简介：思考题将硅单晶棒制作成硅片包括哪些工序切片可决定晶片的哪四个参数硅单晶片研磨后为何要清洗硅片表面吸附杂质的存在形态有哪些对这些形态按何种顺序进行清洗硅片研磨及清洗后为何要进行化学腐蚀腐蚀方法有哪些CMP 包括哪 2 个动力学过程控制参数有哪些集成电路制造过程中常用的 1 号、 2 号、 3 号清洗液组成是什么各有什么用途硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向， 通常偏离 （ 100） 或 （ 111） 等晶向一个小角度，为什么外延层杂质的分布主要受哪几种因素影响异质外延对衬底和外延层有什么要求比较分子束外延 MBE生长硅与气相外延（ VPE）生长硅的优缺点Si

简介：基于 PLC 的硅片清洗机电气控制系统设计题目说明及任务太阳能光伏产业的迅速发展，使得我国太阳能硅片清洗设备的发展举世瞩目，并呈现稳定增长势头。伴随着硅片的大直径化 , 器件结构的超微小化、高集成化 , 对硅片的洁净程度、表面的化学态、 微粗糙度等表面状态的要求越来越高， 主流工艺已经在从 90nm向 65nm过渡。太阳能电池板铝边框冲孔模设计高集成化的器件要求硅片清洗必须减少给硅片表面带来的破坏和损伤 , 减少溶液本身或工艺过程中带来的玷污。 而太阳能清洗设备也正向着小型化、 非盒式化及一次完成化方向发展 , 以减少工艺过程中的玷污 , 满足 90nm乃至 65nm级器件工艺的要求。这无论

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简介：54 2016年 1月上 第 01期 总第 229期工艺设计改造及检测检修 China Science 使用不同的底层细栅线银浆时 , 主栅焊接拉力值差异明显 , 测试表明细栅线对于主栅焊接拉力有一定的影响。【关键词】 晶体硅太阳能电池 二次印刷 细栅线 主栅焊接拉力【 Abstract 】 In this paper, we studied the crystalline silicon solar cells in the double printing fine gate lines and different underlying fine gate lines sil

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简介：晶硅太阳能电池生产线工艺及设备调研第一章 背景及原理第二章 主要生产工艺过程第三章 主要设备介绍第四章 深圳相关公司介绍第五章 我国晶硅太阳能电池设备存在三大问题（引用网络文章）第一章 背景及原理1.1 背景略（光伏意义，政府政策等）1.2 硅太阳能电池的结构及其工作原理其主要是利用硅半导体 p-n 结的光生伏打效应。 即当太阳光照射 p-n 结时， 便产生了电子 -空穴对， 并在内建电场的作用下， 电子驱向 n 型区， 空穴驱向 p 型区， 从而使 n 区有过剩的电子， p 区有过剩的空穴，于是在 p-n 结的附近形成了与内建电场方向相反的光生电场。在 n 区与 p 区间产生了电动势。当接

简介：晶体硅扩散工艺研究摘要 本文主要介绍利用 POCl3 液态源法对单晶体硅片进行扩散， 扩散后测其方块电阻以及结深。 假设硅片的结深已经确定的情况下， 研究扩散温度和扩散时间之间的关系， 以便找到扩散工艺中最合适的扩散温度、 时间， 在不影响硅片质量的前提下，缩短扩散时间。关键词 热扩散系数；恒量源扩散；结深；饱和值1 引言随着全球经济的迅速发展和人口的不断增加， 以石油、 天然气和煤炭等为主的化石能源正逐步消耗， 能源危机成为世界各国共同面临的课题。 与此同时， 化石能源造成的环境污染和生态失衡等一系列问题也成为制约社会经济发展甚至威胁人类生存的严重障碍。 新能源应用正成为全球的热点。

