天阳能电池的种类及其制造工艺毕业论文

毕业设计论文标准太阳能电池的种类及其工艺系 电子信息工程系专业 微电子 姓名 杜勇班级 微点 093 学号 0901113106指导教师 袁琦睦 职称 副教授指导教师 职称设计时间 2011.09.11—— 2011.10.22 江苏信息职业技术学院毕业设计（论文）2 摘要太阳电池属于物理电源，是一种特殊的半导体器件。由于它具有结构简单、制造方便、使用寿命长、维护简便、可靠性高、原材料丰富、无污染、无噪音等优点，又有太阳作为它的取之不尽、用之不竭的能源，因此，太阳电池不仅在人造卫星、宇宙飞船等特殊应用中早就得到重视，而且，在诸如高山、海岛、牧场、人烟稀少的边远地区也已迅速推广。此外，它作为一种“光敏器件”已正在光学仪器、自动控制等领域与光电管相抗衡，无疑它将具有很强的竞争力。太阳电池应用的迅速法杖已经引起从事教学、科研、生产和应用的有关学者、工程技术人员的极大兴趣和关注，并吸引了越来越多的加入到太阳电池研制、生产的行列。本人通过查阅资料与有关专业人士讨论后， 总结并概括标准硅太阳能电池的种类和制造工艺，来系统性的加强自己对太阳能电池制造技术了解和学习，从而使自己能合格的从事太阳能制造工作。标准太阳能电池的种类及其制造工艺3 第一章标准硅太阳能电池的种类 . 1 1.1 太阳能电池的种类及研究现状 : 1 1.1.1 单晶硅太阳能电池 1 1.1.2 多晶硅太阳能电池 1 1.1.3 化合物太阳能电池 2 1.1.4 膜型太阳能电池 2 1.1.5 有机太阳能电池 2 1.1.6 染料敏化纳米晶太阳能电池 2 1.2 太阳能电池的发展方向 . 3 第二章标准硅太阳能电池制造工艺 4 2.1 标准硅太阳电池工艺 . 4 2.2 砂子还原为冶金硅 . 6 2.3 冶金级硅提纯为半导体硅 7 2.4 半导体多晶硅变成单晶硅片 7 2.5 单晶硅片制成太阳电池 8 2.6 太阳电池封装成太阳电池组件 10 2.6.1 组件结构 .10 2.6.2 电池的工作温度 12 2.7 能量计算 12 小结 14 3.1 毕业论文小结 14 参考文献 .15 标准太阳能电池的种类及其制造工艺1 第一章标准硅太阳能电池的种类1.1 太阳能电池的种类及研究现状 : 根据材料的种类和状态的不同，太阳能电池主要有以下几种：单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池、化合物半导体太阳能电池、薄膜型太阳能电池、有机太阳能电池和染料敏化纳米晶太阳能电池，下面分别予以简单介绍。1.1.1 单晶硅太阳能电池单晶硅太阳能电池是开发得最早的一种太阳能电池， 硅的禁带宽度为 1.leV ， 是间接迁移型半导体，本来不是制作太阳能电池的最合适材料。但是由于硅蕴藏量非常丰富，已广泛应用于微电子工业，有很完善的技术基础，有利干太阳能电池的开发应用。单晶硅太阳能电池具有比较高的转换效率，规模生产的电池组件的效率可以达到 12 一 16%，而实验室记录的最高转换效率为 24.4 ％。1.1.2 多晶硅太阳能电池多晶硅太阳能电池具有独特的优势，与单晶硅比较，多晶硅半导体材料的价格比较低廉，相应的电池单元成本低，非常具有竞争优势。但是由于多晶硅材料存在着较多的晶拉间界而有较多的缺点，转换效率不够高，提高多晶硅太阳能电池的转换效率就是目前许多科学家的研究方向。非晶硅太阳能电池的转换效率和稳定性都不够好， 对其研究开始于 20 世纪七十年代初。