杜俊霖 Ph.D. Research Center for New Energy Technology The purpose of texturization Pre clean SDR TEX 14th China SoG Silicon and PV Power Conference, Xi’
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36 www.pv-tech.org前言对于实验室高效硅太阳能电池而言,可以通过采用热氧化(≥ 900℃) SiO 2生长工艺来抑制载流子在表面的复合 [1] 。特别是在轻掺杂的背表面,可以达到非常低的表面复合速率( SRV)水平。背表面处,热氧化生长的 SiO 2层结合蒸镀的 Al膜,在经...
下载价格:3 金币 / 发布人: 索比杜金泽 / 发布时间:2018-08-24 / 345人气
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浙江弘晨光伏能源有限公司第 1 页, 共 2 页PECVD 工艺指导书 文件编号 HC-DCGY-005 版本号 1 编制 审 核 批准 发 布日期1. 目的经过二次清洗后的硅片表面无任何保护层,在后续工序中易受到损坏;利用 PECVD 在硅片表面生长一层氮化硅保护层,可有效防止表面受到损坏...
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PECVD 法制备氮化硅减反射膜和减反射膜在太阳能电池中的应用作者 何万雄 班级光伏材料加工与应用 指导老师冷新莉 学号 49 摘要随着不可再生资源的减少,环境污染的加重,世界人民为了生存、为了发展,更为了保护我们的地球。不得不寻找新的能源、可再生资源,所以取...
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