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湖南红太阳光电科技有限公司 文件编号 UMGD/ZLPG-DJ-26-2012 等离子刻蚀设备操作规程版号 A 修改第 0 次页 码第 1 页 共 2 页编制宇树光 审核 批准 / 日期1 1. 目的确保刻蚀机处于良好的运行状态。2. 适用范围刻蚀机操作及保养。3. 参考设备管理程序。4. 责任由设
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基础知识 HOW TO MAKE A CHIP52 www.sichinamag.com→集成电路的制造过程中,刻蚀就是利用化学或物理方法有选择性地从硅片表面去除不需要的材料的过程。从工艺上区分,刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。前者的主要特点是各向同性刻蚀; 后者是利用等离子体来进行各向...
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利用湿法刻蚀在硅片加工出 V 形槽条纹1 刻蚀原理硅的湿法刻蚀是指利用含有腐蚀剂的溶液对硅进行腐蚀 , 可分为各向同性腐蚀技术和各向异性腐蚀技术。各向同性腐蚀是指各个晶向上的腐蚀速率相同 , 衬底和表面取向的不同对腐蚀速率的影响不大。 各向异性腐蚀是指硅的不...
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标准 RCA清洗操作流程 Standard RCA cleaning operating procedure化学溶剂 溶剂配比 清洗温度 时间1 H2SO4H2O2 SPM 41 120℃ 5 min2 D.I. H 2O 室温3 HFH 2O DHF 150 室温 1 min4 D.I. H 2O
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用湿法刻蚀的方法在硅片上做连续 V型槽图 l 硅片 v型槽示意图图中 V 型槽的两个斜面为 111晶面, 底面为 100晶面。 由晶体结构学原理可以知道, 111晶面与 100 晶面的夹角为 54. 74°。在( 100)硅片上,沿着( 110)方向腐蚀时可以暴露出倾角为54.74°的( 111)面
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