侧向光伏效应研究-solarbe文库

1请将电子版打印出来，仔细阅读，不懂之处用笔标记上，这样才算写了预习报告。老师将根据认真程度给预习分侧向光伏效应研究实验类型：近代光学设计性实验实验地点：实训中心 2 号楼 1 楼 2123 教室实验日期：第 9-12 周（第一轮），每周（例如周五）节次（例如 34 节）学生姓名：学号：手机号： Email: 一.目的要求测量金属-氧化物- 半导体 Ni–SiO2–Si 的侧向光伏随激光扫描点的变化关系。实验要求达到：1、理解光侧向光伏效应的现象与形成机制2、测量侧向光伏随激光扫描点 X、Y 坐标的变化关系3、学会用 Origin 软件进行数据分析与绘图4、计算出位置灵敏度、线性相关系数二.实验原理侧向光伏效应是指在点照明下，在 PN 结、金属半导体结、半导体异质结的同一面接上外路电压而测得的光伏效应，如图 1 所示。激光Ni+++-SiO2Si --AB扩散隧穿隧穿扩散扩散++空穴-------扩散+xζxo-L/2 L/2 -隧穿 --V+电子图 1 金属-氧化物-半导体结 Ni–SiO2–Si 侧向光伏产生原理侧向光伏效应产生的机理是：点光源照射样品，会在照射位置产生大量电子-空穴对，由于电子数密度 N(r)与周围存在明显差异，会进行扩散，两个铟电极 A 和 B 收集的电荷数量不同导致电势差 UAB。侧向光伏 UAB随激光照射点位置的变化关系为：2（1）)]2exp()2[exp(0 dLdLKUUBAB 其中 K0为比例系数，L 为电极间距，d 为电子散射波长，x 为激光点照射位置。从理论公式（1）与实验均可得到如下图所示的侧向光伏随激光扫描点 x 坐标的变化关系曲线：图 2 侧向光伏随激光扫描点 x 坐标的变化关系三.实验装置实验设备主要有：半导体激光器、小孔、凸透镜（焦距 26 毫米）、直尺、万用表、三维微位移平台、金属-氧化物- 半导体（Ni– SiO2–Si）片、细铜丝、接线板、电控箱、控制软件、电脑。如图所示，激光经过小孔被卡成口径 1 毫米的光斑，被凸透镜聚焦到 Ni–SiO2–Si 的表面。Ni–SiO2–Si 的硅衬底背面两只铟电极 A、B 上粘两根细铜丝导线，分别连接到接线板上的红、黑接线柱上，细铜丝导线重量很轻，以防止拽脱落铟电极。LaserA´ B´BOAxyV图 3 侧向光伏的测量装置红表笔的一端插在万用表的红色插孔 VΩ 中，另一端插在接线板的红色接线柱内（与电极A 相连）。黑表笔的一端插在万用表的黑色插孔 COM 中，另一端插在接线板的黑色接线柱内（与电极 B 相连）。3Ni–SiO2–Si 片固定在位移平台上，用电脑控制位移平台移动（切勿用手拧步进电机使其转动），激光点就会在 Ni–SiO2–Si 片上扫描。勿拔!可插拔Y 轴的步进电机勿手拧!X 轴的步进电机激光照射点Ni–SiO2–Si 片细铜丝细微旋转此钮，可使片子的 XY平面绕 Z 轴旋转4四.实验步骤、数据记录（红色下划线为要求记录或计算的数据）（1）设置三维位移平台的控制软件 SC300运行 SC300 软件，进行电脑与设备的连接。下拉菜单“运行→连接” ，默认是 COM1→点击确定，此时基本设置和基本控制栏内会倒入 SC300 的内部默认参数。凸透镜小孔5设置螺距：下拉菜单“设置→电移台参数→”将 X 轴 pitch（螺距）选项中默认的 4（单位：mm）改为 1（单位：mm）→点击 Apply→将 Y 轴的 pitch（螺距）选项中默认的 4（单位：mm）改为 1（单位：mm）→点击 Apply→点击 OK。6将 Z 轴的默认选项 Rotate（转动）改为 motor(移动），并将 Z 轴的 pitch（螺距）选项中默认的 4（单位：mm）改为 1（单位：mm）→点击 Apply→点击 OK以上设置完成，就可以控制平台进行移动。想让 X 轴电机运动，在界面上将按沉下去；想让 Y 轴电机运动，在界面上将按沉下去；想让 Z 轴电机运动，在界面上将按沉下去。然后在软件界面上输入要求步进电极转动的步数（Step ）。步进电机转动1600 Step，平台直线运动 1 毫米。步进电机每步转动使平台直线运动 0.625 微米。实验中，不必使平台每次移动这么小的精度，否则测量的数据点太密集。按“+”：使平台往靠近电机方向运动; 按“—”：使平台往远离电机方向运动。7（2）激光聚焦：将凸透镜的磁性表座旋转到“OFF ”，释放表座，表座的磁铁不吸钢桌面。移动凸透镜靠近 Ni–SiO2–Si 片。