非晶硅及其合金的光暗电导率随着光照的时间加长而减少，经过 170℃一200℃的退火处理， 又可以恢复到光照之前的值。 这一现象首先由 Staebler 和 Wronski发现， 被称为 S— K 效应。 S— K 效应使非晶硅太阳能电池的转换效率由于光照时间加长而衰退，长期以来成为非晶硅太阳能电池应用的主要障碍。江苏信息职业技术学院毕业设计（论文）2 1.1.3 化合物太阳能电池化合物太阳能电池包括 III — V 族化合物电池和 II — VI 族化合物电池。 III — V族化合物电池主要有 GaAs电池、 InP 电池、 Gasb 电池等； II — VI 族化合物电池主要有 CaS/Culnse 电池、 CaS/CdTe电池等。 上世纪七十年代末， 以 GaAs为代表的 III— V族化合物电池材料 （包括叠层电池材料） ， 因具有很高的光电转换效率和优异的抗辐射性能而受到重视，发展很快。最新的一项研究成果就是在加利福尼亚获得了一种变质处理的三叠层 GaInP /GaInAs /Ge 材料，它在 240 个太阳辐射， AM1.5情况下的转换效率为 40.7%。1.1.4 膜型太阳能电池膜型太阳能电池材料主要有铜铟镓硒 (CulnGase) 、碲化镉 (cdTe) 等。铜锢稼硒薄膜太阳能电池开发时间还不长，是较有前途而被寄予厚望的新型低成本太阳能电池。该薄膜太阳能电池单元的制备是先用溅射、喷涂或蒸发法在基片上沉积 Cu， In和 Ga层，再在 Se 气氛中硒化。碲化镉 (CdTe)已成为公认的高效、稳定、廉价的薄膜光伏器件材料，而且在各种制备条件下都可以得到较好的电池结果，包括非常粗糙的工艺，如电镀。1.1.5 有机太阳能电池有机太阳能电池具有柔韧性和成本低廉的优势，是近年出现的新型太阳电池。与结构工艺复杂、成本高昂、光电压受光强影响波动大的传统半导体固结太阳电池相比，有机太阳能电池制备工艺简单，可采用真空蒸镀或涂敷的方法制备成膜，且可以制备在可弯曲折香的衬底上形成柔性太阳能电池。有机物太阳能电池材料的分子结构还可以自行设计合成 . 材料选择余地大，加工容易，毒性小，成本低，可制造面积大，在太阳能电池产业引起了科学家的极大关注。1.1.6 染料敏化纳米晶太阳能电池染料敏化纳米晶太阳能电池是最近二十几年发展起来的一种基于植物叶绿素光合作用原理研制出的太阳能电池。这是一种使用宽禁带半导体材料的太阳电池，宽标准太阳能电池的种类及其制造工艺3 带隙半导体有较高的热力学稳定性和光化学稳定性，不过本身捕获太阳光的能力非常差，但将适当的染料吸附到半导体表面上，借助于染料对可见光的强吸收，可以将半导体的光谱响应拓宽到可见区，这种现象称为半导体的染料敏化作用，而载有染料的半导体称为染料敏化半导体电极。1.2 太阳能电池的发展方向 :提高转换效率和降低成本仍然是太阳能电池发展的大趋势。在降低成本方面，硅太阳能电池主要还是通过减少硅片厚度实现；而在提高转换效率方面，对新的太阳能电池技术的探索已经开始：（ 1）叠层电池技术将不同带隙宽度（ Eg）的材料，按 Eg大小从上到下迭合起来制成。选择性的吸收太阳光谱的不同区域，可大幅度的提高转换效率。计算表明，两结叠层电池的理论转换效率为 50％，三结电池为 56％， 36 结为 72％，无限多结为 86.6 ％。（ 2）多光谱太阳电池技术将太阳光的多光谱变为相对窄的、适应单结电池的光谱，而不用多结，可降低成本。先利用热激发光发射二极管产生窄带光谱，再通过热光和光电转换，理论效率为 50％；还能利用特殊的能带结构，吸收一个高能光子而产生两个电子空穴对，提高转换效率。