单晶硅片成品检验规范

山西天能科技有限公司 文件编号 TNGWQ-005 单晶硅片成品检验规范版本号 A/0 页码 第 1 页 共 2 页生效日期 2009 年 9 月 7 日1、目的检验单晶硅片的各项质量指标，包括厚度、垂直度、总厚度偏差 TTV、翘曲度 WARP、电阻率、刀痕以及裂纹、崩边、缺口等缺陷。2、适用范围适用于硅片事业部之硅片成品检验。3、技术标准3.1 硅片的厚度为 200 20μ m。3.2 总厚度偏差 TTV≤ 30μ m，3.3 翘曲度 WARP≤ 75μ m。3.4 硅片的外观要求如下3.4.1 无裂痕、裂纹、空洞以及尖锐缺损，边缘缺损或缺口长≤ 0.5mm，深度≤ 0.3mm，每片崩边数量≤ 2 个；3.4.2 表面无异常斑点、玷污；3.4.3 表面无划痕、凹坑，使硅片表面局部凹凸不平≤ 20 m；表面无明显的切割线，切割线痕深度≤ 15μ m。4、检验流程及方法4.1 用螺旋测微仪测量硅片的厚度。4.2 用螺旋测微仪测量总厚度偏差 TTV。4.3 检测硅片的外观4.3.1 目测硅片无裂痕、裂纹、空洞以及尖锐缺损，边缘缺损或缺口长≤ 0.5mm，深度≤ 0.3mm，每片崩边数量≤ 2 个；批准 审核 编制修改履历页码 内 容 状态 备注山西天能科技有限公司 文件编号 TNGWQ-005 单晶硅片成品检验规范版本号 A/0 页码 第 2 页 共 2 页生效日期 2009 年 9 月 7 日4.3.2 目测硅片表面无异常斑点、玷污；4.3.3 目测表面无凹坑，使硅片表面局部凹凸不平≤ 20μ m；4.3.4 目测表面无明显的切割线，切割刀痕深度≤ 20μ m。6、验收规则抽样频率为 500PCS为一个单位即 20，每 25PCS为一篮，每一篮抽 5PCS,记录在线切割硅片返工卡 、 机硅片检验记录表中，电阻率、少子寿命及尺寸全检记录在表单编号TNGWQ-OO1-01圆棒检验记录 、表单编号 TNGWQ-OO2-01方棒检验记录中。7、注意事项7.1 检测时对硅片要轻拿轻放，禁止与工具以外硬物接触，避免造成硅片的损伤。7.2 认真阅读附录，正确使用量具，爱护量具，并做好对量具的保养及保管工作。7.3 工作认真负责，细心严谨，实事求是，如有异常情况及时向上级报告7.4 检验时要注意硅片的取放及检验硅片的握持方式，以免造成硅片破损。一手拿硅片，一手操作检测工具，动作要轻缓。7.5 检验工序必须保证及时正确的检验校验的成品几半成品及原料， 防止因产品积压影响上下工序的正常生产。7.6 对已经检验完成的成品、废品，要及时办理入库手续，不得随意阻滞交验的物品，必须及时反馈检验信息给相关人员检验结果。8、相关记录附表一 线切割返工卡 表单编号 TNGWQ-005-01 附表二 机检验记录表 表单编号 TNGWQ-005-02 附表三 退片检验反馈单 表单编号 TNGWQ-005-03 附表四 单晶硅片电阻率抽测记录 表单编号 TNGWQ-005-04 附表五 厚度抽测简易图 表单编号 TNGWQ-005-05