站内搜索 659 条结果, 用时266ms
  • 2017-2023年中国硅片行业深度调研报告(目录)20

    2017-2023年中国硅片行业深度调研报告(目录) 2017-2023年中国硅片行业深度调研报告(目录) (20页)

    2017-2023年中国硅片行业深度调研战略研究报告(目录)www.chyxx.com 公司介绍北京智研科研咨询有限公司成立于 2008 年,是一家从事市场调研、产业研究的专业咨询机构,拥有强大的调研团队和数据资源,主要产品有多用户报告、可行性分析、市场调研、 IPO 咨询等,公...

    下载价格:3 金币 / 发布人: 索比杜金泽 / 发布时间:2018-08-21 / 168人气

  • 硅片甩干5

    硅片甩干 硅片甩干 (5页)

    点击查看更多“硅片甩干”精彩内容。

    下载价格:3 金币 / 发布人: 索比杜金泽 / 发布时间:2018-08-21 / 263人气

  • 硅中的缺陷和硅片热处理(20180720135841)6

    硅中的缺陷和硅片热处理(20180720135841) 硅中的缺陷和硅片热处理(20180720135841) (6页)

    文章编号 1005- 20462000 04- 0171- 06收到日期 2000 04 07作者简介 闵 靖 1941 , 男 , 教授级高级工程师硅中的缺陷和硅片热处理闵 靖 , 邹子英 上海市计量测试技术研究院 , 上海 200233摘 要 本文评述了近年来着重研究的 COP、 L

    下载价格:3 金币 / 发布人: 索比杜金泽 / 发布时间:2018-08-21 / 463人气

  • 化学机械抛光中的硅片夹持技术9

    化学机械抛光中的硅片夹持技术 化学机械抛光中的硅片夹持技术 (9页)

    化学机械抛光中的硅片夹持技术孙禹辉,康仁科,郭东明,金洙吉,苏建修大连理工大学机械工程学院,辽宁大连 116024 摘要 目前半导体制造技术已经进入 0. 13μm 时代, 化学机械抛光 CMP已经成为 IC 制造中不可缺少的技术。本文描述了下一代 IC 对大尺寸硅片 ≥ 300...

    下载价格:3 金币 / 发布人: 索比杜金泽 / 发布时间:2018-08-21 / 317人气

  • 红外线用于检测硅片隐裂的方法1
  • 计算倒角硅片的面积2

    计算倒角硅片的面积 计算倒角硅片的面积 (2页)

    1 一、计算倒角硅片的面积Calculate the area of pseudo-square wafer 边长 W 125 mm 对角 D mm 倒 圆角 时面积148.5799 cm2Calculate边长 A 156 mm 对角 B 200 mm 倒 直角 时面积239.1093 cm2Ca

    下载价格:3 金币 / 发布人: 索比杜金泽 / 发布时间:2018-08-21 / 225人气

  • 浅谈硅片缺陷的控制1

    浅谈硅片缺陷的控制 浅谈硅片缺陷的控制 (1页)

    浅谈硅片缺陷的控制【摘要】 太阳能是一种清洁、 高效和永不衰竭的新能源, 光伏发电具有安全可靠、无噪声、无污染、制约少、故障率低、维护简便等优点,近年发展势头迅猛。 硅片作为太阳能电池的核心元件, 其质量直接影响到太阳能电池的整体性能。本文介绍了硅片缺...

    下载价格:3 金币 / 发布人: 索比杜金泽 / 发布时间:2018-08-21 / 242人气

  • 硅片市场研究报告11

    硅片市场研究报告 硅片市场研究报告 (11页)

    中国硅片行业市场前景调查及投融资战略研究报告2017-2022 年前 言企业成功的关键就在于, 能否跳出红海, 开辟蓝海。 那些成功的公司往往都会倾尽毕生的精力及资源搜寻产业的当前需求、 潜在需求以及新的需求 随着行业竞争的不断加剧, 大型企业间并购整合与资本运作...

    下载价格:3 金币 / 发布人: 索比杜金泽 / 发布时间:2018-08-21 / 228人气

  • 硅片线切割液成分分析,切割液配方生产工艺及技术研究5

    硅片线切割液成分分析,切割液配方生产工艺及技术研究 硅片线切割液成分分析,切割液配方生产工艺及技术研究 (5页)

    配方分析 / 成分检测 / 研发外包 / 工业诊断www.hccjishu.com硅片线切割液成分,配方生产工艺及技术应用导读本文详细介绍了硅片线切割液的作用,分类,参考配方及市场等,本文中的配方数据经过修改,如需更详细资料,可咨询我们的技术工程师。禾川化学引进尖端配方解...

    下载价格:3 金币 / 发布人: 索比杜金泽 / 发布时间:2018-08-21 / 439人气

  • 硅片脏污问题研究4

    硅片脏污问题研究 硅片脏污问题研究 (4页)

    硅片脏污问题研究太阳能硅片切割完毕后,在对硅片进行清洗后,会出现硅片表面脏污的情况,影响了硅片外观质量,同时也会影响后续工序的加工。本文主要对脏污片的类型及其产生原因进行了分析。1. 引言硅片清洗工序是将线锯机床切割完毕的硅片从玻璃上脱离下来,将胶条...

