集成电路工艺思考题

思考题将硅单晶棒制作成硅片包括哪些工序切片可决定晶片的哪四个参数硅单晶片研磨后为何要清洗硅片表面吸附杂质的存在形态有哪些对这些形态按何种顺序进行清洗硅片研磨及清洗后为何要进行化学腐蚀腐蚀方法有哪些CMP 包括哪 2 个动力学过程控制参数有哪些集成电路制造过程中常用的 1 号、 2 号、 3 号清洗液组成是什么各有什么用途硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向， 通常偏离 （ 100） 或 （ 111） 等晶向一个小角度，为什么外延层杂质的分布主要受哪几种因素影响异质外延对衬底和外延层有什么要求比较分子束外延 MBE生长硅与气相外延（ VPE）生长硅的优缺点SiO2 按结构特点分为哪些类型热氧化生长的 SiO2属那一类在 SiO2中何谓桥键氧何谓非桥键氧，对 SiO2密度有何影响二氧化硅层的主要作用有哪些二氧化硅网络中按杂质在网络中所处位置不同可分为哪几类热氧化方法有哪几种各有何优缺点影响氧化速率的因素有哪些影响 SiO2 热氧化层电性的电荷来源主要有哪些种类这些电荷对器件有何危害降低这些电荷浓度的措施有哪些为何热氧化时要控制钠离子的含量降低钠离子污染的措施有哪些掺氯氧化工艺对提高氧化膜质量有哪些作用由热氧化机理解释干、湿氧氧化速率相差很大这一现象的原因薄层工艺（ 10nm 以下氧化层）过程中应注意哪些要求现采用的工艺有哪些氧化层膜厚的测定方法有哪些热氧化时常见的缺陷有哪些产生的原因有哪些什么是掺杂热扩散的机制有哪些扩散源有哪些存在形态实际生产中为何采用二步扩散预扩与主扩的杂质浓度分布各有何特点叙述氧化增强扩散及发射区推进效应及其产生的机理与预扩散相比，为什么 B 再扩后表面电阻变大而 P 再扩后表面电阻会变小与热扩散相比，离子注入有哪些优点什么是沟道效应如何降低沟道效应什么是离子注入损伤损伤类型有哪些离子注入掺杂后为何要进行退火其作用是什么离子注入设备的主要部件有哪些离子注入工艺技术中须控制的工艺参数及设备参数有哪些等离子体是如何产生的 PECVD是如何利用等离子体的SiO2 作为保护膜时为什么需要采用低温工艺 目前低温 SiO2 工艺有哪些方法 它们降低制备温度的原理是什么比较同等掺杂浓度多晶硅和单晶硅电阻率的大小解释不同的原因。磁控溅射主要有哪几种特点是什么如果一个工艺过程依靠对硅片的离子轰击， 你会将硅片置于连接腔壁的电极上还是与腔壁隔离的电极上 以铝互连系统作为一种电路芯片的电连系统时， 若分别采用真空蒸镀和磁控溅射工艺淀积铝膜，应分别从哪几方面来提高其台阶覆盖特性什么是气缺现象如何解决气缺现象什么是光刻，光刻系统的主要指标有那些IC制造中对光刻技术的基本要求有哪些光刻工艺包括哪些工序什么是分辨率、对比度、光敏度影响显影的主要因素有哪些在光刻技术中为何显影后必须进行检查检查的内容有哪些什么是正光刻胶什么是负光刻胶其组成是什么光刻胶的作用是什么常见的曝光光源有哪些常见的光刻对准曝光设备有哪些光刻工艺条件包括哪些方面什么是驻波效应如何减少驻波效应影响线宽控制的因素有哪些什么是湿法刻蚀什么是干法刻蚀各有何优缺点常见的干法刻蚀方法有哪些各有何优缺点光刻技术中的常见问题有那些光刻工艺对掩模版有那些质量要求简述集成电路的常规掩模版制备的工艺流程。光学分辨率增强技术主要包括那些简述表征光刻胶特性、性能和质量的参数。理想的刻蚀工艺应具有哪些特点影响刻蚀工艺的因素有那些集成电路对金属化材料特性的要求有哪些金属铝膜的制备方法有哪些金属在集成电路中的作用有哪些什么是 Al/Si 接触中的尖楔现象如何解决尖楔现象什么是电迁移现象如何提高引线的抗电迁移能力什么是低 K 材料与 Al 布线相比， Cu布线有何优点叙述 Cu 布线的工艺流程