同时用电脑控制三维平台 Z 方向移动。凸透镜的磁性表座与三维平台之间拧了 5 只阻挡螺丝，只要磁性表座不越过 5 只阻挡螺丝，三维平台前进时就不会撞上凸透镜。调整 Ni–SiO2–Si 片与凸透镜的距离，用直尺测量 Ni–SiO2–Si 片与凸透镜的间距大致为26 毫米左右（凸透镜焦距），使激光聚焦点尽可能的小，以提高扫描精度。阻拦螺丝想让 X 轴电机运动，将其按沉想让 Y 轴电机运动，将其按沉要求步进电极转动的步数不要按！使平台往远离电机方向运动使平台往靠近电机方向运动8调整好各器件的位置后，将磁性表座旋转到“ON” ，固定在钢桌面上。请老师用激光功率计测量下照射在 Ni–SiO2–Si 表面的激光功率是否为 3 毫瓦。（3）寻找电极点，确定电极间距将红表笔插入万用表的红色插孔 VΩ 中，将黑表笔插入万用表的黑色插孔 COM 中。万用表请打到直流 200 mV 档。用电脑控制平台移动，使激光照射到 A´点（其背面是电极 A）附近，微移动平台的 X 位置，寻找最大的电压。再微移动平台的 Y 位置，寻找最大的电压 UAB(max)= mV。26 毫米勿拔!可插拔9LaserA BB´A´V++_+图 4 光照 A 电极记下此时电控箱面板上显示的 A´点的坐标，X = Step， Y= Step。继续用电脑控制平台移动，使激光照射到 B´点（其背面是电极 B）附近时，会发现侧向光伏从正最大值变成 0，再变成负值。在 B´点附近，用电脑控制步进电机微移动平台的 XY，移动量100 Step 或更小，寻找最小的电压 UAB(min)= mV，并记下此时电控箱面板上显示的 B´点的坐标，X =Step， Y= Step。由于实际制做出的样品不均匀，侧向光伏的极大值 UAB(max)与极小值UAB(min)的绝对值大小存在 10mV 左右的差异。（4）比较 A´B´两点的 Y 坐标是否相同。一般情况下不可能恰好相同。A ´B´两点的 Y 坐标不同说明 A´B´两点的连线不是水平线。记下 X 的坐标值记下 Y 的坐标值记下 X 的坐标值记下 Y 的坐标值10A´B´YX(水平线)Sping xian Ni–SiO2–Si 片的水平调整有必要将 A´B´两点的 Y 坐标调到同一高度，以方便后续的测量。细微旋转放置 Ni–SiO2–Si的调整架，使片子的 XY 平面绕 Z 轴旋转。寻找电压最大时的 A´点坐标，电压最小时的 B´点坐标。比较 A´B´两点的 Y 坐标是否相同。若不相同，再稍微旋转放置 Ni–SiO2–Si 的调整架，使片子在 XY 平面内稍微旋转点角度。寻找电压最大时的 A´点坐标，电压最小时的 B´点坐标。比较 A´B´两点的 Y 坐标是否相同。经过数次微调节，使 A´B´两点的 Y 坐标相同为止。记下电极点 A、B 的 X 坐标之差，即为电极 AB的间距，为 Step；此时激光点照射在 A´（或 B´）点上，按电路控制箱上的 1、 4 键，将A´（或 B´）点的当前坐标 X、 Y 设置为相对坐标零点，即 A´（或 B´）点的坐标变为 X= 0 Step， Y= 0 Step。（5）用激光扫描 Ni–SiO2–Si 表面，记录侧向光伏、扫描点的 X、Y 坐标值。建议激光扫描范围为下图中白色矩形方框。范围选取原则是：X 方向的扫描范围以电压不随激光位置变化为止，大致区间为。Y 方向的扫描范围建议为-3mm≤ ABx43Y≤3mm。按 4 键，将当前停留位置的 Y 坐标设置为相对坐标零点按 1 键，将当前停留位置的 X 坐标设置为相对坐标零点顺时针/逆时针旋转此钮，使片子的XY 平面绕 Z 轴顺时针/逆时针旋转11LaserA´ B´BOAxyV图 10 激光二维扫描 Ni–SiO2–Si 的表面请先沿着 X 轴扫描，再扫描别的数据点。将扫描点的 X、Y 坐标与电压值填入下表空格中。