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简介:实验题目硅片的扩散技术一、 实验目的1. 了解扩散设备的工作原理和操作方法,明确扩散技术在半导体器件制造工艺中的作用。2. 掌握扩散技术的原理和工艺方法。二、 实验设备、材料和用具扩散源、石英器皿、恒温扩散炉图 1 恒温扩散炉扩散技术目的在于控制半导体中特定区域内杂质的类型、浓度、深度和 PN结。 在集成电路发展初期是半导体器件生产的主要技术之一。 但随着离子注入的出现, 扩散工艺在制备浅结、 低浓度掺杂和控制精度等方面的巨大劣势日益突出,在制造技术中的使用已大大降低。三、扩散机构1. 替位式扩散机构这种杂质原子或离子大小与 Si 原子大小差别不大,它沿着硅晶体内晶格空位跳跃前进扩散,
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简介:扩散工艺常见质量问题及分析一、硅片表面不良1、表面合金点。形成表面合金点的主要原因是表面浓度过高。( 1) 预淀积时携带源的气体流量过大。如 CVD 预淀积时源的浓度过高,液态源预淀积时通源的气体流量过大或在通气时发生气体流量过冲;( 2) 源温过高,使扩散源的蒸气压过大;( 3) 源的纯度不高,含有杂质或水份;( 4) 预淀积时扩散温度过高,时间太长;为了改善高浓度扩散的表面,常在浓度较高的预淀积气氛中加一点氯气,防止合金点产生。2、表面黑点或白雾。这是扩散工艺中经常出现的表面问题。一般在显微镜下观察是密布的小黑点,在聚光灯下看是或浓或淡的白雾。产生的原因主要有( 1) 硅片表面清洗不良
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简介:第 27 卷 第 7 期2006 年 7 月半 导 体 学 报CHIN ESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORSVol. 27 No. 7J uly ,20063 国家高技术研究发展计划资助项目 批准号 2002AA3Z1110 通信作者 . Email cookiefile 126. com2005208227 收到 ,2005211210 定稿 Ζ 2006 中国电子学会降低硅片表面微粗糙度的预氧化清洗工艺 3库黎明 1 , 王 敬 2 周旗钢 11 北京有色金属研究总院 , 北京 100088 2 清华大学微电子
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简介:6 附件二 技术专家领域、子领域和方向分类领域 子领域 方向1 电子信息1.1 软件 1.1.1 系统软件1.1.2 嵌入式软件1.1.3 中间件1.1.4 数据库管理系统1.1.5 软件开发工具软件1.1.6 软件测试工具软件1.1.7 信息安全软件1.1.8 数据仓库及决策支持软件 (含数据仓库、联机分析、数据挖掘、决策支持等)1.1.9 CAD平台软件1.1.10 仿真软件1.1.11 中文信息处理软件(含汉字及少数民族文字的输入、输出、编辑等)1.1.12 机器翻译软件1.1.13 教育软件(含远程教育)1.1.14 财务、税务、银行、证券、保险等领域应用软件1.1.15 地理信
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简介:摘要 采用聚苯乙烯小球( 500nm) ,通过气液界面组装法,使小球在液面上形成单层有序的排列, 再将有序阵列转移到硅片上。 在电子显微镜下,可以看到小球局部的有序排列。再通过改善制备条件,如硅片亲水性, 试剂的比例, 使小球在硅片上形成大面积的有序排列。关键字 聚苯乙烯、自组装、亲水性一、 原理自组装是指特定的构造单元 如原子、 分子或胶体粒子等 通过某些非化学键作用自发地结合起来并构造成更为复杂的高级结构。 利用特定条件下单分散胶体粒子的简单自组装可以较为方便地合成出具有密堆积结构的二维或三维胶体晶体。在本文中,我们采用气液界面组装法, PS小球( 500nm) 通过铺展剂乙醇
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