（ 3）多能级、多带技术利用耦合多量子阱和量子点结构形成的子带，可充分利用太阳光谱，提高转换效率。在带隙中引入 N 个带会扩大吸收长波光子的能量范围，理论预测其效率为86.8 ％。江苏信息职业技术学院毕业设计（论文）4 第二章标准硅太阳能电池制造工艺2.1 标准硅太阳电池工艺自 1953 年研制出第一批具有一定效率的硅太阳电池之后， 这些电池便主要应用于空间飞行的能源系统。第一次这样的应用是在 1958 年的尖兵一号卫星上。从那时起，为了供给数量不断增加的通讯卫星及其他空间飞行器所用的电池，已进行了产量越来越多的小批量生产。对于电性能及可靠性的严格要求导致了研制标准的电池工艺流程，这种工艺实际上在整个六十年代和七十年代初期一直保持不变。表 2.1 标准太阳能电池的种类及其制造工艺5 从 1973 年以来，由于对新能源越来越重视，致使一些公司生产专门用于地面的电池。表 2.1 列出部分太阳能电池制造厂家。开始，地面电池的生产工艺是引用空间电池的标准工艺。虽然由于地面应用的要求不同，使生产电池的工艺后来有了某些重大的改变。制造电池的标准工艺可以归纳为如下几步：1. 砂子还原成冶金级硅。2. 冶金级硅提纯为半导体级硅。3. 半导体级硅转变为单晶硅片。4. 单晶硅片制成太阳电池。5. 太阳电池封装为经得起风雨的太阳电池组件。江苏信息职业技术学院毕业设计（论文）6 2.2 砂子还原为冶金硅硅是地球外壳第二位最丰富的元素。提炼硅的原始材料是 SiO2, 它是砂子的主要成分。然而，在目前工业提炼工艺中，采用的是 SiO2 即石英岩。为了制取硅，石英岩在图 2.1 所示的大型电弧炉中用碳（木屑、焦炭和煤的混合物）按照下列反应方程还原：硅定期地从炉中倒出， 并用氧气或氧， 氯混合气体吹之以进一步提纯它。 然后，它被倒入浅槽，在槽中凝固。随后被碎块。图 2.1 标准太阳能电池的种类及其制造工艺7 全世界每年生产约一百万吨左右冶金硅 （ MG→ Si ） ， 主要是用于炼钢和炼铝工业。这种硅的纯度通常为 98％到 99％，由表 2.2 的典型分析结果看出，其中主要杂质为Fe和 Al 。还原过程的能量利用率相当高。全部工艺过程所需要的能量类似于提炼的钛一类金属所需的能量。材料也相当便宜，冶金级产品的很小一部分进一步精炼为半导体级硅（ SeC） ，供电子工业用。半导体级硅每年用不了几千吨。表 2.2 冶金级硅中典型的杂质浓度2.3 冶金级硅提纯为半导体硅用于太阳以及其他半导体器件的硅，其纯度级比冶金级更高。提纯硅的标准方法称为西门子工艺。冶金级硅被转变为挥发性的化合物，接着采用分馏的方法将其冷凝并提纯。然后，从这种精炼产品中提取超纯硅。详细的工艺程序是，用于 HCl 把细碎的冶金级硅颗粒变成流体，用铜催化剂加速反应进行：Si+3HCl→ SiHCl 3+H2释放出的气体通过冷凝器，所得到的液体经过多级分馏得到 SiHCl 3 被 H2 还原。再此过程中，硅以细晶粒的多晶硅形式沉积到电加热的硅棒上，其反应式为SiHCl 3+H3→ Si+3HCl 后一步不仅需要需要大量的能源，而且生产率低（ ~37％） 。这就是为什么会出现 2.7 所讨论的， 生产半导体级硅比生产冶金级硅所需的能量增加很多的主要原因。在这个转化过程中，成本增加更大。因此，更有效地提纯冶金级硅一直是改进工艺的主要目标。2.4 半导体多晶硅变成单晶硅片江苏信息职业技术学院毕业设计（论文）8 对于半导体电子工业来说，硅不仅要很纯，而且必须是晶体结构中基本上没有缺陷的单晶形式。