摘 要随着多晶硅太阳电池的广泛应用,电池组件的电势诱导衰减( pid )现象越来越引起大家的重视。本文主要研究了铸锭电阻率、电池扩散方阻、前表面钝化层折射率对电池组件的 pid 的影响。研究结果表明 pid 现象和铸锭电阻率、电池扩散方阻、前表面钝化层折射率有关...
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龙源期刊网 http//www.qikan.com.cn 抗 PID 工艺对多晶电池片表面质量的影响作者刘东林 周水生 沈方涛来源科技创新与应用 2014 年第 35 期摘 要 PID 现象和电池片表面的减反射膜的折射率有关,提高反射层的折射率可以有效地降低 PID 现象的发生。文章研究的主要内容.
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2014.12 Vol.38 No.12研 究 与 设 计收稿日期 2014-04-03作者简介 罗旌旺(1984 ), 男, 福建省人, 工程师, 硕士, 主要研究方向为晶体硅太阳电池 、 组件 。2292双层 SiN x 膜多晶硅太阳电池抗 PID 性能研究罗旌旺...
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2017年 2月上 抗 PID 高性能太阳能电池技术综述 刘 东 ( 国家知识产权局专利局专利审查协作江苏中心, 江苏 苏州 215000 ) 【 摘 要 】 本文主要针对太阳能电池的抗PID 性能这一技术主题, 利 用 S 系 统 中 的 CNABS 、 CNTXT 、 VEN 、 JPABS 等
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油 气 、 地 矿 、 电 力 设 备 管 理 与 技 术 China Science 当氮化硅膜的折射率 达大于2.2时,不同PECVD工艺的太阳电池都具有良好的 抗PID性能 [1] 。但是,当折射率不同时,太阳电池的转换效率 差别很大。自从组件使用抗PID的EVA后,组件的抗PID性 能得到了
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