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  • 简介: shine s h i n e M i n g L i U x �����U ��P 8U
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  • 简介:直拉硅单晶工艺学 前 言 绪论 硅单晶是一种半导体材料。直拉单晶硅工艺学是研究用直拉方法获得硅单晶 的一门科学,它研究的主要内容硅单晶生长的一般原理,直拉硅单晶生长工艺 过程,改善直拉硅单晶性能的工艺方法。 直拉单晶硅工艺学象其他科学一样,随着社会的需要和生产的发展逐渐发展 起来。十九世纪,人们发现某些矿物,如硫化锌、氧化铜具有单向导电性能,并 用它做成整流器件,显示出独特的优点,使半导体材料得到初步应用。后来,人 们经过深入研究,制造出多种半导体材料。 1918 年,切克劳斯基(J · Czochralski) 发表了用直拉法从熔体中生长单晶的论文,为用直拉法生长半导体材料奠
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  • 简介:云南省政府2020 年前要建成 7 万吨多晶硅、 8.8 万吨单晶硅 云南省人民政府关于推动水电硅材加工一体化产业发展的实施意见云政发〔2017〕78 号 各州、市人民政府,省直各委、办、厅、局 为促进工业硅传统产业调整优化,依托水电清洁能源优势进一步延伸硅产业链,培育 新兴产业,现就推动水电硅材加工一体化产业发展提出以下意见 一、深化认识 我省依托硅矿资源、小水电清洁能源和木质碳还原剂等比较优势,逐步形成了以滇西 地区为主的工业硅产业集群。工业硅科技创新和工艺技术装备水平行业领先,产能产量全 国第二,产品质量蜚声国内外。在有效消纳小水电、带动区域脱贫的同时,有限的经济效 益难以弥补优
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  • 简介: 光致衰减现象原理 光致衰减现象主要发生在掺硼的晶硅电池组件上,这个问题最早是由 Fischer 和 Pschunder 在 1973 年发现的,到 2004 年 J.Schmidt 研究结果认为硼氧对是形成光衰的主 要原因,掺硼晶硅中的替位硼和间隙氧在光照下激发形成的较深能级缺陷引起载流子复合 和电池性能衰退。依据文献结果,光致衰减幅度在 3左右。 单晶和多晶光衰表现不一致 单晶硼氧对的生成原理如下 研究结果显示,单晶电池在初期 2-3 个月的光照情况下,光致衰减达到峰值,一般为 3左右,称为初始光衰LID现象,含氧量较低的单晶电池初始光衰比较低。由于单晶独 特的材料性质,在继续
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  • 简介:高阻真空区熔硅单晶的生长 1 引言 高质量的高纯硅单晶是制做各种辐射探测器和光电探测器的重要材料。在真空环境下 提纯并生长硅单晶可以使材料达到并保持更高的纯度,因而高阻真空区熔硅单晶是研制某 些高灵敏度探测器的必选材料,主要有电阻率(3~5)103Ω·cm和(1~2) 104Ω·cm两种规格,可分别用于研制雪崩光电二极管和PIN管型的光电探测器 件。由于晶体生长条件的改变,在真空中生长区熔硅单晶要比在氩气气氛下生长单晶困难 许多,单晶在生长过程中 极易断棱,直径也很难做大。目前这种材料在国内只有少量样品提供,器件厂家不得不依 靠进口来满足其需要,价
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  • 简介: là ° ù 2008- 12- 23. Á[ “µ 2 8 S/v[[ “;É ì g S/9Ãv [[ “. ;È q hƆÖA þÈý {Ÿ¥•Y 周继承1,李 斐1,陈勇民1 ,赵保星2 Ï 2vÐ1.þ Ø SÐÐ/ ŒÐ
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  • 简介: 作者从单晶硅的定义及特点、单晶硅制备方法、单晶硅片及生产工艺流程、分类及应用 等几个方面进行了详细的说明
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  • 简介:© 1994-2010 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved. http//www.cnki.net 摆 局 更 澎 石 姿 试 邓 了 心 恕 扮 飞 笋 万 妇 乙 ‘ 久 关 施 提 高 单 晶 硅 太 阳 电 池 效 率 的 几 点 措 施 杜 永 超 , 韩 志 刚 , 秦 美 蓉 , 杨 立 , 王 景 霄 人 津 电 源 研 究 所 , 人 津 摘 要 提 高 太 阳 电 池 的 效 率 从 来 都 是 各 生 产 家 非 常 关 注 的 问 题 。 本 文
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  • 简介:单晶 18.7 多晶 17.9满分 吉林白城光伏发电应用领跑基地 2017 年竞争优选工作方案出 炉 一、工作概述 白城市位于吉林省西北部,地处吉林、黑龙江、内蒙古三省区结合部,属于大兴安岭 南麓集中连片特困地区,幅员面积 2.6 万平方公里,人口 200 万人。2017 年,白城市 申报光伏发电应用领跑基地并获得国家能源局批准,规划建设光伏发电领跑基地 2000MW,本期建设白城光伏发电应用领跑基地,建设容量 500MW。 一工作依据 本次基地优选工作采用单个项目分别独立竞争优选的方式,严格按照国家能源局关 于推进光伏发电“领跑者”计划实施和 2017 年领跑基地建设有关要求的通
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  • 简介:太阳能电池材料 --直拉单晶硅的制造工艺,硅材料简介,硅材料是太阳能光伏工业的基础材料。具有元素含量丰富、化学稳定性好、无环境污染等优点,又具有良好的半导体材料特性。,,硅材料的晶体形式,单晶硅,多晶硅,非晶硅,,区熔单晶硅,直拉单晶硅,,根据晶体生长方式的不同分类,外延单晶硅,单晶硅,单晶硅是目前世界上人工制备的晶格最完整、体积最大、纯度最高的晶体材料,可达九个9以上。,单晶硅棒,,晶体硅金刚石结构,区熔单晶硅,方法区域熔炼 产品特点光电转换效率高、生产成本高、价格昂贵 原料化学气相沉积的高纯多晶硅棒,生产示意图,生长过程示图,直拉单晶硅,目前,单晶硅的直拉法生长已是单晶硅制备的主要
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  • 简介:第 27卷 第 6期 20 0 6年 1 2月 材 料 热 处 理 学 报 TRANSACTIONS OF MATERIALS AND HEAT TREATMENT Vol . 2 7 No . 6 December 2 0 0 6 快速热处理法制备单晶硅太阳能电池 花聚团 , 杨德仁 , 席珍强 , 倪利红 , 阙端麟 浙江大学硅材料国家重点实验室 , 浙江 杭州 310027 摘 要 利用快速热处理 Rapid Thermal Processing ,RTP技术 ,成功制备了单晶硅太阳电池。在三个重 要的热处理环节 磷扩散制作 P - N 结、热氧化、电极烧结 采
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  • 简介:单晶硅太阳能电池 1. 基本 结构 2.太阳能电池片的化学清洗工艺 切片要求①切割精度高、表面平行度高、翘曲度和厚度公差小。②断面完整 性好,消除拉丝、刀痕和微裂纹。③提高成品率,缩小刀钢丝切缝,降低原 材料损耗。④提高切割速度,实现自动化切割。 具体来说太阳能硅片表面沾污大致可分为三类 1、有机杂质沾污 可通过有机试剂的溶解作用,结合兆声波清洗技术来去 除。 2、颗粒沾污运用物理的方法可采机械擦洗或兆声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μm 颗粒,利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μm 颗粒。 3、金属离子沾污该污染必须采用化学的方法才能将其清洗掉。硅片表面 金属杂质沾污又可分
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