工业上生产这种材料所用的主要方法是与图 2.2 中德直拉工艺（ Czochralski process ） 。在坩埚中，将半导体级多晶硅熔融，同事，加入微量的器件所需的一种掺杂剂，对于太阳电池来说，通常用硼（ p 型掺杂剂） 。在温度可以精细控制的情况下用籽晶能够从熔融硅中拉出大圆柱形的单晶硅。通常用这种方法能够生长直径超过 12.5CM，长度 1M到 2M的晶体。图 2.2 图 2.2 生长大圆柱单晶硅棒的直拉法工艺示意图硅太阳能电池仅需 100um左右的厚度就足以吸收阳光中波长合适的成分之大部分，因此，大单晶应切成尽可能薄的硅片，如图 2.3 所示。用目前的切片工艺 （ 2.3 ）将前面介绍的大晶体切成 300um还薄的硅片并仍保持适当的生产速率是困难的。加工过程中，以多半的硅因为刀槽或切割 sunshine 被浪费掉了。从半导体级硅变成单晶硅过程中德低产率是标准硅工艺的又以薄弱环节。图 2.3 图 2.3 从圆柱硅棒切片2.5 单晶硅片制成太阳电池硅片腐蚀（为了消除切片过程产生的损伤）并清洗之后，用高温杂质扩散工艺标准太阳能电池的种类及其制造工艺9 有控制地向硅片中掺入另外的杂质。前节中已经提及，在标准太阳电池工艺中，通常将硼加到直拉工艺的熔料中，从而生产出 P 型硅片。为了制造太阳电池，必须掺入 N 型杂质，以形成 P-N 结。磷是通常的 N型杂质。 最普通的工艺如图 2.4 所示， 载气通过液态磷 （ POCL3） ， 混入少量的氧后通过排放有硅片的加热炉管，这样，硅片表面就生成含磷的氧化层。在规定的炉温下（ 800 到 900℃ ） ，磷从氧化层扩散到硅中约 20 分钟后，靠近硅片表面的区域，磷杂质超过硼杂质，从而制得如图 2.5 （ a）所示的一层薄的，重掺杂的 n 型区。在往后的工序中，再去氧化层和电池侧面及背面的结，得到图 6.5（ b）的结构。然后做出附着与 N 型区和 P 型区表面的金属电极。在标准工艺中，采用真空蒸发工艺来做此电极。将待沉积的金属在真空室中加热到足够高德温度，使其溶化并蒸发，结果凝结在真空室中以直线的方式能达的较冷部分（其中包括太阳电池） 。背电极通常覆盖整个背表面，而上电极则需要制成栅线形状。有两种工艺能有效地做出这样的栅线形状的电极：一种是采用金属掩膜（图 2.6 ） ；另一种方法是在电池上表面先全部沉积金属，接着，用称为光刻法的照象技术将不需要的部分腐蚀掉。O2+N2 图 2.4 磷扩散工艺图 2.5 磷杂质分布（ a） 刚扩散之后：（ b） 硅片背面和侧面被腐蚀之后电极通常由三层金属组成。为了使电极与硅有好的附着力，底层采用薄的金属钛，上层是银，以提供低得电阻及可焊性。夹在这两层之间的是钯层，它可以防止潮湿气氛下钛和银之间的不良反应。为得到好的附着力和低得接触电阻，沉积之后，电极在 500— 600℃ 下烧结。最后，用同样的真空蒸发工艺在电池上表面江苏信息职业技术学院毕业设计（论文）10 图 2.6 采用真空蒸发工艺和一个金属掩膜来制作顶部金属栅线电板的示意图沉积一层博得减发射（ AR）膜 。从硅片开始到做成地面用太阳电池，成品率约为 99％。每批硅片大概为 40 到100 片， 在同一时间内进行上述工序， 这就使这种加工过程成为很紧张的劳动。 此外，真空蒸发设备与其生产能力相比是昂贵的。而且，由于蒸发工艺的特点，结果只有一小部分金属被蒸发到所需的地方。当采用象这样的贵重材料时，这种工艺是很浪费的。