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简介：思考题1、 将硅单晶棒制作成硅片包括哪些工序切断、滚磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、检验 。2、 切片可决定晶片的哪四个参数晶向、厚度、斜度、翘度和平行度。3、 硅单晶片研磨后为何要清洗硅片清洗的重要性硅片表面层原子因垂直切片方向的化学键被破坏成为悬挂键，形成表面附近的自由力场，极易吸附各种杂质，如颗粒、有机杂质、无机杂质、金属离子等，造成磨片后的硅片易发生变花发蓝发黑等现象，导致低击穿、管道击穿、光刻产生针孔，金属离子和原子易造成 pn 结软击穿，漏电流增加，严重影响器件性能与成品率4、 硅片表面吸附杂质的存在形态有哪些对这些形态按何种顺序进行清洗被吸附杂质的存

简介：编 号碱洗作业指导书 版 本 A/1 受控状态批 准 审 核 编 制日 期 日 期 日 期目的 规范硅片碱洗操作程序 , 指导作业方法 , 提高作业效率 , 保证硅片清洗质量 . 2. 适用范围 本作业指导书适用于生产计划部原材料准备车间碱洗工序 . 3. 工作职责 3.1 对 IC 级硅片、太阳能级单晶硅片、太阳能级多晶硅片进行化学腐蚀清洗 , 去除其表面杂质脏污 , 以满足后续单晶车间、多晶车间的生产需求 . 3.2 严格执行操作工艺流程 , 不断优化作业方法 , 在保障质量和提高产量的基础上 , 逐步降低硅原料的损耗及碱的用量 , 控制生产成本 , 提升营运绩效 .

简介：第二次作业1． （ 1）随着 MOS 器件尺寸不断缩小，栅氧化层的厚度也必须同时减薄。在此情况下，请问 MOS 器件对 Na＋的玷污的敏感度是增加了还是降低了，为什么（ 2） 在栅氧化层厚度不断减薄的情况下， 对于硅片衬底的掺杂 （或者器件沟道区的阈值电压的调整注入） ，必须采用什么样的措施才能保证器件的阈值电压不变，为什么答 （ 1）根据阈值电压2 2 2 s A f MTH FB fox oxqN qQV VC Cε φφ 当 tox 减小时， Cox会增加， 所以此时同样的载流子数量 QM对 V TH有更小的影响， 即 MOS器件对 Na＋的玷污敏感度会降低。（

简介：【项目计划】验证钻石线的薄片加工能力，确保产出薄片各项参数能够满足要求。钻石线切割硅片出刀位置存在细小边崩， 上阶段在对切割工艺进行多方面改善后仍未解决崩边问题，本次试验计划通过试用小颗粒钻石线（ 10-20um ）解决崩边。实验过程鉴于晶片在太阳能正常硅片加工上的经验， 本次薄片切割工艺使用相对成熟的正常片加工工艺。 该工艺能够有效的保证硅片厚度、 TTV 、 翘曲度等各项参数。 部门共进行 5 次切割实验，测试数据如下观察以上数据可以发现，硅片各项参数已基本能够满足 sunpower 要求，但每片硅片出刀口部位均存在崩边，下图为在 olympus 下拍摄的崩边照片。崩边宽度大于 20

简介：1、将硅单晶棒制成硅片的过程中包括哪些工序切片工艺流程切断、滚磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、检验。（滚圆－ X 射线定位－切片－倒角－硅片研磨－清洗－化学腐蚀－热处理 2、切片可决定晶片的哪些四个参数晶向、厚度、斜度、翘度和平行度。3、 硅单晶研磨片清洗的重要性硅片表面层原子因垂直切片方向的化学键被破坏成为悬挂键，形成表面附近的自由力场，极易吸附各种杂质，如颗粒、有机杂质、无机杂质、金属离子等，造成磨片后的硅片易发生变花发蓝发黑等现象，导致低击穿、管道击穿、光刻产生针孔，金属离子和原子易造成pn 结软击穿， 漏电流增加， 严重影响器件性能与成品率。4、 硅片表面