太阳能电池发电系统的组成原理图

太阳能电池发电系统的组成原理图太阳能发电系统由 太阳能电池组、 太阳能控制器、 蓄电池 （组） 组成。如输出电源为交流 220V 或 110V ，还需要配置 逆变器 。各部分的作用为（一） 太阳能电池板 太阳能电池板 是太阳能发电系统中的 核心部分 ，也是太阳能发电系统中 价值最高的部分 。 其作用是将太阳的辐射能力转换为电能，或送往蓄电池中存储起来，或推动负载工作。 太阳能电池板的质量和成本将直接决定整个系统的质量和成本。（二） 太阳能控制器 太阳能控制器的作用是控制整个系统的工作状态，并对蓄电池起到过充电保护、过放电保护的作用。在温差较大的地方， 合格的控制器还应具备温度补偿的功能。 其他附加功能如光控开关、时控开关都应当是控制器的可选项。（三）蓄电池一般为铅酸电池，小微型系统中，也可用镍氢电池、镍镉电池或锂电池。 其作用是在有光照时将太阳能电池板所发出的电能储存起来，到需要的时候再释放出来。（四）逆变器在很多场合，都需要提供 220VAC 、 110VAC 的交流电源。 由于太阳能的直接输出一般都是 12VDC 、 24VDC 、 48VDC 。为能向 220VAC 的电器提供电能，需要将太阳能发电系统所发出的直流电能转换成交流电能，因此需要使用 DC-AC 逆变器。在某些场合，需要使用多种电压的负载时，也要用到 DC-DC 逆变器，如将24VDC 的电能转换成 5VDC 的电能（注意，不是简单的降压）。太阳能发电系统的设计需要考虑如下因素Q1、 太阳能发电系统在哪里使用该地日光辐射情况如何Q2、 系统的负载功率多大Q3、 系统的输出电压是多少，直流还是交流Q4、 系统每天需要工作多少小时Q5、 如遇到没有日光照射的阴雨天气，系统需连续供电多少天Q6、 负载的情况，纯电阻性、电容性还是电感性，启动电流多大Q7、 系统需求的数量太阳能电池板海关编码 , HS 编码 , 太阳能电池板出口常用资料 . 1. 太阳能电池板海关编码 H.S 编码 及退税率 http//hi.baidu.com/photovoltaic2. 太阳能电池组件出口欧美需要的认证 1 出口欧洲需要通过 IEC EN61215 , 非晶硅太阳能电池组需要通 IEC EN61646. 电力逆变器需通过 IEC/EN 61209-1 的安全认证。http//hi.baidu.com/photovoltaic2 出口美国需要通过 UL认证 . http//www.a-sipv.com1 UL 1703, 平板型太阳能组件安全认证标准 http//www.a-sipv.com2 UL 4703 光伏电线电缆安全标准 http//www.a-sipv.com3 UL 1471 太阳能发电系统用逆变器、电源转换器、控制器及连接设备至供电系统安全标准 . 什么是 AM1.5 太阳能标准测试条件 AM1.5、 1000W/m2、 25℃解释1、标准测试条件 AM1.5、 1000W/m2、 25℃解释http//hi.baidu.com/photovoltaicAM1.5、 1000W/m2、 25℃是 IEC61646-- 地面用薄膜型光伏组件设计和定型GB/T18911-2002 的测试标准。也是 GB/T11011-1989-- 非晶硅太阳电池电性能测试的一般规定的测试标准。AM的意思是 air-mass （大气质量）， 定义是 Path-length through the atmosphere relative to vertical thickness of the atmosphere ，就是光线通过大气的实际距离比上大气的垂直厚度。 AM1.5就是光线通过大气的实际距离为大气垂直厚度的 1.5 倍。 http//hi.baidu.com/photovoltaic1000W/m2是标准测试太阳电池的光线的辐照度。25oC就是在 25oC的温度下工作。太阳电池效率会随温度升高有一定下降，它在使用时温度会升高， 再由温度系数就可以得出他工作时的电压电流和输出功率。2、为什么会有光致衰减（ S-W效应） http//www.a-sipv.com光致衰减也称 S-W效应。 a- Si ∶H 薄膜经较长时间的强光照射或电流通过，在其内部将产生缺陷而使薄膜的性能下降，称为 Staebler-Wronski 效应（ D.L.Staebler 和 C.R.Wronski 最早发现的）。对 S-W效应的起因，至今仍有不少争议，造成衰退的微观机制也尚无定论，成为迄今国内外非晶硅材料研究的热门课题。总的看法认为， S-W效应起因于光照导致在带隙中产生了新的悬挂键缺陷态 深能级 ， 这种缺陷态会影响 a- Si ∶H薄膜材料的费米能级 Ef 的位置，从而使电子的分布情况发生变化，进而一方面引起光学性能的变化， 另一方面对电子的复合过程产生影响。 这些缺陷态成为电子和空穴的额外复合中心，使得电子的俘获截面增大、寿命下降。 http//hi.baidu.com/photovoltaic在 a- Si ∶H 薄膜材料中， 能够稳定存在的是 Si-H 键和与晶体硅类似的 Si-Si键，这些键的键能较大，不容易被打断。由于 a- Si ∶H 材料结构上的无序，使得一些 Si-Si 键的键长和键角发生变化而使 Si-Si 键处于应变状态。 高应变 Si-Si键的化学势与 H 相当，可以被外界能量打断，形成 Si-H 键或重新组成更强的Si-Si 键。如果断裂的应变 Si-Si 键没有重构，则 a- Si ∶H 薄膜的悬挂键密度增加。 为了更好地理解 S-W效应产生的机理并控制 a- Si ∶H 薄膜中的悬挂键， 以期寻找稳定化处理方法和工艺， 20 多年来，国内外科学工作者进行了不懈的努力，提出了大量的物理模型， 主要有弱键断裂 SJT 模型、 “H 玻璃”模型、 H碰撞模型、 Si-H-Si 桥键形成模型、“ defect pool ”模型等，但至今仍没有形成统一的观点。http//www.a-sipv.com3、晶体硅太阳电池使用寿命、衰减趋势、衰减率 http//www.a-sipv.com常规晶体硅太阳电池使用寿命一般承诺 20 或 25 年 （一般组件出厂有质保书，保证什么时候衰减到多少），晶体硅太阳电池片由于晶体生长过程中引入杂质，对电池片的初期光照会导致其中的掺杂剂和氧、 铁等杂质形成复合中心， 从而使硅片的少子寿命降低， 引起电池转换效率下降， 发生较大幅度的光致衰减。 另外还与封装材料的退化有关。 http//hi.baidu.com/photovoltaic衰减趋势应该和非晶硅类似，初期衰减大，以后衰减慢。http//www.a-sipv.com