2.6 太阳电池封装成太阳电池组件2.6.1 组件结构太阳电池之所以以需要密封不仅仅是为了提供机械上得防护，而且额也是为了提供电绝缘及一定程序的化学防护。这是密封为支持易碎的电池及易弯曲的互联条提供了机械刚性，同时也为可能来自冰雹﹑鸟禽以及下落或投掷到组件上得物体所引起的机械损伤提供了保护。密封还保护金属电极及互联条免遭大气中腐蚀性元素的腐蚀。最后，密封也为电池组合板产生的电压提供电绝缘。某些系统的电压可比地电位高 1500V，密封的耐久性将决定组件的最终工作寿命，理论上，此寿命可达20 年或更长。标准太阳能电池的种类及其制造工艺11 系统密封设计必须具备的其他特性还包括：紫外线（ UV）稳定性；在高低限温度及热冲击下电池不致因应力而破裂：能抗御尘暴引起的擦伤：自净能力；以及成本低廉。组件的封装可以有几种不同方法。 其中一个极重要的部分是提供刚性的结构层，这一层如图 2.7 中所示，它可在组件的背面或在组件的正面。电池可直接粘附在这一层上并密封在柔韧的密封胶中，或者密封在由这一层支撑的夹层中。最后一层如果在组件的背面，将起抗潮的作用；如果在顶部，就要有自净特性，并能改善耐冲击特性。组件周边采用了某种方式的防潮密封图 2.7 太阳电池的几种封装方法示意图（ a） 结构层在背面的密封形式：（ b） 结构层在背面的带夹层密封形式：（ c） 结构层在正面的密封形式：（ d） 结构层在正面的带夹层密封形式对于图 2.7 （ a）和（ b）结构层在背面的密封形式来说，背面结构层最常用的材料是受过阳极处理的铝板﹑陶瓷化的钢板﹑环氧树脂板或窗玻璃。如果这一层用象木屑板那样的木料混合物可能最为便宜。对于图 2.7 （ c）和（ d）结构层在正面的密封形式来说《选用玻璃作为结构层是显而易见的。玻璃兼有优良的耐风雨性能﹑成本低得优点及好的自净特性。为使光容易透过，大部分设计都采用含铁低得钢化玻璃或回火玻璃。硅树脂已广泛地用来作粘结剂和密封材料，它具有好的紫外线稳定性、低的光吸收特性和为减少组件的热应力所需要的合适弹性，但是，这种材料很贵。在有夹层的方法中， 几家工厂采用了聚乙烯醇缩丁醛 （ PVB） 和乙烯 / 醛酸乙烯酯 （ EVA）来作相应层的材料。结构层在背面的形式的顶层给予组件自净能力，并在某些组件中起抗湿作用。这一层普遍选用低碳玻璃，也有采用聚乙烯之类的聚合物，由于默写厂家已注重生产抗湿电池，因而放松了密封的要求。这种结构可采用软硅树脂密封和一层较硬的硅树脂覆盖层最普遍选用聚脂树脂或聚氟乙烯。然而，所有的聚合物都有一点透湿性，为了解决这一问题，可在适合的聚合物层与层之间嵌入薄的铅箔或不锈钢箔。如果背面层是白色的，则利用零深度聚光效应，可能在一定程度上增加组件的江苏信息职业技术学院毕业设计（论文）12 输出。照射到组件中电池之间区域的一些光将被背面层散射并且由玻璃盖板反向组件的工作区。这就增加了组件的输出，尤其当电池的装配密度较低时更是这样。组件设计的另一个重要方面是电池之间的互联条。为了具备，通常采用复合互联条。这种互联条增加了组件对互联条失效（由于腐蚀或疲劳）及电池损坏的承受能力。由于温度膨胀系数及扭曲负荷不同，使互联条产生周期性德应力。电池互联通常需要如图 2.8 所示的减应力环。图 2.8 电池间金属互联条的减应力环它用以防止热循环和扭曲负荷的周期应力引起的疲劳。为使效果最佳，互联条厚度 T 应当很薄，而弓形高度应如【 2.5 】中所讨论的那样2.6.2 电池的工作温度不同的组件设计将使密封在其中的电池在相同的工作环境中有不同的温度。由于电池性能因温度升高而变差，所以，组件在较低的温度工作时，其性能将相对有提高。