加工成单晶硅片, 就是生产集成电路芯片的片基。 亲水性和疏水性是硅片的重要物理性...
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太阳能硅片表面等离子体清洗工艺硅片表面残留颗粒的等离子体清洗方法,它包括以下步骤首先进行气体冲洗流程,然后进行该气体等离子体启辉。 去除硅片表面颗粒的等离子体清洗方法过程控制容易, 清洗彻底,无反应物残留,所霈工艺气体无毒,成本低,劳动量小,工作效...
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硅单晶与硅片基础培训 2硅单晶的导电性能 1 物质的导电性 2 半导体的主要特性 3 半导体的导电性能浅释 4 PN 结 5 硅单晶导电类型1 物质的导电性电阻率标志物质对电流阻碍能力的物理量。规定以长 1cm,截面积为 1cm2 的物体在一定温度下的电阻值作为该物质在这个温度...
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检测项目 硅片厚度 A级片标准 物料编码 备注180um 任意点厚度在 180± 18um,95中心点厚度在 180± 10um 01190um 任意点厚度在 190± 18um,95中心点厚度在 190um± 10um200um 任意点厚度在 200± 18um,95中心点厚度在 200± 10u
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