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收稿 1999 年 4 月 , 收修改稿 1999 年 5 月3 通讯联系人超大规模集成电路硅片溶液清洗技术的进展张树永 3 郭永榔山东大学化学学院 济南 250100曹宝成 于新好山东大学光电子材料与器件研究所及国家电子清洗技术研究推广中心 济南 250100摘 要 本文综述了超大规模集...
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1、购买的一批硅片, p型杂质均匀掺杂浓度为 1016/cm3,电阻率为 5 -cm。硅片清洗后进行热氧化。 在热氧化结束并去除氧化硅后, 发现硅片表层呈 n型, 而体硅仍旧保持为 p型。1)假定热氧化炉没有施主杂质污染,上述现象如何解释2) 下图给出的是在纯硅中的掺杂浓度...
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1、将硅单晶棒制成硅片的过程包括哪些工艺答包括切断、滚磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、检验。2、切片可决定晶片的哪四个参数 / 答切片决定了硅片的四个重要参数晶向、厚度、斜度、翘度和平行度。3、 硅单晶研磨清洗的重要性。答 硅片清洗的重要...
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1、将硅单晶棒制成硅片的过程中包括哪些工序切片工艺流程切断、滚磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、检验。(滚圆- X 射线定位-切片-倒角-硅片研磨-清洗-化学腐蚀-热处理 2、切片可决定晶片的哪些四个参数晶向、厚度、斜度、翘度和平行度。3...
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第二次作业1. ( 1)随着 MOS 器件尺寸不断缩小,栅氧化层的厚度也必须同时减薄。在此情况下,请问 MOS 器件对 Na+的玷污的敏感度是增加了还是降低了,为什么( 2) 在栅氧化层厚度不断减薄的情况下, 对于硅片衬底的掺杂 (或者器件沟道区的阈值电压的调整注入) ...
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思考题1、 将硅单晶棒制作成硅片包括哪些工序切断、滚磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、检验 。2、 切片可决定晶片的哪四个参数晶向、厚度、斜度、翘度和平行度。3、 硅单晶片研磨后为何要清洗硅片清洗的重要性硅片表面层原子因垂直切片方向的化学键...
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思考题将硅单晶棒制作成硅片包括哪些工序切片可决定晶片的哪四个参数硅单晶片研磨后为何要清洗硅片表面吸附杂质的存在形态有哪些对这些形态按何种顺序进行清洗硅片研磨及清洗后为何要进行化学腐蚀腐蚀方法有哪些CMP 包括哪 2 个动力学过程控制参数有哪些集成电路制造...
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超大规模集成电路制造中硅片平坦化技术的未来发展作者 郭东明 , 康仁科 , 苏建修 , 金洙吉作者单位 大连理工大学机械工程学院 ,大连 ,116024刊名 机械工程学报英文刊名 CHINESE JOURNAL OF MECHANICAL ENGINEERING年,卷 期 2003, 3910引用
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世界科学 2013.6求 、 理想 , 刘浦锋早有所闻 ,“ 陈猛最 打 动 人 的 是 他的理想 , 他的理想就是在中国做自己的 8 英寸 、 12英寸的集成电路硅片 。 这种硅片是目前中国最欠缺的 , 国家投入巨资在本领域进行产业化的研发 , 但迄今为 止 仍 然 只 有 两 ...
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集成电路制造用 300毫米硅片技术研发与产业化项目岩 土 工 程 勘 察 报 告 书勘察阶段 详细勘察工程编号 2015-S-02 信 息 产 业 部 电 子 综 合 勘 察 研 究 院二 ○ 一 五 年 五 月集成电路制造用 300毫米硅片技术研发与产业化项目岩 土 工 程 勘 察 报 告 书勘察
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上海环境热线 www.envir.gov.cn上海市环境科学研究院 环评机构 受上海新昇半导体科技有限公司 建设单位 委托开展对“集成电路制造用 300 毫米硅片技术研发与产业化项目”的环境影响评价工作。现根据国家及本市法律法规及规定,并经上海新昇半导体科技有限公司同...
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分布式户用系统集成浅析 2016年 11月 Copyright © 2016版权所有 海润光伏科技股份有限公司 CONTENTS 目录 01 分布式光伏电站的基本概念及特点 02 分布式市场分析 03 分布式电站收益概算 04 施工要点案例分析 Copyright © 2016版权所有 海润光伏
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第 30 卷 第 29 期 中 国 电 机 工 程 学 报 Vol.30 No.29 Oct.15, 2010 2010 年 10 月 15 日 Proceedings of the CSEE 2010 Chin.Soc.for Elec.Eng. 115 文章编号 0258-8013 2010 2
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