与其在相同的温度下比较不同组件的性能，倒不如在不同的温度下去比较性能更合适。在每一种情况中，这个温度就是在典型的工作条件下电池所达到的温度。如果规定了一组标准工作条件（日照强度、风速和风向、环境温度、电池负载） ，那么，对每种形式的组件就会有以个特定的温度，即电池的正常工作温度（ NOCT） 。为了用非标准工作条件下的现场数据来计算这种温度，已研究出经验方法。现场数据表明，只要风速不是过快，太阳电池工作温度与环境温度之差大体上与入射光强成正比。根据经验，安装在露天框架上得组件，在充足的阳光照射下（ 100mw/cm2） , 大多数市售组件的电池温度大约高于环境温度 30°。因此，电池温度的近似表达式可写为：当组件安装于屋顶时，电池的工作温度将更高。2.7 能量计算标准太阳能电池的种类及其制造工艺13 对用于大规模发电的器件来说，在其工作寿命期限内，发电能力应比建设、使用和维护他们所付出的能量多，这自然是很重要的。用本章所描述的标准工艺制造的太阳电池在这方面情况怎样呢能够？从石英岩中提取冶金级硅的过程能量的利用率相当高。考虑到开采、运输和制备这个过程使用的原材料所需要的能量，以及加工所需要的能量，生产 1kg 冶金级硅大约需要相当于 24KWH点能得能量。此能量与铜样算法求得得提取 1KG用的能量（ 19KWH{e}/KG）获取 1KG钛的能量 {46KWH（ e） /KG}大致相同。将冶金级硅提纯为半导体级硅的西门子工艺成本高、频率低、耗能多，因此它成为将来硅太阳电池工艺改进的主要方面。按以上同样算法，半导体级硅的能量消耗是 621KWH(e)/KG。为使这种纯硅变成单晶硅片，需要经过只拉工艺。直拉工艺所生产的圆柱硅棒，切片时半导体级硅得不到充分利用。硅棒加工成硅片的成材率大约是 0.4m2/KG。产率这样低的主要原因是切片工艺部理想。这种工艺需要一半原材料，并且生产的薄片 比 光 伏 器 件 所 需 要 的 厚 度 要 厚 。 按 以 上 同 样 算 法 ， 硅 片 的 能 量 消 耗 是1700kwh(e)/m 2。电池能够偿还还制造它时投入的能量所需的时间与电池的应用场所有关。平均每天峰值日照为 5 小时、 密封电池的效率为 12%的情况下， 每年产生的能量总计将达219kwh（ e） / m2。因此，能量的偿还还时间略短与 10 年。还有一些不太直接的能量消耗，例如制造用于电池生产的机械所需要的能量，这些将进一步增加这个偿还时间。然而，重要的是由于经济方面的原因，过去的一些工艺步骤阻碍了硅太阳电池的广泛应用，正是这些工艺耗费了制造电池所需能量的最大部分。改进的硅太阳电池生产工艺，不仅提高了经济效益，而且显著地降低了制造电池所需的能量。采用这种工艺， 能量偿还时间可从本章概述的低效率工艺流程所需要的 10 年减少到一年。江苏信息职业技术学院毕业设计（论文）14 小结3.1 毕业论文小结2011 年 10 月，我开始了我的毕业论文工作，经过长时间的写作到现在论文 基本完成。论文的写作是一个长期的过程，需要不断的进行精心的修改，不断地 去研究各方面的文献，认真总结。历经了这么久的努力，终于完成了毕业论文。 在这次毕业论文的写作的过程中，我拥有了无数难忘的感动和收获。 11 月初， 在与老师的交流讨论中我的题目定了下来，是：标准太阳能电池的种类及其制造工艺。— —从太阳电池的种类谈起 . 当开题报告定下来之后， 我便立刻在学校的图书馆着手资 料的收集工作中，当时面对众多网络资料库的文章真是有些不知所措，不知如何下手。