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硅片电镀线切片：断线分析（22页）

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硅片供应商代码（1页）

供应商名称代码供应商名称代码供应商名称代码供应商名称代码供应商名称代码浙江昱辉 01 苏州世宗 51 江苏立达 101 江西威富尔 151 常州协鑫 201嘉兴五神 02 上海晶杉 52 扬州中泰 102 张家港东大 152 上海众晶太阳能 202上海卡姆丹克 03 上海域炜 53

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硅片行业术语大全(20180720145936) （9页）

从 A 到 Z，讲述硅片行业专业知识中英文对照Acceptor - An element, such as boron, indium, and gallium used to create a free hole in a semiconductor. The acceptor atoms are

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硅片加工工艺06磷扩散（27页）

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硅片检验标准2016-2-1 （8页）

光为绿色新能源有限公司硅片检验标准编号 LW-BZ-009-A1 版本 A/1 版受控状态编制部门技术中心发放编号编制日期审核日期批准日期发布日期实施日期A/1 版文件更改申请单编号 LW-CX-001-A1-03 文件名称硅片检验标准文件编号 LW-BZ-009-A1 申请部门铸切技

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硅片腐蚀和抛光工艺的化学原理（2页）

在半导体材料硅的表面清洁处理，硅片机械加工后表面损伤层的去除、直接键合硅片的减薄、硅中缺陷的化学腐蚀等方面要用到硅的化学腐蚀过程。下面讨论硅片腐蚀工艺的化学原理和抛光工艺的化学原理。一、硅片腐蚀工艺的化学原理硅表面的化学腐蚀一般采用湿法腐蚀， ...

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硅片行业分析报告（8页）

硅片行业分析报告内容目录1. 硅片制备环节复杂，大硅片是未来主要发展方向 41.1. 芯片工艺流程复杂，硅片制备是基础步骤 41.2. 硅片制备环节所用设备众多 . 51.3. 硅片尺寸加大和增加外延层是未来发展方向 . 92. 硅片厂快速扩产，国内投资风起云涌，设备投资需求巨大...

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硅片厚度测试仪样本（1页）

LE 1000-2 电子厚度测定仪采用最新测量技术特点最新式的高精度内部光学测量仪器。通过电缆释放装置（ cable release）或空气压力连接柱塞驱动。适用于薄膜厚度、位移、位置及尺寸的精确测量。 LE 1000-2 是大部分测量应用的理想仪器。系统特点及优势系统高精度优于 ±...

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硅片化学清洗（4页）

半导体工艺化学实验报告实验名称硅片的清洗实验目的 1. 熟悉清洗设备2. 掌握清洗流程以及清洗前预准备实验设备 1. 半导体兆声清洗机（ SFQ-1006T）2.SC-1 ； SC-2 实验背景及原理清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子...

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硅片行业中英文对照（8页）

硅片行业术语大全中英文对照 A-HAcceptor - An element, such as boron, indium, and gallium used to create a free hole in a semiconductor. The acceptor atoms are req

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硅片级可靠性测试（4页）

硅片级可靠性测试转）赵毅，徐向明（上海华虹 NEC 电子有限公司，上海 201206 ）摘要介绍了硅片级可靠性之所以成为现在半导体工艺研发重要组成部分的原因。对硅片级可靠性所涉及的各个项目作了详细的介绍。同时，对各个项目的测试和评价方法也做了详细的分析。最后...

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硅片检查（2页）

XY-SC-BD-015*本规定盖有发行章才有效环境要求※室内无尘，温度在 23℃± 5℃，湿度在 50± 10取片※食指轻贴硅片随后中指也跟着轻贴将硅片向上抬起20mm左右※大拇轻贴硅片配和食指及中指一起夹住硅片将其向上抽出片架※右手拿取硅片及翻转检查硅片，左手收片（见图片1...

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硅片金属杂质分析（6页）

AuthorJunichi TakahashiKouichi YounoAgilent Technologies9-1 Takakura-Cho, Hachioji-ShiTokyo, 192-0033JapanAbstractA newly designed, high-sensitivity r

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硅片面积计算表（1页）

规格 156 mm对角线 200 mm硅片面积 238.95 cm2

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硅片行业术语大全(中英文对照+A-H) （3页）

硅片行业术语大全中英文对照 A-HAcceptor - An element, such as boron, indium, and gallium used to create a free hole in a semiconductor. The acceptor atoms are req

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硅片加工损伤机理的压痕、划痕研究（5页）

硅片加工损伤机理的压痕、划痕研究作者郜伟，张银霞， Gao Wei， Zheng Yin-xia作者单位郑州大学机械工程学院 ,河南郑州 ,450001刊名电子质量英文刊名 ELECTRONICS QUALITY年，卷期 20088参考文献 17条1. Vodenitcharova

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硅片键合技术摘要（6页）

摘要硅片键合技术是指通过化学和物理作用将硅片与硅片、硅片与玻璃或其它材料紧密地结合起来的方法。硅片键合往往与表面硅加工和体硅加工相结合，用在 MEMS 的加工工艺中。常见的硅片键合技术包括金硅共熔键合、硅 / 玻璃静电键合、硅 / 硅直接键合以及玻璃焊料烧...

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硅片检验作业指导书（7页）

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硅片力学性能及热膨胀系数的热稳定性研究(20180720145500) （6页）

硅片力学性能及热膨胀系数的热稳定性研究作者王晓燕，翟秀静，张廷安，符岩，郑双作者单位王晓燕 ,翟秀静 ,张廷安 ,符岩东北大学 ,辽宁 ,沈阳 ,110004 ，郑双沈阳航空工业学院 ,辽宁 ,沈阳 ,110032刊名真空与低温英文刊名 VACUUM AND CRYOGE

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硅片技术规格(125×125mm) （2页）

硅片技术规格（ 125 125mm）特性规格说明抽测比率生长方式 CZ 不得使用物理提纯法的硅料每根棒子抽测 20片，其中若有一片不合格，加抽 20 片晶向 ± 1°型号 /掺杂剂 P/B 氧含量 ≤ 1.0 1018/cm3碳含量 ≤ 5.0 1016/cm3电阻率 1.0 3.0Ω ㎝

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