XY 坐标（Step）-4800 -4000 -3200 -2400 -1600 -800 0 800 1600 2400 3200 4000 4800-4800 mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV-4000 mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV-3200 mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV-2400 mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV-1600 mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV-800 mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV0 mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV800 mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV1600 mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV2400 mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV3200 mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV4000 mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV4800 mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV mV表一电压值随激光扫描点 X、Y 坐标的变化因为软件控制界面上输入的数字以步进电机的转动步数为单位，所以数据表格以 Step 数为单位记录比较方便。画图时再换算成毫米，1600 Step=1 毫米。建议步进电机的运动间隔 400 Step（0.25 毫米）为宜，请自行把握。原则是数据记录点既不要太密集，也不要太稀疏。12（6）根据表一的数据绘制出电压值随激光扫描点 X、Y 坐标的变化曲线图（注意要将坐标零点变换到电极 AB 的中心，之前的坐标原点是 A´或 B´点）图 12 电压值随激光扫描点的 X、Y 坐标的变化关系（ 7）根据表一的数据绘制出激光沿 y=0、±1mm、±2mm、±3mm 的直线扫描时电压值随激光扫描点的 X 坐标的变化关系曲线。用数据处理程序进行最小二乘法线性回归拟合，记录下电脑屏幕显示的 b 值（即直线的斜率，代表位置灵敏度）= ， r 值（线性相关系数）= ；图 13 激光沿 y=0、±1mm、±2mm、±3mm 的直线扫描时电压值随 X 坐标的变化关系（ 8）、根据表一的数据绘制出激光沿 x=0、±1mm、 ±2mm、±3mm 的直线扫描时，电压值随激光扫描点 Y 坐标的变化关系曲线。图 14 激光沿 x=0、 ±1mm、 ±2mm、 ±3mm 的直线扫描时电压值随 Y 坐标的变化关系13五．注意事项a) 近代光学实验教室内的仪器贵重，禁止在实验台上喝水、吃零食。水洒进仪器会造成仪器电路短路、笔记本主板短路。如果口渴确实需要喝水，请将水放到教室入口的签到桌上，喝好后放回原处，请勿随身携带。如果水洒进仪器导致损坏，照价赔偿，实验成绩按不及格处理。b) 确认半导体激光器、小孔、凸透镜的磁性表座在“ON”状态，牢固吸在钢桌面上，以防胳膊肘将其碰倒跌落。c) 请在自己的实验桌上做实验，不要到别的实验桌旁干扰同学做实验，更不要动他人的仪器。d) 请勿触摸 Ni–SiO2–Si 的表面。e) 测量时不要碰导线，否则数据不稳定。更不能拉扯细铜丝导线，导致铟电极脱落。f) 不要用自己的 U 盘拷贝数据，以免教室电脑染上病毒。实验结束后，教师会将讲义、数据图片等 email 给学生。六.观察与思考g) 日光会对测量有影响吗？h) 电极之外的侧向光伏为何不与激光扫描点的 X 坐标呈线性关系？i) 侧向光伏效应有什么可能的应用？七.参考文献Liming Chi, Pengfei Zhu*, Hui Wang, Xiaoan Huang, Xiangting Li. “A High Sensitivity Position-Sensitive Detector Based on Au-SiO2-Si Structure”. Journal of Optics, 2011, 13:015601. 八.实验报告报告开头请填入姓名、学号、手机号、实验日期。请将报告电子版发到 zpf@sues.edu.cn九.指导教师：朱老师手机 13917324395

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