我将这一困难告诉了指导老师，在老师的细心的指导下，终于使我了解了 应该怎么样利用学校的浩瀚的资源找到自己需要的青春文学方面的资源， 找了大 概100 篇左右相关的论文，认真的阅读，总结笔记，为自己的论文打好基础。主 要是为了发现过去那些论文之中的观点，然后避免有重复的观点出现，争取从一 个全新的角度去研究太阳能电池。 在搜集资料后，我在电脑中都进行分类的整理，然后针对自己不同部分的 写作内容进行归纳和总结。尽量使我的资料和论文的内容符合，这有利于论文的 撰写。然后及时拿给老师进行沟通，听取老师的意见后再进行相关的修改。老师 的意见总是很宝贵的， 可以很好的指出我的资料收集的不足以及需要什么样的资 料来完善文章。 10 月末，资料已经查找完毕了，我开始着手论文初稿的写作。 初稿的写作显 得逻辑结构有点不清晰， 总是想到什么相关的问题就去写，而没有很好的分出清 晰的层次，让文章显得有点凌乱，这样的文章必然是不符合要求的，但毕竟是初 稿，在老师的指导下还要进行反复的修改。写作毕业论文是我们每个大学生必须经历的一段过程，也是我们毕业前的 一段宝贵的回忆。当我们看到自己的努力有收获的时候，总是会有那么一点点自 豪和激动。任何事情都是这样子，需要我们脚踏实地的去做，一步一个脚印的完 成，认真严谨，有了好的态度才能做好一件事情，一开始都觉得毕业论文是一个 很困难的任务，大家都难免会有一点畏惧之情，但是经过长时间的努力和积累， 经过不断地标准太阳能电池的种类及其制造工艺15 查找资料后总结，我们都很好的按老师的要求完成了毕业论文的写 作，这种收获的喜悦相信每个人都能够体会到。 这是一次意志的磨练， 是对我实 际能力的一次提升，相信对我未来的学习和工作有很大的帮助。 在这次毕业论文中同学之间互相帮助，共同商量相关专业问题 , 这种交流对 于即将面临毕业的我们来说是一次很有意义的经历 , 大学 3 年都一起走过了 , 在 最后我们可以聚在一起讨论学习 , 研究专业问题 , 进而更好的了解我们每个人的兴趣之所在 , 明确我们的人生理想 , 进而在今后的生活和工作中更好的发挥自己 的优势 , 学好自己的专业 , 成为一个对于社会有用 的人 . 在此更要感谢我的专业老师，是你们的细心指导和关怀，使我能够顺利的完 成毕业论文。老师对于学生总是默默的付出 , 尽管很多时候我们自己并没有特别 重视论文的写作 , 没有按时完成老师的任务 , 但是老师还是能够主动的和我们联 系 , 告诉我们应该怎么样修改论文 , 怎么样按要求完成论文相关的工作。 老师的检 查总是很仔细的，可以认真的看论文的每一个细小的格式要求，认真的读每一个 同学的论文，然后提出最中肯的意见，这是很难得的。致谢袁琪木老师 哈工大詹耀辉博士 李成敏博士 在我写论文期间给我莫大的帮助！参考文献[1] 施敏 著，黄振岗 译，《半导体器件物理》 [M]. 电子工业出版社， 1987 年 12月第一版。[2] 马丁·格林 著，李秀文，谢洪礼，赵海滨等译，《太阳电池工作原理、工艺和系统的应用》 [M]. 电子工业出版社， 1987 年 1 月第一版。[3] C.H.Henry, “ Limiting Efficiency of Ideal Single and Multiple Energy Gap Terrestrial Solar Cells, ” [M]. 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