    下载价格:3 金币 / 发布人: 索比杜金泽 / 发布时间:2018-08-21 / 312人气

  • 硅片中FeB、BO复合体测试18
  • 华盛硅片项目可研13

    华盛硅片项目可研 华盛硅片项目可研 (13页)

    1江苏华盛天龙光电设备股份有限公司多晶铸锭实验示范工厂建设可行性研究报告项目名称 江苏华盛天龙光电设备股份有限公司多晶铸锭实验示范工厂项目编制单位 江苏华盛天龙光电设备股份有限公司建设地点 江苏省金坛经济开发区华城路 318 号编制时间 二〇一〇年七月2目 ...

    下载价格:3 金币 / 发布人: 索比杜金泽 / 发布时间:2018-08-21 / 199人气

  • 全自动硅片超声清洗机14

    全自动硅片超声清洗机 全自动硅片超声清洗机 (14页)

    - 全自动硅料清洗机技术说明书- 1.概述1.1 设备概要A.清洗对象 多晶边皮,顶料,片料,埚底料以及原生多晶料等B.材质 Si C.生产能力 240Kg/hr D.节拍 20min/ 篮 用户自定,可调 E.清洗篮外形有效尺寸 L730 * W410 * H200 ( mm )F.清洗

    下载价格:3 金币 / 发布人: 索比杜金泽 / 发布时间:2018-08-21 / 242人气

  • 硅片英文标准waferspecification-BGrade2

    硅片英文标准waferspecification-BGrade 硅片英文标准waferspecification-BGrade (2页)

    125 x 125 mm Mono crystalline wafer B GradeItem SpecificationsGrowth method CzCrystal Orientation ± 3°Dopant type / Dopant P / Boron Oxygen concentra

    下载价格:3 金币 / 发布人: 索比杜金泽 / 发布时间:2018-08-21 / 381人气

  • 硅片制绒工艺36

    硅片制绒工艺 硅片制绒工艺 (36页)

    点击查看更多“硅片制绒工艺”精彩内容。

    下载价格:3 金币 / 发布人: 索比杜金泽 / 发布时间:2018-08-21 / 215人气

  • 硅片线锯砂浆中硅粉与碳化硅粉4
  • 硅片在HFHNO3H2O体系中的腐蚀速度7

    硅片在HFHNO3H2O体系中的腐蚀速度 硅片在HFHNO3H2O体系中的腐蚀速度 (7页)

    硅片在 HF/HNO3/H2O体系中的腐蚀速度作者 安静 , 孙铁囤 , 刘志刚 , 汪建强 , 苦史伟 , An Jing , Sun Tietun , Liu Zhigang ,Wang Jianqiang , Ku Shiwei作者单位 上海交通大学物理系太阳能研究所 ,上海 ,200240刊

    下载价格:3 金币 / 发布人: 索比杜金泽 / 发布时间:2018-08-21 / 581人气

  • 硅片清洗原理与方法综述1

    硅片清洗原理与方法综述 硅片清洗原理与方法综述 (1页)

    硅片清洗原理与方法综述【摘要】 文中首先就硅片清洗原理的硅片的表面状态与洁净度问题和吸附理论进行了探讨, 在硅片清洗的常用方法与技术中分析了湿法化学清洗、 干法清洗技术、束流清洗技术。【关键词】硅片清洗原理;湿法化学清洗;干法清洗技术;束流清洗技术1...

    下载价格:3 金币 / 发布人: 索比杜金泽 / 发布时间:2018-08-21 / 274人气

  • 硅片生产工艺1

    硅片生产工艺 硅片生产工艺 (1页)

    硅片生产制造工艺流程1. 切方磨圆将矽单晶圆棒按尺寸要求,切割成矽单晶准方棒,并将切割后的准方棒四角,用滚磨机磨圆。2. 酸洗将检测合格的矽单晶准方棒放入配好的酸液中,除去表面杂质,使其清洁便于下道工序。3. 粘胶将清洁干净的矽单晶准方棒与工件板进行粘接。...

    下载价格:3 金币 / 发布人: 索比杜金泽 / 发布时间:2018-08-21 / 182人气

  • 硅片线痕、TTV的分析3

    硅片线痕、TTV的分析 硅片线痕、TTV的分析 (3页)

    硅片线痕、 T T V 的 分 析分类线痕按表现形式分为杂质线痕、划伤线痕、密布线痕、错位线痕、边缘线痕等 。各种线痕产生的原因如下1 、 杂质线痕 由多晶硅锭内杂质引起, 在切片过程中无法完全去除, 导致硅片上产生相关线痕。表现形式 ( 1)线痕上有可见黑点,即...

    下载价格:3 金币 / 发布人: 索比杜金泽 / 发布时间:2018-08-21 / 667人气

copyright@ 2008-2013 solarbe文库网站版权所有
经营许可证编号:京ICP备10028102号-1

1
收起
展开